標(biāo)題: 空穴遷移率低的P溝道MOS管 [打印本頁]
作者: 元器件    時間: 2019-2-22 14:51
標(biāo)題: 空穴遷移率低的P溝道MOS管
MOS管分P溝道和N溝道兩種。因為NMOS管導(dǎo)通電阻小，容易制造，多數(shù)人都是使用NMOS管。但并非所有的工廠都會選擇NMOS管，比如一些中小型的數(shù)字控制電路至今仍然采用PMOS管技術(shù)。所以PMOS管與NMOS管相比也不會毫無優(yōu)勢。



P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS管。此外，P溝道MOS管閾值電壓的絕對值普通偏高，懇求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。這就給PMOS管的使用范疇有了一定的限制。



PMOS管因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS管電路呈現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS管電路工藝簡單，價錢低廉，有些中范圍和小范圍數(shù)字控制電路仍采用PMOS管電路技術(shù)。PMOS管的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適宜用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。



但是，固然PMOS管可以很便當(dāng)?shù)赜米鞲叨蓑?qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，交流種類少等緣由，在高端驅(qū)動中，通常還是運用NMOS管。正常工作時，P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應(yīng)為負(fù)值，以保證兩個P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時為了在襯底頂表面左近構(gòu)成導(dǎo)電溝道，柵極對源極的電壓Vgs也應(yīng)為負(fù)。





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