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工具優(yōu)勢:

測試便捷:裸板連接 USB 即可測試。

快速定位硬件連通性:能快速定位焊接不良的顆粒(如 4*8 的顆�？啥ㄎ坏骄唧w某顆焊接不良)。

測試時間短:1MIN 可測試完一個 loop，可迅速測試出穩(wěn)定性一般的 case(這些 case 上系統(tǒng)老化測試可能需要幾小時才能 detect 出)。

調(diào)試問題便捷，對 DRAM 不穩(wěn)定的板卡，工具端迭代修改參數(shù)測試，較上系統(tǒng)驗(yàn)證節(jié)省 90%的時間(上案桌系統(tǒng)修改參數(shù)驗(yàn)證一輪短則 10 分鐘長則幾小時，工具端不到 3 分鐘)。

工具局限性:

因?yàn)闇y試時間短無法 cover 到所有不穩(wěn)定的 case，這些 case 可能需長時間老化測試才能暴露問題，所以本工具不能代替 DRAM 老化測試。

工具主要測試的是 DRAM 的 IO 性能，對 DRAM 內(nèi)部 CELL 的物理特性測試有一定局限性(這部分測試主要靠 DRAM 原廠保證)，所以測試工具如作為黑片篩選有一定風(fēng)險。

2.DRAM測試相關(guān)設(shè)置

2.1. 基本設(shè)置：

打開 DragonHD 后，關(guān)注左側(cè)測試選項(xiàng)：

1、選取測試平臺(如測試 A64 就在平臺下拉列表選擇 A64)；

2、調(diào)整 DDR頻率，一般以量產(chǎn)頻率為準(zhǔn)(下拉列表選擇)；

3、選擇循環(huán)測試次數(shù)，推薦 3 次；

4、勾選測試項(xiàng)，推薦全選(如 DDR3 就勾選 DDR3 菜單的所有測試項(xiàng))；

5、按“啟動”然后使機(jī)器進(jìn)入 efex 狀態(tài)(即燒寫固件狀態(tài))；

6、等待測試完成并查看 log。

7、(注:DragonHD 所有測試模塊必須使機(jī)器進(jìn)入 efex 狀態(tài)，即固件燒寫狀態(tài)方可使用，請勿同時開啟 PhoenixSuit等燒寫工具，否則會導(dǎo)致測試失敗)

2.2.測試結(jié)果分析

2.2.1.初始化失敗

如下圖所示 LOG 標(biāo)紅代表測試失敗，點(diǎn)擊查看 LOG 可以看到 dram init fail 即 dram 初始化失�。�

通過查看 log，可以看到通道 0 的 byte 1 及 byte 3 的 erro 標(biāo)識為 1，說明錯誤出現(xiàn)在 byte 1 和 byte 3。因此先要查看對應(yīng)的原理圖和 PCB，確認(rèn)是哪些 DRAM 顆�？赡艽嬖趩栴}：

Byte1 和 byte3 對應(yīng)的就是 DQS1 和 DQS3 的鏈接片子，可以確認(rèn) D3_U1 這里存在問題，通過對應(yīng) PCB 找到 DRAM 顆粒位置，如初始化失敗可先檢查電源，電源無異�；揪褪呛附訂栴}，根據(jù)工具端打印的初始化失敗的 byte 找到對應(yīng)的 DRAM 片子更換即可。

2.2.2.壓力測試失敗

如標(biāo)紅代表測試失敗，點(diǎn)擊可看到如下所示 LOG，顯示 dram memtester fail 即 dram 讀寫測試失敗了，工具端打印出了出錯的 bit 即 16bit 出錯代表dq16 出錯(0x10000 換成二進(jìn)制就是 16bit 為 1)，而 bit16 就代表 byte2 出錯(byte0:dq0~dq7,byte1:dq8~dq15,byte2:dq16~dq23,byte3:dq24~dq31)。此外工具端初始化成功后還會打印出容量信息。如貼的是正片，說明 dram 信號不穩(wěn)定，需要進(jìn)一步調(diào)節(jié)參數(shù)讓 dram 子系統(tǒng)穩(wěn)定，如貼的非正規(guī)物料可能是信號不穩(wěn)定也可能是片子本身存在壞塊，具體情況還需具體分析。

2.2.3.參數(shù)修改

2.2.2 中提到測試出錯，如板卡測試出錯代表 DRAM 不穩(wěn)定，就需要 debug，工具開放了 DRAM 的參數(shù)接口供開發(fā)人員進(jìn)行修改，以 A64 為例先左鍵點(diǎn)擊 dram_init 然后點(diǎn)擊右鍵即可選擇編輯參數(shù)，如下圖所示界面，可以看到此參數(shù)和 SDK 的 sys_config.fex 中的 DRAM 參數(shù)部分一樣。這樣就可以直接在工具端調(diào)試，省去上系統(tǒng)的繁瑣測試過程，可供修改的參數(shù)為 dram_zq和 dram_mr1，即主控端和 DRAM 端的阻抗參數(shù)。

clk = 672 dram_type = 3

dram_zq = 0x3b3bbb dram_odt_en = 0x1 dram_para1 = 0x10E410E4 dram_para2 = 0x1000 dram_mr0 = 0x1840 dram_mr1 = 0x40 dram_mr2 = 0x18 dram_mr3 = 0x2 dram_tpr0 = 0x004A2195dram_tpr1 = 0x02424190 dram_tpr2 = 0x0008B060 dram_tpr3 = 0x04b005dc dram_tpr4 = 0x0 dram_tpr5 = 0x0dram_tpr6 = 0x0 dram_tpr7 = 0x0 dram_tpr8 = 0x0dram_tpr9 = 0x0 dram_tpr10 = 0x8808 dram_tpr11 =0x0 dram_tpr12 = 0x55550000 dram_tpr13 = 0x04000900

SOC 端阻抗調(diào)節(jié)，SOC 端阻抗即調(diào)節(jié) dram_zq，以 A64 為例默認(rèn)阻抗為 0x3b3bfb，對應(yīng)的參數(shù)說

明為為如下表所示，2.2.2 中提到的壓力測試失敗，且出錯的是 16bit 也就是 byte2 出問題，所以可以嘗試調(diào)節(jié) byte2 的輸出驅(qū)動能力或 ODT，如修改為0x3b3dfb，再測試看是否 PASS，不斷迭代修改測試(注意每次修改參數(shù)都需要將工具停止后再啟動，這樣修改的參數(shù)才生效)。

[23:20] Byte2/3 on die termination(終端 ODT) [19:16] Byte2/3 output impedance (輸出驅(qū)動能力)[15:12] Byte0/1 on die termination(終端 ODT) [11:8] Byte0/1 output impedance (輸出驅(qū)動能力) [7:4] CLK output impedance(輸出驅(qū)動能力)

[3:0] CA output impedance(輸出驅(qū)動能力)

DRAM 端阻抗調(diào)節(jié)，通過調(diào)節(jié) mr1 可以修改 DRAM 端的輸出驅(qū)動能力和 ODT 的，如下表所示為 mr1 的說明，可以通過 MR1 的值來達(dá)到調(diào)節(jié) DRAM端的 ODT 和阻抗，默認(rèn)設(shè)置 mr1=0x40，即輸出驅(qū) 動能力為 RZQ/6=240Ω/6=40Ω，ODT 為 RZQ/2=240Ω/2=120Ω。當(dāng)出現(xiàn)壓力測試報錯時，可以嘗試修改主控端或 DRAM 端的 ODT 或驅(qū)動能力。

	碼值	Output Driver Impedance Control
Bit5:Bit1	00	RZQ/6
Bit5:Bit1	01	RZQ/7
	碼值	on die termination
Bit9:Bit6:Bit2	000	Disable odt
Bit9:Bit6:Bit2	001	RZQ/4
Bit9:Bit6:Bit2	010	RZQ/2
Bit9:Bit6:Bit2	011	RZQ/6

2.2.4.測試通過

如下所示綠色標(biāo)示測試完成，無報錯，說明壓力測試 pass，點(diǎn)擊查看 LOG 可看到所有測試項(xiàng)均 OK，代表工具壓力測試正常。

全部資料51hei下載地址：

硬件檢測工具.zip (9.82 MB, 下載次數(shù): 150)