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SI24R2E在設(shè)計(jì)中應(yīng)該注意的幾點(diǎn)事項(xiàng)

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基于現(xiàn)在的智慧城市概念,越來越多的人開始選擇南京中科微的超低功耗無線射頻芯片SI24R2E,研發(fā)設(shè)計(jì)袖珍型標(biāo)簽。

SI24R2E簡介:使用國外IP核固化,確保標(biāo)簽不會因?yàn)樗罊C(jī)并且?guī)砹朔浅?捎^的超低功耗睡眠電流 0.5uA。經(jīng)過每年20kk pcs的出貨,在性能上得到市場認(rèn)可,并帶來了全新的設(shè)計(jì)概念的SI24R2F,盡請期待,美好如期而至。
2.45G有源RFID標(biāo)簽行業(yè),目前根據(jù)行業(yè)不同,對標(biāo)簽的工作壽命的要求都是一致的,要求工作年限足夠久。那么在PCB設(shè)計(jì)上就需要引起大家的注意。
1.SI24R2E的  CE、CSN、SCK、MOSI 四個(gè)引腳強(qiáng)制10K電阻上拉,普通精度的電阻即可。
2.選用16MHz  9pf負(fù)載電容的晶振,起振速度快,芯片在standby轉(zhuǎn)換到TX模式的時(shí)間減短。
3.電池端儲能保護(hù)電容合理選用。理論上,發(fā)射功率0dbm,選用電容需不低于22uF。發(fā)射功率4dbm,選用電容不低于47uF。發(fā)射功率7dbm,選用電容不低于100uF。(實(shí)際應(yīng)用中,還是會有電容擊穿的概念,在生產(chǎn)中一定要嚴(yán)格注意功耗測試時(shí),整機(jī)的靜態(tài)功耗是否異常,漏電流較大的電容較容易擊穿)
4.有條件的客戶,電池不要使用人工焊接。通過機(jī)器點(diǎn)焊,人工帶來的不確定性,后續(xù)是無法通過驗(yàn)證不良品的。
5.觸點(diǎn)燒錄的客戶,要注意VCC和GND之間的位置,放置因?yàn)閵A具帶來的不確定性,造成電池短路引入永久損壞的可能性。
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ID:548519 發(fā)表于 2019-8-26 21:02 | 只看該作者
感謝分享,很好的建議!有個(gè)問題不知有沒有遇到過,我加了3.3V穩(wěn)壓后就無法讀了,去掉3.3v穩(wěn)壓就正常。
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ID:351643 發(fā)表于 2020-4-24 11:10 | 只看該作者
qj0200 發(fā)表于 2019-8-26 21:02
感謝分享,很好的建議!有個(gè)問題不知有沒有遇到過,我加了3.3V穩(wěn)壓后就無法讀了,去掉3.3v穩(wěn)壓就正常 ...

是否有加100UF
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