標題: 開關電源設計步驟 [打印本頁]
作者: muaalie 時間: 2018-1-2 20:07
標題: 開關電源設計步驟
步驟1 確定開關電源的基本參數(shù)
① 交流輸入電壓最小值umin
② 交流輸入電壓最大值umax
③ 電網(wǎng)頻率Fl 開關頻率f
④ 輸出電壓VO(V):已知
⑤ 輸出功率PO(W):已知
⑥ 電源效率η:一般取80%
⑦ 損耗分配系數(shù)Z:Z表示次級損耗與總損耗的比值,Z=0表示全部損耗發(fā)生在初級,Z=1表示發(fā)生在次級。一般取Z=0.5
步驟2 根據(jù)輸出要求,選擇反饋電路的類型以及反饋電壓VFB
步驟3 根據(jù)u,PO值確定輸入濾波電容CIN、直流輸入電壓最小值VImin
① 令整流橋的響應時間tc=3ms
② 根據(jù)u,查處CIN值
③ 得到Vimin
|
| | | | |
固定輸入:100/115 | | | | |
通用輸入:85~265 | | | | |
固定輸入:230±35 | | | | |
步驟4 根據(jù)u,確定VOR、VB
① 根據(jù)u由表查出VOR、VB值
② 由VB值來選擇TVS
| | |
[tr][/tr]
| | |
| | |
固定輸入:230[size=10.5000pt]±35 | | |
步驟5 根據(jù)Vimin和VOR來確定最大占空比Dmax
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5C6B.tmp.png
① 設定MOSFET的導通電壓VDS(ON)
② 應在u=umin時確定Dmax值,Dmax隨u升高而減小
步驟6 確定初級紋波電流IR與初級峰值電流IP的比值KRP,KRP=IR/IP
| |
| |
| | |
| | |
固定輸入:230[size=10.5000pt]±35 | | |
步驟7 確定初級波形的參數(shù)
① 輸入電流的平均值IAVG
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5C7B.tmp.png
② 初級峰值電流IP
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5C7C.tmp.png
③ 初級脈動電流IR
④ 初級有效值電流IRMS
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5C8D.tmp.png
步驟8 根據(jù)電子數(shù)據(jù)表和所需IP值 選擇TOPSwitch芯片
① 考慮電流熱效應會使25℃下定義的極限電流降低10%,所選芯片的極限電流最小值ILIMIT(min)應滿足:0.9 ILIMIT(min)≥IP
步驟9和10 計算芯片結溫Tj
① 按下式結算:
Tj=[I2RMS×RDS(ON)+1/2×CXT×(VImax+VOR) 2 f ]×Rθ+25℃
式中CXT是漏極電路結點的等效電容,即高頻變壓器初級繞組分布電容
② 如果Tj>100℃,應選功率較大的芯片
步驟11 驗算IP IP=0.9ILIMIT(min)
① 輸入新的KRP且從最小值開始迭代,直到KRP=1
② 檢查IP值是否符合要求
③ 迭代KRP=1或IP=0.9ILIMIT(min)
步驟12 計算高頻變壓器初級電感量LP,LP單位為μH
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5C8E.tmp.png
步驟13 選擇變壓器所使用的磁芯和骨架,查出以下參數(shù):
① 磁芯有效橫截面積Sj(cm2),即有效磁通面積。
② 磁芯的有效磁路長度l(cm)
③ 磁芯在不留間隙時與匝數(shù)相關的等效電感AL(μH/匝2)
④ 骨架寬帶b(mm)
步驟14 為初級層數(shù)d和次級繞組匝數(shù)Ns賦值
① 開始時取d=2(在整個迭代中使1≤d≤2)
② 取Ns=1(100V/115V交流輸入),或Ns=0.6(220V或?qū)挿秶涣鬏斎?/font>)
③ Ns=0.6×(VO+VF1)
④ 在使用公式計算時可能需要迭代
步驟15 計算初級繞組匝數(shù)Np和反饋繞組匝數(shù)NF
① 設定輸出整流管正向壓降VF1
② 設定反饋電路整流管正向壓降VF2
③ 計算NP
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5C9F.tmp.png
④ 計算NF
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5CA0.tmp.png
步驟16~步驟22 設定最大磁通密度BM、初級繞組電流密度J、磁芯的氣隙寬度δ,進行迭代。
① 設置安全邊距M,在230V交流輸入或?qū)挿秶斎霑rM=3mm,在110V/115V交流輸入時M=1.5mm。使用三重絕緣線時M=0
② 最大磁通密度BM=0.2~0.3T
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5CB0.tmp.png
若BM>0.3T,需增加磁芯的橫截面積或增加初級匝數(shù)NP,使BM在0.2~0.3T范圍之內(nèi)。如BM<0.2T,就應選擇尺寸較小的磁芯或減小NP值。
③ 磁芯氣隙寬度δ≥0.051mm
δ=40πSJ(NP2/1000LP-1/1000AL)
要求δ≥0.051mm,若小于此值,需增大磁芯尺寸或增加NP值。
④ 初級繞組的電流密度J=(4~10)A/mm2
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5CB1.tmp.png
若J>10A/mm2,應選較粗的導線并配以較大尺寸的磁芯和骨架,使J<10A/mm2。若J<4A/mm2,宜選較細的導線和較小的磁芯骨架,使J>4A/mm2;也可適當增加NP的匝數(shù)。
⑤ 確定初級繞組最小直徑(裸線)DPm(mm)
⑥ 確定初級繞組最大外徑(帶絕緣層)DPM(mm)
⑦ 根據(jù)初級層數(shù)d、骨架寬帶b和安全邊距M計算有效骨架寬帶be(mm)
be=d(b-2M)
然后計算初級導線外徑(帶絕緣層)DPM:DPM=be/NP
步驟23 確定次級參數(shù)ISP、ISRMS、IRI、DSM、DSm
① 次級峰值電流ISP(A)
ISP=IP×(NP/NS)
② 次級有效值電流ISRMS(A)
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5CB2.tmp.png
③ 輸出濾波電容上的紋波電流IRI(A)
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5CC3.tmp.png
⑤ 次級導線最小直徑(裸線)DSm(mm)
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5CC4.tmp.png
⑥ 次級導線最大外徑(帶絕緣層)DSM(mm)
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5CD5.tmp.png
步驟24 確定V(BR)S、V(BR)FB
① 次級整流管最大反向峰值電壓V(BR)S
V(BR)S=VO+VImax×NS/NP
② 反饋級整流管最大反向峰值電壓V(BR)FB
V(BR)FB=VFB+ VImax×NF/NP
步驟25 選擇鉗位二極管和阻塞二極管
步驟26 選擇輸出整流管
步驟27 利用步驟23得到的IRI,選擇輸出濾波電容COUT
① 濾波電容COUT在105℃、100KHZ時的紋波電流應≥IRI
② 要選擇等效串連電阻r0很低的電解電容
③ 為減少大電流輸出時的紋波電流IRI,可將幾只濾波電容并聯(lián)使用,以降低電容的r0值和等效電感L0
④ COUT的容量與最大輸出電流IOM有關
步驟28~29 當輸出端的紋波電壓超過規(guī)定值時,應再增加一級LC濾波器
① 濾波電感L=2.2~4.7μH。當IOM<1A時可采用非晶合金磁性材料制成的磁珠;大電流時應選用磁環(huán)繞制成的扼流圈。
② 為減小L上的壓降,宜選較大的濾波電感或增大線徑。通常L=3.3μH
③ 濾波電容C取120μF /35V,要求r0很小
步驟30 選擇反饋電路中的整流管
步驟31 選擇反饋濾波電容
反饋濾波電容應取0.1μF /50V陶瓷電容器
步驟32 選擇控制端電容及串連電阻
控制端電容一般取47μF /10V,采用普通電解電容即可。與之相串連的電阻可選6.2Ω、1/4W,在不連續(xù)模式下可省掉此電阻。
步驟33選定反饋電路
步驟34選擇輸入整流橋
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5CD6.tmp.png ① 整流橋的反向擊穿電壓VBR≥1.25√2 umax
③ 設輸入有效值電流為IRMS,整流橋額定有效值電流為IBR,使IBR≥2IRMS。計算IRMS公式如下:
file:///C:\WINDOWS\TEMP\ksohtml\wps5CD7.tmp.png
cosθ為開關電源功率因數(shù),一般為0.5~0.7,可取cosθ=0.5
步驟35 設計完畢
在所有的相關參數(shù)中,只有3個參數(shù)需要在設計過程中進行檢查并核對是否在允許的范圍之內(nèi)。它們是最大磁通密度BM(要求BM=0.2T~0.3T)、磁芯的氣隙寬度δ(要求δ≥0.051mm)、初級電流密度J(規(guī)定J=4~10A/mm2)。這3個參數(shù)在設計的每一步都要檢查,確保其在允許的范圍之內(nèi)。
歡迎光臨 (http://www.torrancerestoration.com/bbs/) |
Powered by Discuz! X3.1 |