標(biāo)題: SI24R2E在設(shè)計中應(yīng)該注意的幾點事項 [打印本頁]
作者: DN13 時間: 2019-3-14 15:06
標(biāo)題: SI24R2E在設(shè)計中應(yīng)該注意的幾點事項
基于現(xiàn)在的智慧城市概念，越來越多的人開始選擇南京中科微的超低功耗無線射頻芯片SI24R2E，研發(fā)設(shè)計袖珍型標(biāo)簽。
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2019-3-14 15:04 上傳
SI24R2E簡介：使用國外IP核固化，確保標(biāo)簽不會因為死機并且?guī)砹朔浅？捎^的超低功耗睡眠電流 0.5uA。經(jīng)過每年20kk pcs的出貨，在性能上得到市場認(rèn)可，并帶來了全新的設(shè)計概念的SI24R2F，盡請期待，美好如期而至。
2.45G有源RFID標(biāo)簽行業(yè)，目前根據(jù)行業(yè)不同，對標(biāo)簽的工作壽命的要求都是一致的，要求工作年限足夠久。那么在PCB設(shè)計上就需要引起大家的注意。
1.SI24R2E的 CE、CSN、SCK、MOSI 四個引腳強制10K電阻上拉，普通精度的電阻即可。
2.選用16MHz 9pf負(fù)載電容的晶振，起振速度快，芯片在standby轉(zhuǎn)換到TX模式的時間減短。
3.電池端儲能保護電容合理選用。理論上，發(fā)射功率0dbm，選用電容需不低于22uF。發(fā)射功率4dbm，選用電容不低于47uF。發(fā)射功率7dbm，選用電容不低于100uF。（實際應(yīng)用中，還是會有電容擊穿的概念，在生產(chǎn)中一定要嚴(yán)格注意功耗測試時，整機的靜態(tài)功耗是否異常，漏電流較大的電容較容易擊穿）
4.有條件的客戶，電池不要使用人工焊接。通過機器點焊，人工帶來的不確定性，后續(xù)是無法通過驗證不良品的。
5.觸點燒錄的客戶，要注意VCC和GND之間的位置，放置因為夾具帶來的不確定性，造成電池短路引入永久損壞的可能性。
作者: qj0200 時間: 2019-8-26 21:02
感謝分享，很好的建議！有個問題不知有沒有遇到過，我加了3.3V穩(wěn)壓后就無法讀了，去掉3.3v穩(wěn)壓就正常。
作者: DN13 時間: 2020-4-24 11:10
是否有加100UF
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