新手上道。弱弱的問(wèn)一下,89C51內(nèi)部的ROM和擴(kuò)展的24C01有什么關(guān)系。
或者說(shuō)24C01是用來(lái)干嘛的?
ROM指的是“只讀存儲(chǔ)器”,即Read-Only Memory。這是一種線(xiàn)路最簡(jiǎn)單半導(dǎo)體電路,通過(guò)掩模工藝, 一次性制造,其中的代碼與數(shù)據(jù)將永久保存(除非壞掉),不能進(jìn)行修改。一般在大批量生產(chǎn)時(shí)才會(huì)被用的,優(yōu)點(diǎn)是成本低、非常低,但是其風(fēng)險(xiǎn)比較大,在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí),如果調(diào)試不徹底,很容易造成幾千片的費(fèi)片。
PROM指的是“可編程只讀存儲(chǔ)器”既Programmable Red-Only Memory。這樣的產(chǎn)品只允許寫(xiě)入一次,所以也被稱(chēng)為“一次可編程只讀存儲(chǔ)器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。PROM在出廠(chǎng)時(shí),存儲(chǔ)的內(nèi)容全為1,用戶(hù)可以根據(jù)需要將其中的某些單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)0(部分的PROM在出廠(chǎng)時(shí)數(shù)據(jù)全為0,則用戶(hù)可以將其中的部分單元寫(xiě)入1), 以實(shí)現(xiàn)對(duì)其“編程”的目的。PROM的典型產(chǎn)品是“雙極性熔絲結(jié)構(gòu)”,如果我們想改寫(xiě)某些單元,則可以給這些單元通以足夠大的電流,并維持一定的時(shí)間,原先的熔絲即可熔斷,這樣就達(dá)到了改寫(xiě)某些位的效果。另外一類(lèi)經(jīng)典的PROM為使用“肖特基二極管”的PROM,出廠(chǎng)時(shí),其中的二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài),還是用大電流的方法將反相電壓加在“肖特基二極
管”,造成其永久性擊穿即可。
EPROM指的是“可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器”,即Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特點(diǎn)是具有可擦除功能,擦除后即可進(jìn)行再編程,但是缺點(diǎn)是擦除需要使用紫外線(xiàn)照射一定的時(shí)間。這一類(lèi)芯片特別容易識(shí)別,其封裝中包含有“石英玻璃窗”,一個(gè)編程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干膠紙蓋住, 以防止遭到陽(yáng)光直射。
EEPROM指的是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它的最大優(yōu)點(diǎn)是可直接用電信號(hào)擦除,也可用電信號(hào)寫(xiě)入。EEPROM不能取代RAM的原應(yīng)是其工藝復(fù)雜,耗費(fèi)的門(mén)電路過(guò)多,且重編程時(shí)間比較長(zhǎng),同時(shí)其有效重編程次數(shù)也比較低。EEPROM斷電后存在其中的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。 另外,EEPROM可以清楚存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和再編程。
Flash memory指的是“閃存”,所謂“閃存”,它也是一種非易失性的內(nèi)存,屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品。它的最大特點(diǎn)是必須按塊(Block)擦除(每個(gè)區(qū)塊的大小不定,不同廠(chǎng)家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格), 而EEPROM則可以一次只擦除一個(gè)字節(jié)(Byte)。其另外一大應(yīng)用領(lǐng)域是用來(lái)作為硬盤(pán)的替代品,具有抗震、速度快、無(wú)噪聲、耗電低的優(yōu)點(diǎn),但是將其用來(lái)取代RAM就顯得不合適,因?yàn)镽AM需要能夠按字節(jié)改寫(xiě),而Flash ROM做不到。
樓主說(shuō)的AT89C51采用的FLASH來(lái)存儲(chǔ)程序。而24C01是EEPROM,可以保存掉電不丟失的數(shù)據(jù)。
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