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請教mos開通時g級電流一般多大

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樓主
ID:100982 發(fā)表于 2023-10-1 10:45 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
12v的mos管,一般開通的時候g級電流有多大?
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沙發(fā)
ID:227393 發(fā)表于 2023-10-1 13:33 來自觸屏版 | 只看該作者
可以說沒有電流
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板凳
ID:491577 發(fā)表于 2023-10-1 14:19 | 只看該作者
MOS管g級相當(dāng)于通過一個電阻給電容充電,初始電流有可能很大幾十mA到幾A都可能,但是時間很短一般小于1uS,完全導(dǎo)通后電流為0。比如電壓10v,電阻100Ω,初始電流=10v/100=0.1A,導(dǎo)通時g級電壓約2.5v,電流=7.5v/100=0.075A,如果是大電流MOS管,電壓15v,電阻10Ω,導(dǎo)通時g級電壓約2.5v,電流=12.5v/
10=1.25A。
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地板
ID:213173 發(fā)表于 2023-10-1 14:43 | 只看該作者
MOS管是電壓驅(qū)動型,G級電流極小,幾乎為0。只有用作高速開關(guān)電路時才考慮結(jié)電容的存在需要較大的瞬時驅(qū)動電流。
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5#
ID:1034262 發(fā)表于 2023-10-1 15:58 | 只看該作者
那要看具體的充電參數(shù),比如10V柵壓50nC的,柵壓0V上升到10V的時間對應(yīng)驅(qū)動電流,10us-->5mA,1us-->50mA,0.1us-->500mA。
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6#
ID:490458 發(fā)表于 2023-10-1 16:00 | 只看該作者
看手冊啊,不同功率的不一樣,大功率的還要小功率的推動呢。
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7#
ID:883242 發(fā)表于 2023-10-1 16:31 | 只看該作者
MOSFET的G極靜態(tài)電流是0,只有動態(tài),也就是說G極電壓變化的時候,必須考慮G極電容,才有電流。
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8#
ID:1059013 發(fā)表于 2023-10-1 16:34 | 只看該作者
一瞬間100ma-1A左右
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9#
ID:491875 發(fā)表于 2023-10-1 19:49 | 只看該作者
MOS管是電壓控制元件,理論上不需要G極電流或者G極電流可以忽略。但動態(tài)驅(qū)動時因為GS結(jié)電容的存在需要對結(jié)電容充電電流,當(dāng)結(jié)電容充電到MOS管開啟電壓后MOS管導(dǎo)通。所以,MOS管需要的動態(tài)驅(qū)動電流實際上是給結(jié)電容充電電流。靜態(tài)驅(qū)動基本上不需要電流
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10#
ID:420836 發(fā)表于 2023-10-2 00:30 | 只看該作者
MOSFET柵極是靠電壓工作的,而不是電流工作的,幾乎沒有電流流過MOSFET的柵極。
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11#
ID:1094028 發(fā)表于 2023-10-2 13:26 | 只看該作者
MOSFET需要驅(qū)動,開通瞬間需要一個大的沖擊電流,特別是高頻率驅(qū)動時,大的驅(qū)動電流可以減少MOS管的損耗,留意一下CISS這個輸入電容的參數(shù),越大需要的驅(qū)動電流越大。C是隔直的,樓上幾位都說了。MOS和IGBT都有專門的驅(qū)動芯片,就可以理解這個問題了,驅(qū)動芯片的輸出都是幾百毫安到A級的。如果不是PWM驅(qū)動,只是開關(guān),那隨便了。驅(qū)動幾個毫安也是可以的。
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12#
ID:491875 發(fā)表于 2023-10-3 09:24 | 只看該作者
在不給定MOS管驅(qū)動脈沖頻率的前提下談MOS管的G極電流是沒有意義的!高頻脈沖需要很大的驅(qū)動電流,一般需要使用功率驅(qū)動芯片或者三極管提供幾安培甚至十多安培驅(qū)動電流。低頻或者靜態(tài)條件下需要的驅(qū)動電流很。
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13#
ID:1083996 發(fā)表于 2023-10-3 11:37 | 只看該作者
MOS屬于電場控制器件,若是直流偏置的話,是無 電流的,
但由于GS GD之間有個結(jié)電容,高頻交流時候會在這個結(jié)電容上有一個電流;
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14#
ID:1089601 發(fā)表于 2023-10-3 18:15 | 只看該作者
除去大家說的,還有一個因素得考慮,就是為了泄放掉柵極的電壓(因為結(jié)電容的原因)一般柵極和源極之間會并接一個電阻(這個電阻的大小和要求的截止速度相關(guān))這個電阻會對于驅(qū)動電路形成一些電流。
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15#
ID:883242 發(fā)表于 2023-10-4 22:38 | 只看該作者
jlslwh 發(fā)表于 2023-10-3 18:15
除去大家說的,還有一個因素得考慮,就是為了泄放掉柵極的電壓(因為結(jié)電容的原因)一般柵極和源極之間會并 ...

這個電阻在管子內(nèi)部是不存在的。
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16#
ID:195496 發(fā)表于 2023-10-5 07:51 | 只看該作者
MOS主要考慮的是動態(tài)電流,看別人的設(shè)計就可以發(fā)現(xiàn),有采用二極管或者電容方式的驅(qū)動類型,并且還要并上一只電阻。平時見到的小功率充電器采用一只電阻驅(qū)動就可以了。
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17#
ID:517951 發(fā)表于 2023-10-5 09:42 | 只看該作者
mos管有N-MOS, P-MOS之分, 一般用NMOS管, 盡量不用PMOS. NMOS導(dǎo)通電壓可能比5V要高, 單片機就需要通過三極管提升電壓來驅(qū)動MOS管. MOS的柵極與DS之間是高阻的, 高頻使用時需要考慮柵極節(jié)電容.
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18#
ID:47541 發(fā)表于 2023-10-5 15:27 | 只看該作者
需要的電流并不大,但是柵極有寄生電容,相當(dāng)于給電容充電,在瞬態(tài)下充電電流會較大,要想更好的驅(qū)動,驅(qū)動電路要有很好的驅(qū)動能力,說白了就是充電時間和放電時間都要最短才好
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19#
ID:401564 發(fā)表于 2023-10-12 00:29 | 只看該作者
如果只是單純的開和關(guān),那你可以認為它是不需要電流的
如果是PWM,那就得要電流+電壓了,大多的驅(qū)動芯片都有0.2A以上驅(qū)動電流+10V驅(qū)動電壓的
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20#
ID:382454 發(fā)表于 2023-10-17 09:32 | 只看該作者
MOS的G極,你可以把它看成一個電容。每種MOS管子的輸入電容都不一樣。可以查表。
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21#
ID:1096319 發(fā)表于 2023-10-17 09:43 | 只看該作者
信息12mA
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22#
ID:491875 發(fā)表于 2023-10-17 12:40 | 只看該作者

如果100KHz頻率,12ma可以嗎?
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23#
ID:593706 發(fā)表于 2023-10-19 09:18 | 只看該作者
場效應(yīng)管是電壓控制器件,G極和其它極是絕緣的,所以沒有G極電流,使用的時候注意G極的開通電壓和關(guān)斷電壓在合適的范圍就行。
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24#
ID:43600 發(fā)表于 2023-10-21 00:36 | 只看該作者
mosfet的驅(qū)動電流大致上跟開關(guān)頻率成比例。
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25#
ID:1088185 發(fā)表于 2023-10-22 16:22 | 只看該作者
GS極等效一電容, 所以G極的電流,只有在輸入信號狀態(tài)變動時所產(chǎn)生瞬間RC充電電流, C多大可以在MOS管規(guī)格書查到, R就查看你的電路
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26#
ID:1097455 發(fā)表于 2023-10-27 11:17 | 只看該作者
MOS壓動型,電流很小
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