這個電路可以嗎?如果提高PWM 頻率,這個電路還可以運行嗎?

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-22 12:56

照葫蘆畫瓢，做了這個電路，可以運行！
無標題.png

電路負載接了個燈泡，低頻率運行，疑問是如果提高PWM 頻率，這個電路還可以運行嗎？
我測了一下，單片機口電流8.2ma，也可以接受吧，現(xiàn)在擔心的是 MOS管IRF540N 刪極電壓，導通時21V，會不會太高了，長時間運行燒壞MOS管？

ID:584814 · 發(fā)表于 2023-2-22 14:21

這個電路成本幾塊錢，直接搭個試試就知道了

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-22 15:52

選錯電阻了，導通時電壓12V，就是這個電路，可以做到快通，快關嗎？

ID:1063898 · 發(fā)表于 2023-2-22 16:40

我感覺可以在R1兩端并聯(lián)一個電容用來在高速開關的情況下讓控制信號更迅速的作用到Q2上，另外柵極電壓應該到不了21V吧？

ID:1057925 · 發(fā)表于 2023-2-22 16:46

有電阻分壓,怎么可能會21V??

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-22 20:36

BI4MPY 發(fā)表于 2023-2-22 16:40
我感覺可以在R1兩端并聯(lián)一個電容用來在高速開關的情況下讓控制信號更迅速的作用到Q2上，另外柵極電壓應該到 ...

的確不到，我用錯電阻了

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-22 20:37

黑色蜂鳥發(fā)表于 2023-2-22 16:46
有電阻分壓,怎么可能會21V??

的確不到，我用錯電阻了，10K的別我用了個5K的

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-22 21:28

BI4MPY 發(fā)表于 2023-2-22 16:40
我感覺可以在R1兩端并聯(lián)一個電容用來在高速開關的情況下讓控制信號更迅速的作用到Q2上，另外柵極電壓應該到 ...

實驗j幾次，好像不能快速開啟！頻率高了燈就直接滅了...
加到0.025S，燈就滅了?

ID:1063951 · 發(fā)表于 2023-2-22 22:52

電阻選錯了，換一個

ID:342822 · 發(fā)表于 2023-2-22 23:07

無限飛翔發(fā)表于 2023-2-22 21:28
實驗j幾次，好像不能快速開啟！頻率高了燈就直接滅了...
加到0.025S，燈就滅了?

你憑肉眼就能觀察到40Hz的頻率變化嗎？？？
能不能快速開閉還是用示波器查看吧

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-23 08:17

taotie 發(fā)表于 2023-2-22 23:07
你憑肉眼就能觀察到40Hz的頻率變化嗎？？？
能不能快速開閉還是用示波器查看吧

示波器懶得拿桌子小懶得拿，我寫了個0.025S的延時翻轉，燈就不亮了？放常一點就可以。

ID:879348 · 發(fā)表于 2023-2-23 09:15

提高頻率到一定程度，mos管會發(fā)熱嚴重，再高到一定頻率無法導通

ID:161164 · 發(fā)表于 2023-2-23 09:23

R3可以直接不要吧？

ID:116103 · 發(fā)表于 2023-2-23 10:01

IRF540是N CHANNEL的增強型的，圖中符號錯了。按該元件特性，VGS在4-10V時控制 ID電流，屬于壓控電流源。

ID:146878 · 發(fā)表于 2023-2-23 10:15

快不了，R2向下充電要時間的。

ID:149799 · 發(fā)表于 2023-2-23 11:16

lkc8210 發(fā)表于 2023-2-23 09:23
R3可以直接不要吧？

不可以

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-23 11:37

wys91203 發(fā)表于 2023-2-23 10:01
IRF540是N CHANNEL的增強型的，圖中符號錯了。按該元件特性，VGS在4-10V時控制 ID電流，屬于壓控電流源。

圖標是不對！沒找到，用N型圖標帶用了，VGS電壓我查的是20V，實際工作12V。

ID:161164 · 發(fā)表于 2023-2-23 22:10

王秋冬發(fā)表于 2023-2-23 11:16
不可以

愿聞其詳

ID:272119 · 發(fā)表于 2023-2-23 22:48

lkc8210 發(fā)表于 2023-2-23 22:10
愿聞其詳

一般 MOS的GS耐壓不會超20V,所以電阻分壓是必須的. 我就曾經因為78M12散熱片虛焊24V直通燒毀了之路幾個MOS管.

ID:272119 · 發(fā)表于 2023-2-23 22:55

這個電路在PWM 1K以內可以正�？刂仆〝�,頻率一高必須加圖騰驅動,不然Q1會不規(guī)則導通,因為Q1的GS寄生結電容Ciss很大,10K分壓@1.2ma電流在瞬間無法充電完成.

ID:1064118 · 發(fā)表于 2023-2-24 10:09

qq603599910 發(fā)表于 2023-2-23 22:55
這個電路在PWM 1K以內可以正常控制通斷,頻率一高必須加圖騰驅動,不然Q1會不規(guī)則導通,因為Q1的GS寄生結電容C ...

ID:1060439 · 發(fā)表于 2023-2-24 14:07

如果要高頻率開關，就必須滿足MCO的驅動電壓和驅動電流，最好在器Q2與MOS之間增加一個推完結構的驅動電路，這樣就滿足驅動電壓和電流，注意MOS的驅動最高電壓要高于5V和低于20V，不然MOS管會損壞或者不導通。

ID:706567 · 發(fā)表于 2023-2-24 15:19

qq603599910 發(fā)表于 2023-2-23 22:55
這個電路在PWM 1K以內可以正�？刂仆〝�,頻率一高必須加圖騰驅動,不然Q1會不規(guī)則導通,因為Q1的GS寄生結電容C ...

謝啦�。�！
多次實驗，也是發(fā)現(xiàn)不對。

ID:161164 · 發(fā)表于 2023-2-24 15:57

qq603599910 發(fā)表于 2023-2-23 22:48
一般 MOS的GS耐壓不會超20V,所以電阻分壓是必須的. 我就曾經因為78M12散熱片虛焊24V直通燒毀了之路幾個MO ...

一直以為Vgs的耐壓等于Vds的耐壓
受教了～

ID:1060328 · 發(fā)表于 2023-2-24 16:19

按這個電路的參數，不管三極管通斷，柵極電壓不可能到21V,頻率受柵極結電容的影響

ID:1034262 · 發(fā)表于 2023-2-24 18:58

樓主你看一下MOSFET的Total Gate Charge，VGS=10V時71nC，你提供PWM頻率，需要更大的驅動電流，你的電路會提供不了的。具體來說：假設額PWM頻率為50KHz，要求MOSEFT柵壓上升沿、下降沿都是0.5us，驅動電壓是10V，則需要電流 I=71*10^-9 / (0.5*10^-6)=0.142A，如果要求0.2us的驅動時間，則就要0.355A的電流，這就是為什么要用驅動IC的原因，驅動IC一般可以提供0.1~2A的驅動電流。

ID:1061331 · 發(fā)表于 2023-2-24 22:20

對你可以試試，一般單片機最高是12V供電，21V有點過高

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