MOS管發(fā)熱,請教一下附電路圖

ID:734017 · 發(fā)表于 2023-2-21 22:43

MOS管上嘉立創(chuàng)買的，用別人的板上沒問題，我這個(gè)帶12V發(fā)熱片，電流才不到一安，是普通開關(guān)用，不是PWM開關(guān)。發(fā)熱嚴(yán)重。請大家?guī)臀铱纯词裁辞闆r，本人硬件自己學(xué)，板子是自己畫的。 51hei截圖_20230221223836.png

ID:883242 · 發(fā)表于 2023-2-22 03:33

P1.0電壓太低了。

ID:482511 · 發(fā)表于 2023-2-22 06:43

增加漏極電阻Rd試試，改變靜態(tài)工作點(diǎn)

ID:213173 · 發(fā)表于 2023-2-22 06:48

發(fā)熱可能是激勵(lì)電壓不足。建議MCU的VCC=5V，R1=10~100歐，R2=100K，P1.0設(shè)置推挽輸出模式，如采用無此模式功能的MCU需在P1.0接1K上拉電阻。

ID:25903 · 發(fā)表于 2023-2-22 07:39

MOS管導(dǎo)通發(fā)熱大是因?yàn)槟憬o的柵極電壓太低了。。你用的這個(gè)管子，柵極電壓最好在5V以上，不然導(dǎo)通電阻太大。。

ID:612392 · 發(fā)表于 2023-2-22 08:06

P1.0增加一個(gè)三極管，來控制Q1的開閉，提高Q1柵極電壓至12V以上，這樣就不會(huì)發(fā)熱啦

ID:491875 · 發(fā)表于 2023-2-22 08:07

估計(jì)驅(qū)動(dòng)電壓低了，將R2增大到100K左右吧。因?yàn)槭庆o態(tài)驅(qū)動(dòng)，R1的值無關(guān)緊要，只要與R2的分壓不至于引起MOS管的G極電壓過低就可以了，甚至可以短路R1或者增大R1。

ID:491875 · 發(fā)表于 2023-2-22 08:20

MOS管的閾值電壓是4V，你的電路G極電壓經(jīng)R1,R2分壓后不足4V，顯然，MOS管處于放大狀態(tài)，發(fā)熱難免�？梢栽囍龃驲2或者減小R1甚至短路R1看看。

ID:752974 · 發(fā)表于 2023-2-22 08:24

按著5樓的做就沒問題了。

ID:596109 · 發(fā)表于 2023-2-22 08:32

mos發(fā)熱情況大部分情況原因是兩種：GS間電壓處于半開啟狀態(tài)或者DS電流過大，樓主的問題應(yīng)該是GS間電壓過低沒有完全開啟造成的

ID:491875 · 發(fā)表于 2023-2-22 09:06

cjjdemon 發(fā)表于 2023-2-22 08:06
P1.0增加一個(gè)三極管，來控制Q1的開閉，提高Q1柵極電壓至12V以上，這樣就不會(huì)發(fā)熱啦

這是一個(gè)切實(shí)可行的辦法。改低壓驅(qū)動(dòng)為12V驅(qū)動(dòng)。

ID:1063483 · 發(fā)表于 2023-2-22 09:12

認(rèn)同2樓的“如采用無此模式功能的MCU需在P1.0接1K上拉電阻�！�
1.為什么24V供電給12V的發(fā)熱片呢？2.如果MOS管導(dǎo)通的情況下，發(fā)熱片的兩端豈不是24V,???

ID:1034262 · 發(fā)表于 2023-2-22 09:52

測量VDS電壓，是否超過0.05V，超過則柵壓過低。

ID:143767 · 發(fā)表于 2023-2-22 10:57

把R1改成1K，R2改成100K試試，應(yīng)該可以或把R1改成100歐

ID:734017 · 發(fā)表于 2023-2-22 11:08

watsonbu 發(fā)表于 2023-2-22 09:12
認(rèn)同2樓的“如采用無此模式功能的MCU需在P1.0接1K上拉電阻。“
1.為什么24V供電給12V的發(fā)熱片呢？2.如果MO ...

電阻值不同，發(fā)熱快慢問題，這樣比較通用

ID:734017 · 發(fā)表于 2023-2-22 11:14

dj3365191 發(fā)表于 2023-2-22 10:57
把R1改成1K，R2改成100K試試，應(yīng)該可以或把R1改成100歐

手上沒有100K R1改成1K了，電壓上來4.5V 不熱了

ID:734017 · 發(fā)表于 2023-2-22 11:17

老愚童63 發(fā)表于 2023-2-22 08:07
估計(jì)驅(qū)動(dòng)電壓低了，將R2增大到100K左右吧。因?yàn)槭庆o態(tài)驅(qū)動(dòng)，R1的值無關(guān)緊要，只要與R2的分壓不至于引起MOS ...

問一下， VGS 不吃電流是吧，這個(gè) R1 值為什么無關(guān)緊要？如果是 PWM 那R1如何先擇

ID:491875 · 發(fā)表于 2023-2-22 12:14

happy2058 發(fā)表于 2023-2-22 11:17
問一下， VGS 不吃電流是吧，這個(gè) R1 值為什么無關(guān)緊要？如果是 PWM 那R1如何先擇

MOS管是電壓控制，GS本身不消耗電流，只有GS結(jié)電容吸收很少一部分電流，你是靜態(tài)驅(qū)動(dòng)，結(jié)電容可以忽略。如果動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)，結(jié)電容就必須考慮。

ID:491875 · 發(fā)表于 2023-2-22 12:15

happy2058 發(fā)表于 2023-2-22 11:17
問一下， VGS 不吃電流是吧，這個(gè) R1 值為什么無關(guān)緊要？如果是 PWM 那R1如何先擇

PWM，R1越小越好！但必須考慮前級(jí)的承載能力！

ID:734017 · 發(fā)表于 2023-2-22 18:12

老愚童63 發(fā)表于 2023-2-22 12:15
PWM，R1越小越好！但必須考慮前級(jí)的承載能力！

好的謝謝

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MOS管發(fā)熱,請教一下 附電路圖

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