標(biāo)題: NAND flash頁的訪問及片選無關(guān)技術(shù) [打印本頁]

作者: 13691982107    時間: 2018-7-17 13:46
標(biāo)題: NAND flash頁的訪問及片選無關(guān)技術(shù)
1、nand Flash中頁的訪問順序
在一個塊內(nèi),對每一個頁進(jìn)行編程的話,必須是順序的,而不能是隨機(jī)的。比如,一個塊中有128個頁,那么你只能先對page0編程,再對page1編程,。。。。,而不能隨機(jī)的,比如先對page3,再page1,page2.,page0,page4,.。。。
2、片選無關(guān)(CE don’t-care)技術(shù)
很多Nand flash支持一個叫做CE don’t-care的技術(shù),字面意思就是,不關(guān)心是否片選,
那有人會問了,如果不片選,那還能對其操作嗎?答案就是,這個技術(shù),主要用在當(dāng)時是不需要選中芯片卻還可以繼續(xù)操作的這些情況:在某些應(yīng)用,比如錄音,音頻播放等應(yīng)用中,外部使用的微秒(us)級的時鐘周期,此處假設(shè)是比較少的2us,在進(jìn)行讀取一頁或者對頁編程時,是對Nand Flash操作,這樣的串行(Serial Access)訪問的周期都是20/30/50ns,都是納秒(ns)級的,此處假設(shè)是50ns,當(dāng)你已經(jīng)發(fā)了對應(yīng)的讀或?qū)懙拿钪螅酉聛碇皇切枰狽and Flash內(nèi)部去自己操作,將數(shù)據(jù)讀取除了或?qū)懭脒M(jìn)去到內(nèi)部的數(shù)據(jù)寄存器中而已,此處,如果可以把片選取消,CE#是低電平有效,取消片選就是拉高電平,這樣會在下一個外部命令發(fā)送過來之前,即微秒量級的時間里面,即2us-50ns≈2us,這段時間內(nèi)取消片選,可以降低很少的系統(tǒng)功耗,但是多次的操作,就可以在很大程度上降低整體的功耗了。
總結(jié)起來簡單解釋就是:由于某些外部應(yīng)用的頻率比較低,而Nand Flash內(nèi)部操作速度比較快,所以具體讀寫操作的大部分時間里面,都是在等待外部命令的輸入,同時卻選中芯片,產(chǎn)生了多余的功耗,此“不關(guān)心片選”技術(shù),就是在Nand Flash的內(nèi)部的相對快速的操作(讀或?qū)懀┩瓿芍,就取消片選,以節(jié)省系統(tǒng)功耗。待下次外部命令/數(shù)據(jù)/地址輸入來的時候,再選中芯片,即可正常繼續(xù)操作了。這樣,整體上,就可以大大降低系統(tǒng)功耗了。
:Nand Flash的片選與否,功耗差別會有很大。如果數(shù)據(jù)沒有記錯的話,我之前遇到我們系統(tǒng)里面的nand flash的片選,大概有5個mA的電流輸出呢,要知道,整個系統(tǒng)優(yōu)化之后的待機(jī)功耗,也才10個mA左右的。
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