名稱 | 管腳 | 類型 | 功能描述 |
GND | 1 | 數(shù)字地 模擬地 | |
13 | |||
HA1 | 2 | O (VS) | 高端p型mos管輸出 用來(lái)驅(qū)動(dòng)VHS去控制mos管的導(dǎo)通和截止 |
HA2 | 3 | ||
HB1 | 23 | ||
HB2 | 22 | ||
BMA1 | 5 | I (VS) | 橋接輸出的檢測(cè)輸入 用來(lái)短接到地,保護(hù)電路。 不用的時(shí)候受限于VS |
BMA2 | 4 | ||
BMB1 | 20 | ||
BMB2 | 21 | ||
LA1 | 6 | O 5V | 低端mos管驅(qū)動(dòng)輸出 用來(lái)驅(qū)動(dòng)5VOUT去控制mos管的導(dǎo)通和截止 |
LA2 | 7 | ||
LB1 | 19 | ||
LB2 | 18 | ||
SRA | 8 | AI | 斬波驅(qū)動(dòng)程序的采樣電阻輸入 |
SRB | 17 | ||
5VOUT | 9 | 內(nèi)部的5V線性穩(wěn)壓器的輸出。這個(gè)電壓用來(lái)給低端驅(qū)動(dòng)和內(nèi)部模擬電路供電。外接一個(gè)濾波電容,電容靠近9和13引腳,另一端接地。470nf的陶瓷電容對(duì)大部分應(yīng)用程序是足夠的;蛘咭粋(gè)鉭電容(10μF或更多)能夠提高mos管柵極性能。 | |
SDO | 10 | DO VIO | SPI的數(shù)據(jù)輸出端(三態(tài)) |
SDI | 11 | DI VIO | SPI的數(shù)據(jù)輸入端(測(cè)試模式的掃描測(cè)試輸入端) |
SCK | 12 | DI VIO | SPI接口的串行時(shí)鐘輸入 (在測(cè)試模式掃描測(cè)試轉(zhuǎn)變位使能輸入) |
CSN | 14 | DI VIO | SPI接口的芯片選擇輸入 |
ENN | 15 | DI VIO | 禁止使能輸入端 關(guān)閉所有mos管 |
CLK | 16 | DI VIO | 系統(tǒng)時(shí)鐘輸入端。低電平 使用內(nèi)部時(shí)鐘,高電平 禁用內(nèi)部時(shí)鐘知道斷電 |
VHS | 24 | 高端電源電壓輸入(10v) | |
VS | 25 | 電機(jī)電源電壓 | |
TST_ANA | 26 | AO VIO | 模擬模式的測(cè)試輸入端,正常運(yùn)行時(shí)保持常開(kāi)狀態(tài) |
SG_TST | 27 | DO VIO | 電機(jī)失速保護(hù),高電平有效 |
GNDP | 28 | 功率管的接地,直接接地 | |
VCC_IO | 29 | 所有數(shù)字引腳的電源輸入輸出端,數(shù)字邏輯供電,可調(diào)3.3v和5v | |
DIR | 30 | DI VIO | 方向信號(hào)的輸入端,通過(guò)隨機(jī)抽取的高低電平?jīng)Q定電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)方向,內(nèi)置的濾波器提供一個(gè)60ns的小脈沖信號(hào)。 |
STEP | 31 | DI VIO | 步進(jìn)信號(hào)輸入端,內(nèi)置的濾波器提供一個(gè)60ns的小脈沖信號(hào)。 |
TST_MODE | 32 | DI VIO | 測(cè)試模式的輸入端使芯片進(jìn)入測(cè)試模式正常狀態(tài)常接地 |
振蕩器和時(shí)鐘選擇器 | 提供了系統(tǒng)時(shí)鐘,(1.片上振蕩器 2.外部信號(hào)源) |
步進(jìn)和方向信號(hào)接口 | 使用微步計(jì)數(shù)器和正弦列表生成目標(biāo)電流(線圈電流) |
SPI接口 | 接收直接設(shè)置線圈電流值的指令 |
數(shù)據(jù)選擇器 | 從正弦列表和SPI接口選擇一種來(lái)控制輸入電機(jī)線圈的電流 |
乘法器(倍頻器) | 當(dāng)電流大于電機(jī)負(fù)載的需求值或者所設(shè)計(jì)的芯片電流的尺寸參數(shù)時(shí),使之按比例減小 |
數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器和電流比較器 | 將數(shù)字的電流值轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),用來(lái)與采樣電阻上的電壓相比較,當(dāng)模擬值大于采樣電阻電壓值時(shí),比較器停止輸出斬波驅(qū)動(dòng)電壓 |
先斷后通門驅(qū)動(dòng) | 確保沒(méi)有重復(fù)的脈沖信號(hào),通過(guò)提高脈沖電壓和控制脈沖斜率來(lái)關(guān)閉功率mos管 |
片上穩(wěn)壓器 | 為驅(qū)動(dòng)器的P溝道m(xù)os管柵極和片上數(shù)字模擬電路提供高端電壓 |
名稱 | 描述 | 設(shè)置值 | 備注 |
SGT | 7位帶符號(hào)的整數(shù)(二進(jìn)制數(shù)0—1000000)用來(lái)設(shè)置Stallguard2的閾電平(這個(gè)閾電平是用來(lái)聲明SG_TST的輸出量)也用來(lái)設(shè)置讀出值的最佳測(cè)量范圍。負(fù)值用來(lái)增加敏感度,正值用來(lái)減小敏感度,這樣就需要更大的轉(zhuǎn)矩來(lái)表示失速。0是最好的初始值。不推薦操作值低于-10 | 0 | 敏感度中間值 |
| 靈敏度低 | ||
-1--- -64 | 靈敏度高 | ||
SFILT | Stallguard的濾波模式能得到更大的精度。如果設(shè)置為1,將減少測(cè)量頻率(每4個(gè)整步測(cè)量一次),如果設(shè)置為0,則不濾波。雖然電機(jī)的機(jī)械不對(duì)稱性有濾波補(bǔ)償,但是響應(yīng)時(shí)間是有代價(jià)的。未濾波操作時(shí)建議迅速進(jìn)行失步檢測(cè),濾波操作時(shí)建議進(jìn)行更加精確的負(fù)載檢測(cè)。 | 0 | |
1 | 濾波模式 | ||
SG | Stallguard的10位無(wú)符號(hào)整數(shù)測(cè)量值。更高的值表示較低的機(jī)械負(fù)荷。一個(gè)較低的值表示有更高的負(fù)荷和更高的負(fù)荷角。至于失速檢測(cè),在失速前,調(diào)整SGT的值返回一個(gè)0值或略高于最大負(fù)載值。 | 0--1023 | 0:最大負(fù)荷 較低值:較大負(fù)荷 較高值:較低負(fù)荷 |
參數(shù) | 描述 | 范圍 | 備注 |
SEMIN | 4位的無(wú)符號(hào)整數(shù)用來(lái)設(shè)置較低閾值,如果SG的值小于這個(gè)閾值,coolstep為了覆蓋10位的SG值的下半部分范圍,4位的SEMIN的值擴(kuò)展到32倍 | 0--15 | 閾值下限= SEMIN*32 (最大值15*32=480) |
SEMAX | 4位的無(wú)符號(hào)整數(shù)用來(lái)設(shè)置較高閾值。如果SG采樣等于或高于該閾值的次數(shù)足夠多,coolstep會(huì)減小兩個(gè)線圈的電流。閾值上限=(SEMIN+ SEMAX+1)*32 | 0--15 | 閾值上限=(SEMIN+ SEMAX+1)*32 (最大值(15+15+1)*32=991) |
參數(shù) | 描述 | 范圍 | 備注 |
CS | 電流設(shè)置。縮減來(lái)自內(nèi)置的正弦列表或SPI接口的線圈電流值。為了實(shí)現(xiàn)高精度電機(jī)操作,工作電流在16到32范圍內(nèi)縮減,因?yàn)榘幢壤s減的電流值減小了微步的分辨率,這個(gè)值還控制著通過(guò)coolstep設(shè)置的電流的最大值。 | 0--31 | 比例因素:1/32.2/32….32/32 |
SEUP | 每次SG的測(cè)量值小于閾值下限時(shí)線圈電流的增量.電流增加速度. | 0--3 | 補(bǔ)寬:1 2 4 8 |
SEDN | SG的測(cè)量值大于閾值上限時(shí),線圈電流時(shí)遞減的. 電流減小速度. | 0--3 | SG的測(cè)量次數(shù)減。32 8 4 1 |
SEIMIN | 控制按比例縮減的線圈電流的下限值的模式位.如果這個(gè)位設(shè)置,電流的極限值是1/4CS.如果這個(gè)位是明確的,極限值是電流的1/2CS | 0 | 最小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電流:CS的1/2 |
1 | CS的1/4 | ||
狀態(tài)字 | 描述 | 范圍 | 備注 |
SE | 5位無(wú)符號(hào)整數(shù)報(bào)告縮放后的有效電流值是由coolstep決定。這個(gè)值是由1除以32相似,因此它的范圍是1/32—32/32.這個(gè)值不大于CS的值或不小于1/4CS和1/2CS任何一個(gè),它取決于SEIMIN的設(shè)置值。 | 0--31 | 實(shí)際上,按比例換算的電機(jī)電流設(shè)置:1/32.2/32….32/32 |
SPI接口時(shí)間選擇 | 數(shù)字特征 時(shí)鐘周期是tCLK | |||||
參數(shù) | 表示 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
SCK在CSN改變之前或之后有效值 | tCC |
| 10 |
|
| ns |
CSN的高端時(shí)鐘 | tCSH | 在CSN高電平前SCK有一個(gè)高端tCLK僅供與系統(tǒng)時(shí)鐘同步的最短時(shí)間 | tCLK | > 2tCLK+10 |
| ns |
SCK的低端時(shí)鐘 | tCL | 僅供與系統(tǒng)時(shí)鐘同步的最短時(shí)間 | tCLK | > tCLK+10 |
| ns |
SCK的高端時(shí)鐘 | tCH | 僅供與系統(tǒng)時(shí)鐘同步的最短時(shí)間 | tCLK | > tCLK+10 |
| ns |
SCK使用內(nèi)部時(shí)鐘的頻率 | fSCK |
|
|
| 4 | MHz |
SCK使用外部16MHz時(shí)鐘的頻率 | fSCK |
|
|
| 8 | MHz |
SCK上升沿之前SDI設(shè)置的時(shí)間 | tDU | 假設(shè)最低的OSC頻率 | 10 |
|
| ns |
SCK上升沿之后SDI擁有的時(shí)間 | tDH | 假定同步時(shí)鐘 | 10 |
|
| ns |
SCK下降沿之后數(shù)據(jù)輸出地建立時(shí)間 | tDO | SDO上沒(méi)有電容性負(fù)載 |
|
| tFILT+5 | ns |
SDI SCK CSN的過(guò)濾器延時(shí) | tFILT | 上升和下降沿 | 12 | 20 | 30 | ns |
寄存器 | 描述 |
驅(qū)動(dòng)控制寄存器 | 驅(qū)動(dòng)控制寄存器有不同的控制模式,不同的控制模式取決于運(yùn)動(dòng)控制器的接口是否采用step/dir接口 |
斬波設(shè)置寄存器 | 斬波設(shè)置寄存器擁有斬波器參數(shù)和模式設(shè)置位 |
步進(jìn)優(yōu)化設(shè)置寄存器 | 步進(jìn)優(yōu)化設(shè)置寄存器有關(guān)于步進(jìn)優(yōu)化的參數(shù)和模式設(shè)置位 |
保護(hù)和診斷設(shè)置寄存器 | 保護(hù)和診斷設(shè)置寄存器有關(guān)于保護(hù)和診斷的參數(shù)和模式設(shè)置位 |
驅(qū)動(dòng)器設(shè)置寄存器 | 驅(qū)動(dòng)器設(shè)置寄存器有可以控制功率場(chǎng)效應(yīng)管和保護(hù)電路的參數(shù)和模式位。其中有一個(gè)SDOFF位用來(lái)控制step/dir接口還有一個(gè)RDSEL參數(shù)用來(lái)控制SPI事物里的返回值 |
位\寄存器 | 驅(qū)動(dòng)控制寄存器 (SDOFF=1) | 驅(qū)動(dòng)控制寄存器(SDOFF=0) | 斬波設(shè)置寄存器 | 步進(jìn)優(yōu)化設(shè)置寄存器 | 保護(hù)和診斷設(shè)置寄存器 | 驅(qū)動(dòng)器設(shè)置寄存器 |
19 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
18 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
17 | PHA | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 |
16 | CA7 | 0 | TBL1 | 0 | SFILT | TST |
15 | CA6 | 0 | TBL0 | SEIMIN | 0 | SLPH1 |
14 | CA5 | 0 | CHM | SEDN1 | SGT6 | SLPH0 |
13 | CA4 | 0 | RNDTF | SEDN0 | SGT5 | SLPL1 |
12 | CA3 | 0 | HDEC1 | 0 | SGT4 | SLPL0 |
11 | CA2 | 0 | HDEC0 | SEMAX3 | SGT3 | 0 |
10 | CA1 | 0 | HEND3 | SEMAX2 | SGT2 | DISS2G |
9 | CA0 | INTPOL | HEND2 | SEMAX1 | SGT1 | TS2G1 |
8 | PHB | DEDGE | HEND1 | SEMAX0 | SGT0 | TS2G0 |
7 | CB7 | 0 | HEND0 | 0 | 0 | SDOFF |
6 | CB6 | 0 | HSTRT2 | SEUP1 | 0 | VSENSE |
5 | CB5 | 0 | HSTRT1 | SEUP0 | 0 | RDSEL1 |
4 | CB4 | 0 | HSTRT0 | 0 | CS4 | RDSEL0 |
3 | CB3 | MRES3 | TOFF3 | SEMIN3 | CS3 | 0 |
2 | CB2 | MRES2 | TOFF2 | SEMIN2 | CS2 | 0 |
1 | CB1 | MRES1 | TOFF1 | SEMIN1 | CS1 | 0 |
0 | CB0 | MRES0 | TOFF0 | SEMIN0 | CS0 | 0 |
位 | RDSEL=%00 | RDSEL=%01 | RDSEL=%10 |
19 | MSTEP9 | SG9 | SG9 |
18 | MSTEP8 | SG8 | SG8 |
17 | MSTEP7 | SG7 | SG7 |
16 | MSTEP6 | SG6 | SG6 |
15 | MSTEP5 | SG5 | SG5 |
14 | MSTEP4 | SG4 | SG4 |
13 | MSTEP3 | SG3 | SG3 |
12 | MSTEP2 | SG2 | SG2 |
11 | MSTEP1 | SG1 | SG1 |
10 | MSTEP0 | SG0 | SG0 |
9 | - | - | - |
8 | - | - | - |
7 | STST | ||
6 | OLB | ||
5 | OLA | ||
4 | S2GB | ||
3 | S2GA | ||
2 | OTPW | ||
1 | OT | ||
0 | SG |
驅(qū)動(dòng)控制寄存器 | SPI模式下的驅(qū)動(dòng)器控制(SDOFF=1) | ||
位 | 名字 | 功能 | 備注 |
19 | 0 | 寄存器地址位 | |
18 | 0 | 寄存器地址位 | |
17 | PHA | A極 | 通過(guò)線圈A的電流信號(hào): 0:電流從OA1引腳流到OA2 1:電流從OA2引腳流到OA1 |
16 | CA7 | A極電流的最高有效位 | 通過(guò)A線圈的電流大小。它的范圍是0—248,如果滯后或抵消他們的全部。滯后或抵消后得到的值不超過(guò)255 |
15 | CA6 | ||
14 | CA5 | ||
13 | CA4 | ||
12 | CA3 | ||
11 | CA2 | ||
10 | CA1 | ||
9 | CA0 | A極電流的最低有效位 | |
8 | PHB | B極 | 通過(guò)線圈B的電流信號(hào): 0:電流從OB1引腳流到OB2 1:電流從OB2引腳流到OB1 |
7 | CB7 | B極電流的最高有效位 | 通過(guò)B線圈的電流大小。它的范圍是0—248,如果滯后或抵消他們的全部。滯后或抵消后得到的值不超過(guò)255 |
6 | CB6 | ||
5 | CB5 | ||
4 | CB4 | ||
3 | CB3 | ||
2 | CB2 | ||
1 | CB1 | ||
0 | CB0 | B極電流的最低有效位 |
驅(qū)動(dòng)控制寄存器 | SPI模式下的驅(qū)動(dòng)器控制(SDOFF=0) | ||
位 | 名字 | 功能 | 備注 |
19 | 0 | 寄存器地址位 | |
18 | 0 | 寄存器地址位 | |
17 | 0 | 保留 | |
16 | 0 | 保留 | |
15 | 0 | 保留 | |
14 | 0 | 保留 | |
13 | 0 | 保留 | |
12 | 0 | 保留 | |
11 | 0 | 保留 | |
10 | 0 | 保留 | |
9 | INTPOL | 能否修改步進(jìn)信號(hào)(倍頻) | 0:不能修改步進(jìn)信號(hào) 1:步進(jìn)信號(hào)乘以16倍 |
8 | DEDGE | 能否雙邊沿觸發(fā)步進(jìn)信號(hào) | 0:上升沿觸發(fā),下降沿不觸發(fā) 1:雙邊沿觸發(fā) |
7 | 0 | 保留 | |
6 | 0 | 保留 | |
5 | 0 | 保留 | |
4 | 0 | 保留 | |
3 | MRES3 | STEP/DIR模式下微步分辨率 | 每90°微步: %0000:256 %0001: 128 %0010:64 %0011:32 %0100:16 %0101:8 %0110: 4 %0111: 2(半步) %1000:1(整步) |
2 | MRES2 | ||
1 | MRES1 | ||
0 | MRES0 |
斬波設(shè)置寄存器 | 斬波設(shè)置 | ||
位 | 名字 | 功能 | 備注 |
19 | 1 | 寄存器地址位 | |
18 | 0 | 寄存器地址位 | |
17 | 0 | 寄存器地址位 | |
16 | TBL1 | 空白時(shí)間 | 空白時(shí)間間隔,系統(tǒng)時(shí)間周期下: %00:16 %01:24 %10:36 %11:54 |
15 | TBL0 | ||
14 | CHM | 斬波模式 | 這個(gè)模式位影響了HDEC、HEND、HSTRT參數(shù)在下面的解釋。 0:標(biāo)準(zhǔn)模式(傳播周期)、 1:與快速衰減時(shí)間保持恒定. 當(dāng)?shù)竭_(dá)額定電流,快速衰減時(shí)間也結(jié)束?焖偎p是在準(zhǔn)時(shí)之后。 |
13 | RNDTF | 隨機(jī)關(guān)斷時(shí)間 | 允許隨機(jī)化慢衰減階段持續(xù)時(shí)間 0:斬波關(guān)斷時(shí)間隨著關(guān)斷時(shí)間位的設(shè)置而被固定 1:隨機(jī)模式,關(guān)斷時(shí)間可以隨時(shí)調(diào)整 dN CLK = -12 … +3 clocks. |
12 | HDEC1 | 磁滯衰減間隔時(shí)間 或快速衰減模式 | CHM=0 :磁滯衰減周期設(shè)置,按系統(tǒng)時(shí)鐘周期 %00:16 %01:32 %10:48 %11:64 CHM=1:HDEC1=0:電流比較器能夠在計(jì)時(shí)器到時(shí)時(shí)終止快速衰減階段。 HDEC1=1:只有定時(shí)器能夠終止快速衰減階段。 HDEC0: 快速衰減時(shí)間最高有效位設(shè)置 |
11 | HDEC0 | ||
10 | HEND3 | 磁滯結(jié)束(低)值 或正弦偏移量 | CHM=0 :%0000…%11111 磁滯衰減設(shè)置值是-3,-2,-1,0….12 (這個(gè)設(shè)置的1/512添加到電流設(shè)置中) 這個(gè)磁滯值被用于磁滯斬波 CHM=1 :%0000…%1111 補(bǔ)償值是-3,-2,-1,0….12 正弦波補(bǔ)償和它1/512的值用于添加到每一個(gè)正弦波條目的絕對(duì)值。 |
9 | HEND2 | ||
8 | HEND1 | ||
7 | HEND0 | ||
6 | HSTRT2 | 磁滯開(kāi)始(高)值 或快速衰減時(shí)間設(shè)置 | CHM=0 :磁滯補(bǔ)償開(kāi)始到HEND結(jié)束 %000:1 %100:5 %001:2 %101:6 %010:3 %110:7 %011:4 %111:8 有效范圍:HECD+HSTRT<=15 CHM=1 :快速衰減持續(xù)時(shí)間的三個(gè)最低有效位 快速衰減時(shí)間是系統(tǒng)時(shí)間周期的倍數(shù): NCLK=32*(HDEC0+HSTRT) |
5 | HSTRT1 | ||
4 | HSTRT0 | ||
3 | TOFF3 | 關(guān)斷時(shí)間/MOS管 不使能 | 慢衰減持續(xù)時(shí)間。如果TOFF為0,MOS管關(guān)斷.如果TOFF不是0,慢衰減時(shí)間是系統(tǒng)時(shí)間周期的倍數(shù)。NCLK=12+(32*TOFF)(最小時(shí)間是64倍的時(shí)間周期) %0000:驅(qū)動(dòng)不使能,所有橋關(guān)閉 %0001:1(用于最小的24倍時(shí)鐘的TBL) %0010…%1111:2…15 |
2 | TOFF2 | ||
1 | TOFF1 | ||
0 | TOFF0 |
步進(jìn)優(yōu)化設(shè)置寄存器 | 步進(jìn)優(yōu)化設(shè)置 | ||
位 | 名字 | 功能 | 備注 |
19 | 1 | 寄存器地址位 | |
18 | 0 | 寄存器地址位 | |
17 | 1 | 寄存器地址位 | |
16 | 0 | 保留 | |
15 | SEIMIN | 最小的步進(jìn)優(yōu)化電流 | 0:1/2CS電流設(shè)置 1:1/4CS電流設(shè)置 |
14 | SEDN1 | 電流衰減速度 | 每個(gè)線圈電流的衰減都能保證智能保護(hù)值的采樣必須大于等于上閾值的次數(shù): %00:32 %01:8 %10:2 %00:1 |
13 | SEDN0 | ||
12 | 0 | 保留 | |
11 | SEMAX3 | 高端步進(jìn)優(yōu)化閾值伴隨著一個(gè)來(lái)自較低閾值的補(bǔ)償 | 如果智能保護(hù)功能的SG采樣測(cè)量值等于或大于(SEMIN+SEMAX+1)*32足夠次數(shù),那么線圈電流的比例因素會(huì)降低。 |
10 | SEMAX2 | ||
9 | SEMAX1 | ||
8 | SEMAX0 | ||
7 | 0 | 保留 | |
6 | SEUP1 | 電流增加速度 | 每次電流增加的步數(shù),智能保護(hù)功能的SG采樣值低于較低閾值 %00:1 %01:2 %10:4 %11:8 |
5 | SEUP0 | ||
4 | 0 | 保留 | |
3 | SEMIN3 | 更低的步進(jìn)優(yōu)化閾值/步進(jìn)優(yōu)化不使能 | 如果SEMIN的值是0,步進(jìn)優(yōu)化功能不使能。如果SEMIN不是0并且智能保護(hù)功能的SG采樣值低于SEMIN*32,優(yōu)化步進(jìn)的電流比例因子增加。 |
2 | SEMIN2 | ||
1 | SEMIN1 | ||
0 | SEMIN0 |
保護(hù)和診斷設(shè)置寄存器 | 保護(hù)和診斷設(shè)置 | ||
位 | 名字 | 功能 | 備注 |
19 | 1 | 寄存器地址位 | |
18 | 1 | 寄存器地址位 | |
17 | 0 | 寄存器地址位 | |
16 | SFILT | 濾波使能 | 0:標(biāo)準(zhǔn)模式,最快的響應(yīng)時(shí)間 1:濾波模式,每補(bǔ)償4個(gè)整步電機(jī)的結(jié)構(gòu)更新一次,有最高的精度。 |
15 | 0 | 保留 | |
14 | SGT6 | 閾值 | 智能保護(hù)閾值控制著關(guān)于讀出和失速指示(SG_TST)輸出最佳的測(cè)量范圍.較低的值導(dǎo)致較高的靈敏度。較低的轉(zhuǎn)矩需要顯示失速。閾值是一個(gè)有兩個(gè)補(bǔ)碼的有符號(hào)整數(shù)。這個(gè)值建議不低于-10. 范圍:-64到+63 |
13 | SGT5 | ||
12 | SGT4 | ||
11 | SGT3 | ||
10 | SGT2 | ||
9 | SGT1 | ||
8 | SGT0 | ||
7 | 0 | 保留 | |
6 | 0 | 保留 | |
5 | 0 | 保留 | |
4 | CS4 | 電流大小 | 電流大小通過(guò)SPI和STEP/DIR設(shè)置 %0000…%11111:1/32,2/32,3/32,…32/32 這個(gè)值加1除以32,因此范圍是1/32到32/32 舉個(gè)例子:CS=20是21/32的電流 |
3 | CS3 | ||
2 | CS2 | ||
1 | CS1 | ||
0 | CS0 |
驅(qū)動(dòng)器設(shè)置寄存器 | 驅(qū)動(dòng)器設(shè)置 | ||
位 | 名字 | 功能 | 備注 |
19 | 1 | 寄存器地址位 | |
18 | 1 | 寄存器地址位 | |
17 | 1 | 寄存器地址位 | |
16 | TST | 保留測(cè)試模式 | 正常工作時(shí),必須被清除,當(dāng)設(shè)置時(shí), SG_TST腳輸出暴露的數(shù)字測(cè)試值,TEST_ANA腳輸出暴露的模擬測(cè)試值。測(cè)試值的選擇被SGT1和SGT0控制。 TEST_ANA: %00:測(cè)試分析2倍Vth %01:測(cè)試分析DAC輸出 %10:測(cè)試分析Vdd一半 SG_TST: %00:comp_A %01:comp_B %10:時(shí)鐘 %11:導(dǎo)通xy |
15 | SLPH1 | 高端斜率控制 | %00:最小值 %01:最低溫度補(bǔ)償模式 %10:中間溫度補(bǔ)償模式 %11:最大值 在溫度補(bǔ)償模式中,如果溫度過(guò)熱達(dá)到警報(bào)溫度時(shí),MOS管門極驅(qū)動(dòng)力增加。這個(gè)補(bǔ)償?shù)臏囟热Q于高端斜率控制。 |
14 | SLPH0 | ||
13 | SLPL1 | 低端斜率控制 | %00:最小值 %01:最小值 %10:中間值 %11:最大值 |
12 | SLPL0 | ||
11 | 0 | 保留 | |
10 | DISS2G | 短接到地保護(hù) 不使能 | 0:短路保護(hù)使能 1:短路保護(hù)不使能 |
9 | TS2G1 | 短接到地檢測(cè) 定時(shí)器 | %00:3.2μs %01:1.6μs %10: 1.2μs %11:0.8μs |
8 | TS2G0 | ||
7 | SDOFF | STEP/DIR接口 不使能 | 0:使能STEP/DIR操作 1:不使能STEP/DIR操作,SPI接口被用于移動(dòng)電機(jī) |
6 | VSENSE | 采樣電阻固定 電壓電流比例 | 0:全面的采樣電阻電壓是306mV 1: 全面的采樣電阻電壓是165mV (這里的全面指的是電流的31個(gè)設(shè)置和255個(gè)數(shù)字模擬轉(zhuǎn)化器的值) |
5 | RDSEL1 | 選擇讀出值 (讀出位) | %00:微步位置返回值 %01:負(fù)載檢測(cè)水平狀態(tài)返回 %10:負(fù)載檢測(cè)和智能節(jié)能電流水平返回 %11:保留,不用 |
4 | RDSEL0 | ||
3 | 0 | 保留 | |
2 | 0 | 保留 | |
1 | 0 | 保留 | |
0 | 0 | 保留 |
驅(qū)動(dòng)控制的狀態(tài) | 讀響應(yīng) | ||||
位 | 名稱 | 功能 | 描述 | ||
RDSEL=%00 | %01 | %10 | |||
19 | MSTEP9 | SG9 | SG9 | 線圈A微步計(jì)數(shù)器 stallGuard2 SG9:0價(jià)值 stallGuard2值SG9:5和coolStep值SE4:0 | 在正弦表中,用步進(jìn)/方向模式下的微步位置。MSTEP9是極性位: 0:電流從OA1針到OA2針腳。 1:電流從OA2插針到OA1針腳。 |
18 | MSTEP8 | SG8 | SG8 | ||
17 | MSTEP7 | SG7 | SG7 | ||
16 | MSTEP6 | SG6 | SG6 | SG9:0 stallGuard2值 | |
15 | MSTEP5 | SG5 | SG5 | ||
14 | MSTEP4 | SG4 | SE4 | ||
13 | MSTEP3 | SG3 | SE3 | ||
12 | MSTEP2 | SG2 | SE2 | stallGuard2值SG9:5和實(shí)際的coolStep縮放值SE4:0。 | |
11 | MSTEP1 | SG1 | SE1 | ||
10 | MSTEP0 | SG0 | SE0 | ||
9 | 保留 | ||||
8 | 保留 | ||||
7 | STST | 靜止指示器 | 0:沒(méi)有檢測(cè)到的靜止?fàn)顟B(tài)。 1:在最后的2^20(1048576)個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期中,沒(méi)有出現(xiàn)步進(jìn)脈沖的上升沿。 | ||
6 | OLB | 打開(kāi)負(fù)載指示器 | 0:沒(méi)有檢測(cè)到打開(kāi)負(fù)載的條件。 1:在最后的脈沖周期,線圈有恒定的極性時(shí),沒(méi)有發(fā)生過(guò)斬波的事件。只有當(dāng)電流達(dá)到最高設(shè)置的1/16可以清除這一位! 提示:這個(gè)位只是一個(gè)狀態(tài)指示器。當(dāng)這個(gè)位被設(shè)定時(shí),芯片不會(huì)采取任何其他動(dòng)作。在快速運(yùn)動(dòng)和靜止時(shí)可能出現(xiàn)錯(cuò)誤的跡象。只在慢動(dòng)作時(shí)檢查這一點(diǎn)。 | ||
5 | OLA | ||||
4 | S2GB | 高端晶體管的短路檢測(cè)位 | 0:沒(méi)有達(dá)到短接到地的關(guān)閉條件。 1:短到地達(dá)到關(guān)閉狀態(tài)。 每次短路時(shí),短路計(jì)數(shù)器就會(huì)增加,此時(shí)斬波循環(huán)被暫停。計(jì)數(shù)器因每一個(gè)相位極性的變化而減少。當(dāng)計(jì)數(shù)器達(dá)到3次,mos管關(guān)閉。保持MOSFETs關(guān)閉狀態(tài),直到關(guān)閉條件通過(guò)禁用和重新啟用驅(qū)動(dòng)程序來(lái)清除。關(guān)閉狀態(tài)通過(guò)取消ENN(使能)輸入或清除TOFF(關(guān)斷時(shí)間)參數(shù)來(lái)重置。 | ||
3 | S2GA | ||||
2 | OTPW | 過(guò)溫警報(bào) | 0:溫度沒(méi)有達(dá)到過(guò)熱的警告條件。 1:溫度達(dá)到了警告閾值(警報(bào)最大值) | ||
1 | OT | 過(guò)溫停止 | 0:溫度沒(méi)有達(dá)到過(guò)熱的關(guān)閉條件。(警報(bào)溫度小于關(guān)閉溫度) 1:溫度達(dá)到使mos管關(guān)閉的條件。 | ||
0 | SG | 保護(hù)診斷狀態(tài) | 0:沒(méi)有達(dá)到電機(jī)失速的檢測(cè)條件。 1:已經(jīng)達(dá)到stallGuard2的閾值,此時(shí)SG_TST輸出高電平。 |
STEP /DIR 接口的時(shí)鐘 | 數(shù)字特征 時(shí)鐘周期是tCLK | |||||
參數(shù) | 象征 | 條件 | 最小值 | 典型 | 最大值 | 單位 |
步進(jìn)脈沖頻率 | fSTEP | DEDGE=0 | 1/2 fCLK | |||
DEDGE=1 | 1/4 fCLK | |||||
整步脈沖頻率 | fFS | fCLK/512 | ||||
步進(jìn)脈沖低電平時(shí)間 | tSL | max(tFILTSD, tCLK+20) | ns | |||
步進(jìn)脈沖高電平時(shí)間 | tSH | max(tFILTSD, tCLK+20) | ns | |||
STEP /DIR設(shè)置時(shí)間 | tDSU | 20 | ns | |||
步進(jìn)脈沖后方向脈沖低電平時(shí)間 | tDSH | 20 | ns | |||
STEP /DIR高峰過(guò)濾時(shí)間 | tFITSD | 雙邊沿 | 36 | 60 | 85 | ns |
STEP /DIR相對(duì)于上升的CLK輸入的采樣 | tSDCLKHI | 上升沿 | ns |
onono 發(fā)表于 2019-1-31 10:34
樓主很帥!未來(lái)會(huì)用到TMC5160等TMC芯片,很有參考意義。感謝分享!
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