標題: MOS管導通電阻如何進行處理 [打印本頁]
作者: 煙淋    時間: 2019-2-18 17:17
標題: MOS管導通電阻如何進行處理
MOS管導通電阻一般用于分壓及盡快泄放攔擊電荷，避免出現全橋短路的情況。而在使用過程中，高壓MOS管的導通電阻都是決定耗散功率的重要參數，所以應用好MOS管導通作用能夠提升設備效率。



降低高壓MOS管導通電阻的原理與方法

1.不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻則是總導通電阻的96.5%。

可以推斷耐壓800V的MOS管的導通電阻將幾乎被外延層電阻占據。欲獲得高阻斷電壓，就必須采用高電阻率的外延層，并增厚。這就是常規(guī)高壓MOS管結構所導致的高導通電阻的根本原因。




2.降低高壓MOS管導通電阻的思路。增加管芯面積雖能降低導通電阻，但成本的提高所付出的代價是商業(yè)品所不允許的。引入少數載流以上兩種辦法不能降低高壓MOS管的導通電阻，所剩的思路就是如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除導通時低摻雜的高耐壓外延層對導通電阻只能起增大作用外并無其他用途。




可以將導電通道以高摻雜較低電阻率實現，而在MOS管關斷時，設法使這個通道以某種方式夾斷，使整個器件耐壓僅取決于低摻雜的N-外延層。內建橫向電場的高壓MOS管的剖面結構及高阻斷電壓低導通電阻的示意圖如圖所示。



mos管導通電阻

當VGS＜VTH時，由于被電場反型而產生的N型導電溝道不能形成，并且D，S間加正電壓，使MOS管內部PN結反偏形成耗盡層，并將垂直導電的N區(qū)耗盡。這個耗盡層具有縱向高阻斷電壓，如圖（b）所示，這時器件的耐壓取決于P與N-的耐壓。因此N-的低摻雜、高電阻率是必需的。


圖（b）

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