標(biāo)題: L6203直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路原理圖PCB與單片機(jī)控制程序等詳細(xì)資料 [打印本頁(yè)]
作者: 電子愛(ài)好者999 時(shí)間: 2018-2-19 02:12
標(biāo)題: L6203直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路原理圖PCB與單片機(jī)控制程序等詳細(xì)資料
Altium Designer畫(huà)的L6203直流電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)器電路原理圖和PCB圖如下:(51hei附件中可下載工程文件)
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L6203模塊的實(shí)物圖:
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【模塊的簡(jiǎn)要說(shuō)明】
一、尺寸:長(zhǎng)66mmX寬33mmX高28mm
二、主要芯片:L6203
三、工作電壓:控制信號(hào)直流4.5~5.5V;驅(qū)動(dòng)電機(jī)電壓7.2~30V
四、可驅(qū)動(dòng)直流(7.2~30V之間電壓的電機(jī))
五、最大輸出電流4A
六、最大輸出功率20W
七、特點(diǎn):1、具有信號(hào)指示
2、轉(zhuǎn)速可調(diào)
3、抗干擾能力強(qiáng)
4、具有續(xù)流保護(hù)
5、可單獨(dú)控制一臺(tái)直流電機(jī)
6、PWM脈寬平滑調(diào)速(可使用PWM信號(hào)對(duì)直流電機(jī)調(diào)速)
7、可實(shí)現(xiàn)正反轉(zhuǎn)
8、此驅(qū)動(dòng)器非常時(shí)候控制飛思卡爾智能車(chē),驅(qū)動(dòng)器壓降小,電流大,驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)。
【標(biāo)注圖片】
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直流電機(jī)的控制實(shí)例
使用驅(qū)動(dòng)器可以控制一臺(tái)直流電機(jī)。電機(jī)分別為OUT1和OUT2。輸入端EN可用于輸入PWM脈寬調(diào)制信號(hào)對(duì)電機(jī)進(jìn)行調(diào)速控制。(如果無(wú)須調(diào)速可將EN使能端,接高低電平,高電平啟動(dòng),低電平停止。也可由單片機(jī)輸出直接控制)實(shí)現(xiàn)電機(jī)正反轉(zhuǎn)就更容易了,輸入信號(hào)端IN1接高電平輸入端IN2接低電平,電機(jī)正轉(zhuǎn)。(如果信號(hào)端IN1接低電平, IN2接高電平,電機(jī)反轉(zhuǎn)。)可參考下圖表:
直流電機(jī)測(cè)試程序
【原理圖】

【測(cè)試程序】
- /********************************************************************
- 實(shí)現(xiàn)功能:調(diào)試程序
- 使用芯片:AT89S52 或者 STC89C52
- 晶振:11.0592MHZ
- 編譯環(huán)境:Keil
- 作者:zhangxinchun 匯誠(chéng)科技
- *********************************************************************/
- #include<reg52.h>
- #define uchar unsigned char//宏定義無(wú)符號(hào)字符型
- #define uint unsigned int //宏定義無(wú)符號(hào)整型
- sbit P2_0=P2^0;//啟動(dòng)
- sbit P2_1=P2^1;//停止
- sbit P2_2=P2^2;//正轉(zhuǎn)
- sbit P2_3=P2^3;//反轉(zhuǎn)
- sbit P1_0=P1^0;//使能
- sbit P1_1=P1^1;//IN1
- sbit P1_2=P1^2;//IN2
- /********************************************************************
- 延時(shí)函數(shù)
- *********************************************************************/
- void delay(uchar t)//延時(shí)程序
- {
- uchar m,n,s;
- for(m=t;m>0;m--)
- for(n=20;n>0;n--)
- for(s=248;s>0;s--);
- }
- /********************************************************************
- 主函數(shù)
- *********************************************************************/
- main()
- {
- while(1)
- {
- if(P2_0==0){delay(3);if(P2_0==0)//啟動(dòng)
- {
- P1_0=1;
- P1_1=1;
- P1_2=0;
- }}
- if(P2_1==0){delay(3);if(P2_1==0)//停止
- {
- P1_0=0;
- }}
- if(P2_2==0){delay(3);if(P2_2==0)//正轉(zhuǎn)
- {
- P1_1=1;
- P1_2=0;
- }}
- if(P2_3==0){delay(3);if(P2_3==0)//反轉(zhuǎn)
- {
- P1_1=0;
- P1_2=0;
- }}
- }
- }
復(fù)制代碼
L6203
DMOS(消耗型金屬氧化物半導(dǎo)體)全控橋驅(qū)動(dòng)器
- 供電電壓:48V
- 最大峰值電流5A(L6021最大2A)
- 電流有效值:
- L6201: 1A; L6202: 1.5A; L6203/L6201PS: 4A
- RDS (ON) 電阻值 0.3 (室溫 25 C)
- 擊穿電壓保護(hù)
- 兼容TTL電路
- 運(yùn)行最高頻率100KHz
- 熱滯
- 集成邏輯電路使用
- 高效
概述
L6201是一種應(yīng)用多源BCD(Bipolar,CMOS,DMOS)技術(shù)來(lái)控制電機(jī)的全控橋驅(qū)動(dòng)器芯片,這種芯片能將獨(dú)立的DMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和CMOS以及二極管集成在一塊芯片上。由于使用模塊化擴(kuò)展技術(shù),L6201可以實(shí)現(xiàn)邏輯電路及功率級(jí)的優(yōu)化。DMOS場(chǎng)效應(yīng)管能在42V的電壓下運(yùn)行,同時(shí)具備高效、高速的切換性能。兼容所有的TTL, CMOS andC輸入。每個(gè)獨(dú)立的邏輯輸入能控制一個(gè)溝道(半橋),而公共的使能端可以控制兩個(gè)溝道。L6201共有3中不同的封裝型號(hào)。
分類(lèi)數(shù)據(jù): L6201(SO20表面貼片) L6201PS(PowerSO20) L6202(雙列直插封裝18引腳) L6203(Multiwatt封裝) |
結(jié)構(gòu)圖
引腳連接圖(俯視)
引腳功能
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| | | | | 引腳外接自舉電容來(lái)確保第一級(jí)DMOS場(chǎng)效應(yīng)管有效 |
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| | | | | 引腳外接電容來(lái)確保第一級(jí)DMOS場(chǎng)效應(yīng)管有效 |
| | | | | 內(nèi)置參考電壓,通過(guò)電容充電。含有內(nèi)置電阻,最大電源輸出2mA |
絕對(duì)最大額定值
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| 不同的輸出端的電壓(在Out1到Out2之間)60V | | |
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| 脈沖輸出電流 對(duì)于L6201PS/L6202/L6203(注1) –無(wú)重復(fù) 對(duì)于 L6201 對(duì)于6201PS/L6202/L6203 直流輸出電流 對(duì)于L6201 (注1) | | |
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| Boostrap Peak Voltage 自舉電容峰值電壓 | | |
| 總功耗 Tpins = 90°C 對(duì)于 L6201 對(duì)于 L6202 Tcase = 90°C 對(duì)于 L6201PS/L6203 Tamb = 70°C 對(duì)于 L6201 (注2) 對(duì)于 L6202 (注2) 對(duì)于 L6201PS/L6203 (注2) | | |
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注1:脈沖寬度僅受節(jié)點(diǎn)及電熱阻抗的影響(詳見(jiàn)熱特征參數(shù)表)
注2:配置最小面積的銅片
熱特征參數(shù)
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Rthj-pins Rthj-case Rthj-amb | 節(jié)點(diǎn)引腳熱電 max 最大值 節(jié)點(diǎn)內(nèi)熱阻 max. 最大值 節(jié)點(diǎn)外熱阻 max. 最大值 | | | | | |
(*)安裝鋁制基片電路板
電氣特性(測(cè)試電路參數(shù):溫度=25C ,,電壓42V,傳感電壓0V,無(wú)別的特殊要求)
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| | EN = H VIN = L EN = H VIN = H IL = 0 EN = L ( 圖. 1,2,3) |
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晶體管
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| | 圖。9 IDS=1A L6201 IDS=1.2A L6202 IDS=3A L6201PS/03 |
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二極管源極,漏極
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| | IF=1A L6201 IF=1.2A L6202 IF=3A L6203 |
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邏輯電平
電氣特性(續(xù))
芯片控制邏輯時(shí)序
(*)受限于功耗
(**)在同步整流中的(L6202//03)VSD壓降如圖4所示;一般L6201的電壓值是0.3V
圖1。典型和Tj的示意圖
圖2。典型靜態(tài)電流和頻率的示意圖
圖3。典型Is和Vs的示意圖
圖4。典型Rds和Vref的示意圖(Vref從Vs到Vref)
圖5。正常狀態(tài)(25°C)Rds的阻止與溫度變化的示意圖
圖6(a),同步整流下二極管的狀態(tài)(L6201)
圖6(b),同步整流下二極管的狀態(tài)(L6201PS/02/03)
圖7(a)。典型功耗與IL的示意圖(L6201)
圖7(b)。典型功耗與IL的示意圖(L6201PS/02/03)
圖8(a)。兩相斬波
圖8(b)。單項(xiàng)斬波
圖8(c)。使能端斬波
測(cè)試電路
圖9。飽和電壓
圖10。靜態(tài)電流
圖11。漏電流示意圖
圖12。源電流延遲時(shí)間及輸入斬波示意圖
圖13。反偏電流延遲時(shí)間及斬波
電路概述
L6201/1PS/2/3是一種應(yīng)用多源BCD(Bipolar,CMOS,DMOS)技術(shù),用于電機(jī)切換驅(qū)動(dòng)的整塊全橋芯片。多源BCD技術(shù)是集成多個(gè)或者單獨(dú)的DMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,另外還混合MOS管/二極管的控制電路。通過(guò)使用這種技術(shù)使得這類(lèi)芯片具備兼容所有TTL,COMS和C并且可以消除外部MOS設(shè)備的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題。邏輯驅(qū)動(dòng)圖如表1所示。
表1
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| | Sink1,Sink2 Sink1,Source2 Source1,Sink2 Source1.Source2 |
| | | 所有場(chǎng)效應(yīng)管關(guān)斷 |
L表示低電平 H表示高電平 X表示任意狀態(tài)
(*)INPUT1和INPUT2是控制器的數(shù)字輸出級(jí)
雖然L6201/1PS/2/3這類(lèi)芯片能保證被擊穿的情況的發(fā)生,但是不能避免由于DMOS管配置二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)而引起的強(qiáng)電流產(chǎn)生的檢測(cè)熱量。這種現(xiàn)象的產(chǎn)生主要是由于與節(jié)點(diǎn)組合的C1和C2兩個(gè)電容充放電(如圖14)。當(dāng)輸出有高電平向低電平轉(zhuǎn)換的時(shí)候,一股的尖峰電流注入電容C1。在低電平向高電平轉(zhuǎn)化的過(guò)程中同樣有一股大的尖峰電流注入電容C2,底部DMOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電容的充電導(dǎo)致在尖峰電流之前有電極性的跳變(如圖15)。
圖14.DMOS場(chǎng)效應(yīng)管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
圖15.在檢測(cè)引腳的尖峰電流劉示意圖
晶體管的運(yùn)轉(zhuǎn)
導(dǎo)通狀態(tài)
當(dāng)DMOS的其中一端處于到通的狀態(tài),那么可以說(shuō)電阻RDS(ON)始終處于能操控的范圍。在此期間的功耗的表達(dá)式:
PON = RDS (ON) IDS2 (RMS)
多源BCD過(guò)程的低阻態(tài)電阻RDS(ON) 在低功耗的情況選能提供高電流
關(guān)斷狀態(tài)
當(dāng)DOMS的其中一端關(guān)斷的時(shí)候,那么VDS的電壓等于電壓源的電壓,同時(shí)只有漏電流IDSS存在。此間的功耗有如下的公式:
POFF = VS IDSS
此時(shí)的功耗十分低,較導(dǎo)通時(shí)候的功耗是可以被忽略的
晶體管
幾乎可以發(fā)現(xiàn),上述的晶體管的源極和溝道間內(nèi)置二極管,二極管運(yùn)行在一種快速,任意方向的切換模式。在下次循環(huán)之前,使能端處于與高電平的狀態(tài),電壓降等于電阻(RDS (ON))電流(ID)的乘積直到達(dá)到二極管的正向偏置電壓。當(dāng)使能端是低電平時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管關(guān)斷,同時(shí)所有電流施加于二極管。在反復(fù)循環(huán)的過(guò)渡時(shí)期的功率取決于電壓—電流的波形以及驅(qū)動(dòng)方式(如圖7(a),(b),圖8(a),(b),(c))
Ptrans. = IDS (t) VDS (t)
自舉電容
只有所有的N溝道在10V的柵極電壓下才能夠確保DMOS晶體管的正確驅(qū)動(dòng)。對(duì)于底部的接地晶體管來(lái)說(shuō)很容易證明,但是上部的晶體管顯然需要一個(gè)更高的驅(qū)動(dòng)電壓。當(dāng)達(dá)到內(nèi)置充電電流的達(dá)到峰值的時(shí)候能結(jié)合自舉電容正確驅(qū)動(dòng)。為了充電能夠有效的進(jìn)行,自舉電容的值應(yīng)當(dāng)大于1nF的晶體管的輸入電容。所以自居電容至少是10nF的。如果自居電容的取值過(guò)小會(huì)引起場(chǎng)效應(yīng)管的充電不充分,并導(dǎo)致RDS (ON)呈高阻態(tài)。另一方面來(lái)說(shuō)如果使用一個(gè)高容抗的電容那么在檢測(cè)電阻上會(huì)產(chǎn)生尖峰電流。
參考電壓
對(duì)于一個(gè)內(nèi)部含有阻抗,電壓的電路來(lái)說(shuō),應(yīng)該在引腳和接地端放置一個(gè)電容。容抗為0.22 F的電容是以滿足條件。引腳可以被最大為2mA的電流擊穿,所以必須加以保護(hù)。
死區(qū)時(shí)間
為了保護(hù)橋臂中的同步電容引起的軌對(duì)軌短路電流,集成芯片提供了長(zhǎng)于40ns的死區(qū)時(shí)間
熱電阻的保護(hù)
熱保護(hù)電路是必須具備的,一旦在節(jié)點(diǎn)溫度達(dá)到150攝氏度的時(shí)候,那么它就失效了。只有當(dāng)溫度降到安全的范圍之內(nèi),重置驅(qū)動(dòng)器,輸入和使能信號(hào)才能被控制。
應(yīng)用信息
循環(huán)電路
使能端置高電平時(shí),電路是循環(huán)的。晶體管的電壓降可以通過(guò)RDS(ON)IL的乘積表示,電壓降的大小取決于珊源極的二極管特性。雖然驅(qū)動(dòng)器受傳導(dǎo)的保護(hù),尖峰電流還是能夠通過(guò)內(nèi)置的珊源級(jí)電容的充放電現(xiàn)象到達(dá)檢測(cè)引腳端。那么在這樣的一個(gè)設(shè)備中,這不是引起任何的問(wèn)題的,因?yàn)闄z測(cè)電阻能夠承受的電壓是被設(shè)計(jì)好的。
上升時(shí)間Tr(如圖16.)
在電橋的對(duì)橋臂上的電容經(jīng)上升時(shí)間充電達(dá)到最大值電流IL時(shí),此時(shí)的能量表達(dá)式:
EOFF/ON = [RDS (ON)IL2Tr] 2/3
負(fù)載時(shí)間TLD(如圖16)
在此期間的功率主要是由電阻也折算側(cè)的功率組成,電阻消耗的功率:
ELD = IL2 RDS (ON)2 T負(fù)載
折算側(cè)的功率:
E折算 = VSILTCOMfSWITCHT負(fù)載
其中:折算側(cè)的計(jì)算時(shí)間等于導(dǎo)通和關(guān)斷的時(shí)間,選擇頻率等于斬波頻率
由上升時(shí)間可以推導(dǎo),下降時(shí)間應(yīng)該有類(lèi)似的公式:
EON/OFF = [RDS (ON)IL2 Tf] 2/3
靜態(tài)功耗
驅(qū)動(dòng)器能耗的最后組成部分是靜態(tài)功耗,公式如下:
E靜態(tài) = I靜態(tài) Vs T
圖16
一個(gè)周期內(nèi)的能耗
ETOT = EOFF/ON + E負(fù)載 + E折算 + EON/OFF + E靜態(tài)
總功耗的計(jì)算中的變量符號(hào)含義:
功耗等于能除以周期時(shí)間
Tr表示 上升時(shí)間
TLD表示 負(fù)載驅(qū)動(dòng)時(shí)間
Tf 表示下降時(shí)間
Td表示 死區(qū)時(shí)間
T 表示一個(gè)時(shí)間段
T = Tr + TLD + Tf + Td
直流電機(jī)速度控制
L6201/1PS/2/3自從制造成H全橋的封裝芯片就被用作直流電機(jī)的控制。主要用于直流電機(jī)速度和方向的功率級(jí)的控制。如圖17所示,L6201/1PS/2/3能夠驅(qū)動(dòng)像L6506的運(yùn)用跨導(dǎo)放大器的電流整流器。在這樣一個(gè)實(shí)際的組態(tài)電路中中,L6506只有一半的借口唄用到,另一半可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)第二臺(tái)電機(jī)。L6506的檢測(cè)電阻上的電流是鏡像電流:能夠檢測(cè)并比較電機(jī)的調(diào)速及制動(dòng)的電壓。在L6506的兩個(gè)檢測(cè)端都配置了電阻RS。如果L6506的輸出和L6203的輸入之間的連接過(guò)長(zhǎng)的話,那么在L6203的輸入端及接地端都要加電阻。在輸出端還應(yīng)該配以RC保持器,同樣型號(hào)為BYW98的二極管也被用在連接電源出入端和接地端之間。如下的公式可以用來(lái)計(jì)算保持器的數(shù)值:
R VS/lp
C = lp/(dV/dt)
其中:VS是源電壓的最大值;IP是負(fù)載峰值電流;dv/dt受限于上升時(shí)間的輸出電壓(一般是V/s)。如果電源沒(méi)有擊穿電流保護(hù),那么一個(gè)適當(dāng)大一點(diǎn)的電容可以用在連接在L6203的供電端引腳。在17號(hào)引腳的電容能夠使得芯片更好的工作。電機(jī)的的電流上線是2A。L6202可用于同樣電流,24V的電機(jī)。
圖17:雙端電機(jī)控制
雙極進(jìn)電機(jī)
雙極步進(jìn)能在一片L6506或者L297,這兩種BCD全橋驅(qū)動(dòng)器,并加上一些外部設(shè)備。綜合上述三種芯片才能組成一個(gè)完整的微處理器電路接口。如圖18、19所示,控制器是直接連接兩BCD驅(qū)動(dòng)橋。外部擴(kuò)展設(shè)備用到的是最小化的電路:一個(gè)斬波頻率電路的RC網(wǎng)絡(luò),電阻(R1; R2)組成的比較器驅(qū)動(dòng),參考電壓和保持電壓是電阻和電容的串聯(lián)。(詳見(jiàn)直流電機(jī)的速度控制)
圖18。兩相雙極步進(jìn)電機(jī)斬波控制電路
圖19。兩相雙極步進(jìn)電機(jī)斬波、晶體管控制電路
驅(qū)動(dòng)電機(jī)的最小電壓可以低于規(guī)定的最低12V的電壓(詳見(jiàn)電氣特性表);如此,可以有這樣一個(gè)假設(shè),適當(dāng)減少電阻R DS (ON)的阻值,從而減少最后一級(jí)的供電電壓,能從圖20可以看出。
圖20L6201/1P/2/3的電壓范圍為9—18V
熱特性
基于此類(lèi)驅(qū)動(dòng)器的高效性能,往往不需要真正的熱擊穿或者就是很容易就能在P.C.B上做成斬波電路(L6201/2)。在重載的時(shí)候,L6203需要適當(dāng)?shù)慕禍。同樣的情況,當(dāng)斬波電路作用在L6201上時(shí),如圖23,圖21指出該如何選擇的基區(qū)面積。L6201的功耗如上述表達(dá)式:
RTh j-amb = (Tj max. – Tamb max) / Ptot
圖22能看出在一個(gè)脈沖寬度時(shí)間內(nèi)電阻值與溫度的關(guān)系。圖23和24涉及到L6202。對(duì)于L6203還有一個(gè)附加的條件,圖25(熱電阻與周?chē)鷾囟鹊挠绊?及圖26(峰值熱電阻和脈沖寬度的關(guān)系),而圖27則是單脈沖熱阻值。
圖21.L6201的RTh J-amb與基底面積示意圖
圖22。典型電阻值與單脈沖示意圖
圖23.L6202的RTh J-amb與基底面積示意圖
圖24.L6202的典型電阻值與單脈沖示意圖
圖25. Multiwatt封裝的功耗
圖26.L6203的典型電阻值與重復(fù)脈沖示意圖
圖27.典型熱電阻脈沖寬度與周期對(duì)比系數(shù)
L297
步進(jìn)電機(jī)控制器
- 常規(guī)波形驅(qū)動(dòng)
- 半/全步方式
- 順/逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)方向
- 規(guī)定的開(kāi)關(guān)負(fù)載電流
- 可編程負(fù)載電流
- 外接設(shè)備少
- 復(fù)位輸入&基準(zhǔn)輸出
- 使能端輸入
概述
L297基于微處理器技術(shù)的集成電路芯片,用做兩相雙極性或四相單極性的步進(jìn)電機(jī)控制器。電機(jī)能在半步,標(biāo)準(zhǔn)波形下或者是PWM斬波電路的選擇方式下的線圈電流下驅(qū)動(dòng)。這類(lèi)芯片的特點(diǎn):值需要時(shí)鐘信號(hào),電機(jī)的旋轉(zhuǎn)方向的輸入信號(hào)。自從微處理器的集成化和可編程化的運(yùn)用,相角控制使用大量的減少。封裝在雙列直插(20引腳)和表面貼片(20引腳)的L297被做成一整塊全橋的驅(qū)動(dòng)器,在L298N、L293E或者別的驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)下使用。

分類(lèi)數(shù)據(jù):L297/1(雙列直插20引腳) L297d(表面貼片20引腳) |
絕對(duì)最大額定值
兩相雙極性步進(jìn)電機(jī)控制電路
引腳圖(俯視)
結(jié)構(gòu)圖(L297/1 - L297D)
引腳功能L297/1 - L297D
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| | 芯片輸出斬波器 在外施時(shí)鐘源輸入的情況下,同步引腳輸出端應(yīng)用于連接所有L297的同步引腳和斬波器,并非單個(gè)的引腳。 |
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| | 集電極開(kāi)路輸出端。當(dāng)L297的初始化(ABCD端口置0101)時(shí)能與斬波器相連。信號(hào)有效,晶體管運(yùn)行 |
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| | 低電平有效,能控制A、B相的驅(qū)動(dòng) 雙極性電機(jī)在此信號(hào)驅(qū)動(dòng)下,能迅速衰減線圈電流。當(dāng)Control端是低電平時(shí),也能用于斬波電路。 |
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| | 低電平有效,能控制C、D相的驅(qū)動(dòng) 功能同INT1一樣 |
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| | 芯片的使能端。置低電平時(shí),INT1,INT2,A,B,C,和D才又能使用 |
| | 控制端取決于斬波器 斬波器低電平置于INT1和INT2,或者高電平置于ABCD線上 |
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| | 終端的RC(R接VCC電源端,C接地)電路決定了斬波器的等級(jí)。此端口在不同的芯片的組態(tài)不一定一樣。f1/0.69 RC |
| | 時(shí)鐘上升沿/下降沿控制輸入 電機(jī)的物理旋轉(zhuǎn)方向同時(shí)取決于線圈電流方向 改變電流方向能隨時(shí)改變旋轉(zhuǎn)方向 |
| | 步進(jìn)時(shí)鐘脈沖,低電平有效,一個(gè)時(shí)鐘脈沖驅(qū)動(dòng)電機(jī)前進(jìn)一步 |
| | Half/Full不僅輸入。高電平為半步運(yùn)行,低電平為整步運(yùn)行。當(dāng)L297在偶數(shù)的狀態(tài),單相電機(jī)選擇FULL。兩相電機(jī)在晶體管奇數(shù)時(shí)選擇FULL(HOME置初始狀態(tài)) |
| | 復(fù)位輸入,低電平有效。完成初始化(ABCD端口置0101) |
熱阻值數(shù)據(jù)
電路介紹
L297的主要用途是電機(jī)的驅(qū)動(dòng)雙橋,大林管(復(fù)合晶體管),矩陣芯片。這類(lèi)芯片受到控制器的時(shí)鐘信號(hào),方向信號(hào)控制(一般的控制器是微處理器),并結(jié)合空如信號(hào)產(chǎn)生不同的功率級(jí)。
實(shí)現(xiàn)這些功能的主要部分是晶體管,晶體管依據(jù)電機(jī)的相序,,PWM的電流方向及線圈的方向。晶體管依據(jù)HALF/FULL引腳的選擇有三種工作方式。其一,常規(guī)方式(兩相導(dǎo)電),波形驅(qū)動(dòng)(單相導(dǎo)電),半步驅(qū)動(dòng)(單相導(dǎo)電和兩相導(dǎo)電的交替)。L297的兩種中斷方式也同樣能夠驅(qū)動(dòng)半步,波形模式。三類(lèi)信號(hào),直接作用于L298的使能端,在線圈不導(dǎo)電的時(shí)候是電流衰減。當(dāng)L297用作單相電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器,那么主要作用于這些線上:A,B,C,D,INT1和INT2。相線AB還有CD是交替斬波的,當(dāng)一組斬波時(shí)另一組閑置,除非有中斷的信號(hào)到來(lái)。在L297和L298的組態(tài)技術(shù)中,忽略了負(fù)載的功耗。
一個(gè)共模斬波器,需要2個(gè)雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器(觸發(fā)器)FF1和FF2來(lái)提供脈沖。測(cè)量檢測(cè)電阻(連接在SENS1和SENS2之間),當(dāng)線圈上的電流到達(dá)可編程的峰值電壓Vref,內(nèi)置的同步比較器會(huì)重置2個(gè)雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。期間中間將一直有效,直到斬波器的脈沖到達(dá)的時(shí)候。兩個(gè)線圈的峰值電壓,都是通過(guò)的參考電壓Vref的可編程化來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在這個(gè)組態(tài)電路中,接低噪聲的通過(guò)同步斬波器被很好的克服。依賴于所有連接的SYNC引腳,RC濾波網(wǎng)絡(luò)和接地的OSC引腳。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)相序
L297的晶體管能產(chǎn)生的相序有:常規(guī)相序,波形和半步方式。這三種驅(qū)動(dòng)方式的相序及波形將在后面的章節(jié)做介紹。在所有的這些情況中,晶體管都是在高低交替的時(shí)鐘脈沖中得以實(shí)現(xiàn)。順時(shí)針旋轉(zhuǎn)的方向是要表明的,逆時(shí)針的相序和順時(shí)針是相似的,只需翻轉(zhuǎn)晶體管的狀態(tài)。ABCD置0101
半步驅(qū)動(dòng)方式
HALF/FULL置高電平時(shí),是半步驅(qū)動(dòng)模式
常規(guī)驅(qū)動(dòng)方式
HALF/FULL置低電平時(shí),是常規(guī)驅(qū)動(dòng)方式 (也叫做兩相驅(qū)動(dòng))
晶體管是奇數(shù)的狀態(tài) (1, 3, 5 或 7)。 這種方式下 INH1和INH2輸出仍舊是高電平
(續(xù))
波形驅(qū)動(dòng)方式
HALF/FULL置低電平時(shí),也是波形驅(qū)動(dòng)方式(也叫單相驅(qū)動(dòng))
晶體管是偶數(shù)狀態(tài)(2,4,6或者8)
電氣特性圖(如結(jié)構(gòu)圖所示的情況,Tamb = 25C, Vs = 5V。無(wú)別的情形)
(續(xù))
圖1.
應(yīng)用信息
兩相雙極性步進(jìn)電機(jī)控制電路
兩相雙極性步進(jìn)電機(jī)的線圈的電流是2A,二極管的快速電流是2A
圖2..
圖3.同步L297s
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L6203直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)原理圖及例程.doc
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產(chǎn)品使用手冊(cè).doc
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作者: wlhuang 時(shí)間: 2018-3-8 15:41
感謝分享~
作者: 大雨 時(shí)間: 2021-11-14 08:59
有L6201驅(qū)動(dòng)板的資料嗎
歡迎光臨 (http://www.torrancerestoration.com/bbs/) |
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