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標(biāo)題: 這個(gè)過零檢測電路能用嗎？ [打印本頁]

作者: ZXHREG 時(shí)間: 2018-6-10 21:45
標(biāo)題: 這個(gè)過零檢測電路能用嗎？
這個(gè)過零檢測不是真的過零，而是在電壓最高點(diǎn)，但我覺得電路簡單，可以通過延時(shí)控制可控硅的導(dǎo)通角
有個(gè)問題C5壽命如何，要用安規(guī)嗎，如果壞了會(huì)短路嗎，
R11有用嗎，有用如何取值

作者: ZXHREG 時(shí)間: 2018-6-12 16:06

沒人回答

作者: angmall 時(shí)間: 2018-6-12 23:06
溫度變化不會(huì)導(dǎo)致明顯的過零脈沖飄逸，但時(shí)間會(huì)，只是這個(gè)時(shí)間不短且是以極低的變化率漸變的，因?yàn)楣怦顣?huì)老化，靈敏度逐漸降低，但這種情況在要求不高時(shí)可以忽略。

作者: zhangxiaozi 時(shí)間: 2018-6-13 00:27
不要電容，就用100k串聯(lián)就可以取過零，過零時(shí)候，P3.3是高電平，其他時(shí)間是低電平

作者: ZXHREG 時(shí)間: 2018-6-13 20:34

angmall 發(fā)表于 2018-6-12 23:06
溫度變化不會(huì)導(dǎo)致明顯的過零脈沖飄逸，但時(shí)間會(huì)，只是這個(gè)時(shí)間不短且是以極低的變化率漸變的，因?yàn)楣怦顣?huì)老 ...

謝謝，謝謝，謝謝

作者: yzwzfyz 時(shí)間: 2018-6-14 06:08
這個(gè)電路幾乎不能用。它沒有解決好上電瞬間，對光藕的沖擊問題。風(fēng)險(xiǎn)大。
需要稍加改進(jìn)。原理上說得通。
C5通常應(yīng)該用安規(guī)。
如果C5壞了，一定是先短后開。如溫變內(nèi)部擠壓形變層間相短或相近，間距耐壓不足，擊穿，大電流大溫升直至燒成開路才會(huì)停下來。
R11，可以影響到相位，但影響范圍不寬。且不太靠譜。

作者: ZXHREG 時(shí)間: 2018-6-14 17:36

zhangxiaozi 發(fā)表于 2018-6-13 00:27
不要電容，就用100k串聯(lián)就可以取過零，過零時(shí)候，P3.3是高電平，其他時(shí)間是低電平

100K 電阻真的很熱

作者: ZXHREG 時(shí)間: 2018-6-14 19:57

yzwzfyz 發(fā)表于 2018-6-14 06:08
這個(gè)電路幾乎不能用。它沒有解決好上電瞬間，對光藕的沖擊問題。風(fēng)險(xiǎn)大。
需要稍加改進(jìn)。原理上說得通。
...

只用電容就是覺得不發(fā)熱，沒考慮到上電正好是電壓尖峰時(shí)的電流
串個(gè)3K電阻，依然很熱，就想不發(fā)熱，所以用電容。
新手還望多指教

作者: 6541sdf 時(shí)間: 2018-6-14 22:34
不要電容，就用100k串聯(lián)就可以取過零，過零時(shí)候，P3.3是高電平，其他時(shí)間是低電平

作者: ZXHREG 時(shí)間: 2018-6-14 22:35

zhangxiaozi 發(fā)表于 2018-6-13 00:27
不要電容，就用100k串聯(lián)就可以取過零，過零時(shí)候，P3.3是高電平，其他時(shí)間是低電平

串聯(lián)100K+200K就不那么熱了，不知道對光耦有沒有影響

作者: lzts88 時(shí)間: 2018-6-15 01:19
這個(gè)電路是利用電容的容抗來限流的(可認(rèn)為是恒流), 相當(dāng)于電阻, 但不消耗功率, 所以不會(huì)發(fā)熱. Xc=1/(2*3.14*f*c),市電頻率50Hz, Xc = 31.8K歐, 限流大約6.9毫安(電壓220V時(shí)), 所以基本是峰值光耦才導(dǎo)通(電壓低點(diǎn)電流就不夠了), 光耦一定要反向并個(gè)二極管(使交流形成回路, 你電路是加了的).R11保護(hù)光耦的.當(dāng)光耦斷開時(shí)R11端電壓 V=220*R11/(31.8K+R11), 取R11=1K就好了(100K光耦開路時(shí)電壓太高, 瞬間接入有可能擊穿光耦). 電容C5耐壓夠就OK了, 很少壞了短路的(基本上開關(guān)電源的市電端都并一個(gè)0.1的電容的)

作者: 小李子鐵頭 時(shí)間: 2018-6-15 11:41
其他人回答夠多了，我想說CBB電容改為X電容，這樣不存在風(fēng)險(xiǎn)。

作者: ZXHREG 時(shí)間: 2018-6-15 15:41

6541sdf 發(fā)表于 2018-6-14 22:34
不要電容，就用100k串聯(lián)就可以取過零，過零時(shí)候，P3.3是高電平，其他時(shí)間是低電平

我認(rèn)為雖然串電阻，過零時(shí)是高電平，但單片機(jī)如果是上升沿中斷是不是在電壓高于2V就已經(jīng)觸發(fā)了
如果用下降沿，低于0.7V是不是已經(jīng)過了真正零點(diǎn)了。

如果上面我說的對的話，和用電容限流的過零就沒有區(qū)別了，都要靠延時(shí)來得到真正的零點(diǎn)

作者: ZXHREG 時(shí)間: 2018-6-15 15:43

lzts88 發(fā)表于 2018-6-15 01:19
這個(gè)電路是利用電容的容抗來限流的(可認(rèn)為是恒流), 相當(dāng)于電阻, 但不消耗功率, 所以不會(huì)發(fā)熱. Xc=1/(2*3.14 ...

這是個(gè)雙向光耦，還需要并二極管或電阻嗎

是不是如 yzwzfyz老師所說，這個(gè)電路缺個(gè)上電沖擊保護(hù)

作者: ZXHREG 時(shí)間: 2018-6-15 15:54

小李子鐵頭發(fā)表于 2018-6-15 11:41
其他人回答夠多了，我想說CBB電容改為X電容，這樣不存在風(fēng)險(xiǎn)。

基礎(chǔ)差，所以好多問題搞不明白

開始是用47K兩個(gè)電阻限流，但是發(fā)熱量大，后來用兩個(gè)150K，基本不發(fā)熱，但是用單片機(jī)下降沿中斷，產(chǎn)生中斷是在零點(diǎn)以后（2V以下）。

看別人帖子，用電容不發(fā)熱，但yzwzfyz 老師說上電對光耦沖擊較大，想不出好辦法
還請多指教。

作者: lzts88 時(shí)間: 2018-6-15 19:04

ZXHREG 發(fā)表于 2018-6-15 15:43
這是個(gè)雙向光耦，還需要并二極管或電阻嗎

是不是如 yzwzfyz老師所說，這個(gè)電路缺個(gè)上電沖擊保護(hù)

雙向光耦沒用過, 用表測, 正反測量都通的就不用并二極管. R11改1K后就沒沖擊了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗分壓最高也就7V這樣, R11你用100K和31K分壓R11分160V這樣肯定沖擊)

作者: zl2168 時(shí)間: 2018-6-15 22:42
本帖最后由 zl2168 于 2018-6-15 22:43 編輯

給你介紹一個(gè)正確有效看得懂的案例

作者: 小李子鐵頭 時(shí)間: 2018-7-12 10:03

lzts88 發(fā)表于 2018-6-15 19:04
雙向光耦沒用過, 用表測, 正反測量都通的就不用并二極管. R11改1K后就沒沖擊了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗 ...

在光耦發(fā)光二極管上并聯(lián)電容，這樣可以濾除尖峰脈沖，這樣就可以減少對發(fā)光二極管的沖擊，如果加二極管也可以，直接起到權(quán)位，

作者: 小李子鐵頭 時(shí)間: 2018-7-12 10:04

lzts88 發(fā)表于 2018-6-15 19:04
雙向光耦沒用過, 用表測, 正反測量都通的就不用并二極管. R11改1K后就沒沖擊了(去掉光耦, 1K和31.8K容抗 ...

加電容需要調(diào)試，電容會(huì)有延時(shí)，

作者: ZXHREG 時(shí)間: 2018-9-16 19:13

小李子鐵頭發(fā)表于 2018-7-12 10:04
加電容需要調(diào)試，電容會(huì)有延時(shí)，

串電感行嗎

作者: hhh402 時(shí)間: 2019-3-15 16:58
電阻去掉不要，將二極管換成3.3V穩(wěn)壓管就行，穩(wěn)壓管正向壓降0.7V相當(dāng)于普通二極管，反向是3.3V穩(wěn)壓，不管電源方向如何都可以保護(hù)LED不被擊穿。

作者: 正規(guī)007 時(shí)間: 2019-3-15 18:13
這樣玩是不行的，最起碼也得雙光藕，電路也較復(fù)雜，不過現(xiàn)在有雙向可控硅，完全沒必要這么整

作者: hhh402 時(shí)間: 2019-3-16 10:48
這個(gè)電路很有實(shí)用價(jià)值，很適合單片機(jī)使用，檢測點(diǎn)在最高點(diǎn)是沒有問題的，主要是要準(zhǔn)確，R11、C4會(huì)影響準(zhǔn)確度要去除，將保護(hù)二極管換成穩(wěn)壓管可以完美保護(hù)光耦了（包括上電瞬間的沖擊），C5電容630v耐壓足夠了，像電腦電源就在電源線接有一個(gè)0.1UF電容，這個(gè)電容是很耐用的。建議如下圖電路：

過零檢測.JPG (25.54 KB, 下載次數(shù): 104)

作者: 關(guān)注討論 時(shí)間: 2020-7-16 14:44

zhangxiaozi 發(fā)表于 2018-6-13 00:27
不要電容，就用100k串聯(lián)就可以取過零，過零時(shí)候，P3.3是高電平，其他時(shí)間是低電平

你好，可以按照我的要求幫我設(shè)計(jì)一個(gè)電路板的pcb圖紙嗎？

作者: xianfajushi 時(shí)間: 2020-7-17 07:26
擺渡過一個(gè)很巧妙的過零電路使用的都是普通的1/8元件，很多人認(rèn)為該電路不能正常工作，但是它的巧妙就在其中能正常工作，以前回復(fù)過。

作者: 找人PK 時(shí)間: 2020-7-17 08:10
不能用！要用光偶做過零得兩個(gè)，百度上大把例子！

作者: xianfajushi 時(shí)間: 2020-7-17 08:45
可參https://blog.csdn.net/xianfajushi/article/details/100553842

作者: TTQ001 時(shí)間: 2020-7-17 10:09
高壓側(cè)電路有一些問題。首先，必須準(zhǔn)確計(jì)算C5電容器，以將電流限制在光耦合器的最大電流要求以下。其次，您需要添加一個(gè)與電容器并聯(lián)的放電電阻，這樣在電源關(guān)閉時(shí)它將使電容器放電。第三，為了安全起見，C5必須為X級，并且至少要承受400V擊穿電壓。
使用以下公式計(jì)算C5的電抗：X = 1 /（2 * 3.14 * f * C5），其中，f為頻率50Hz。因此，C5 = 1 /（2 * 3.14 * f * X），X由光耦合器的電流決定：I = 220V /（R11 + X），假設(shè)I = 10mA，則R11 + X = 22 kohm，假設(shè)R11為1kohm，則X = 21kohm，C5 = 1 /（2 * 3.14 * 50 * 21000）〜= 0.15uF。光耦合器上的電壓為10mA * 1kohm = 10V。

作者: 會(huì)飛的豬耳朵 時(shí)間: 2020-7-17 10:47
這個(gè)電路幾乎不能用。它沒有解決好上電瞬間，對光藕的沖擊問題。風(fēng)險(xiǎn)大。
需要稍加改進(jìn)。原理上說得通。
C5通常應(yīng)該用安規(guī)。
如果C5壞了，一定是先短后開。如溫變內(nèi)部擠壓形變層間相短或相近，間距耐壓不足，擊穿，大電流大溫升直至燒成開路才會(huì)停下來。
R11，可以影響到相位，但影響范圍不寬。且不太靠譜。

作者: jianfengbeyond 時(shí)間: 2020-10-14 16:05

單片機(jī)對家用交流電過零同步可以用這個(gè)電路，過零高電平觸發(fā)同步，我目前也是用這個(gè)電路，兩個(gè)50K電阻用1/2W 以上的。

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