標(biāo)題: 程序存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器區(qū)別總結(jié) [打印本頁(yè)]

作者: sudeki    時(shí)間: 2019-8-4 12:38
標(biāo)題: 程序存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器區(qū)別總結(jié)
存儲(chǔ)器概念:

1.    程序存儲(chǔ)器:
一般程序存儲(chǔ)器一般采用只讀存儲(chǔ)器,因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器在電源關(guān)閉后,仍能保存程序(此特性成為非遺失性),在系統(tǒng)上電后CPU可去除這些指令重新執(zhí)行。
只讀存儲(chǔ)器簡(jiǎn)稱ROM,ROM中的信息一旦寫入,就不能隨意更改,特別是不能在程序運(yùn)行過(guò)程中寫入新的內(nèi)容,故稱為只讀存儲(chǔ)器。
向ROM存儲(chǔ)器中寫入信息稱為ROM編程,根據(jù)編程的方式不同,可分為以下幾種:
(1)      掩模ROM掩模ROM是在制造過(guò)程中編程。因?yàn)榫幊淌且匝谀9に噷?shí)現(xiàn)的,因此稱為掩模ROM。這種芯片存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,集成度高,但由于掩模工藝成本高,因此只適用于大批量生產(chǎn)。
(2)      可編程ROM(PROM):PROM(可編程只讀存儲(chǔ)器)芯片出廠時(shí)并沒(méi)有任何程序信息,由用戶獨(dú)立的編程寫入。但PROM只能寫入一次,吸入內(nèi)容后,就不能再修改。
(3)      EPROMEPROM使用電信號(hào)編程,用紫外線擦除的只讀存儲(chǔ)器芯片。在芯片外殼的中間位置有一個(gè)圓形窗口,通過(guò)該窗口照射紫外線就可擦除原有的信息,使用編程器可將調(diào)試完畢的程序?qū)懭搿?/div>
(4)      E2PROM(EEPROM):E2PROM這是一種用電信號(hào)編程,也用電信號(hào)擦除的ROM芯片,對(duì)E2PROM的讀寫操作與RAM存儲(chǔ)器幾乎沒(méi)有什么差別,只是寫入的速度慢一些,但掉電后仍能保存信息。
(5)      Flash ROMFlashROM又稱為閃速存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱閃存),F(xiàn)lashROM是在EPROM,E2PROM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種電擦除型只讀存儲(chǔ)器。其特點(diǎn)是可快速在線修改其存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù),改寫次數(shù)可達(dá)1萬(wàn)多次,其讀寫速度很快,存取時(shí)間可達(dá)70ns,而成本卻比E2PROM低得多,所以現(xiàn)如今大多數(shù)單片機(jī)上應(yīng)有的這種程序存儲(chǔ)器。

例:STC89C52 RC單片機(jī)芯片
工作頻率范圍:0~40MHz,相當(dāng)于普通8051 的0~80MHz,實(shí)際工作 頻率可達(dá)48MHz
1.      程序存儲(chǔ)器又分為片內(nèi)和片外兩部分。STC89C52 RC單片機(jī)片內(nèi)程序存儲(chǔ)器為8KB的Flash存儲(chǔ)器(Flash ROM),編程和擦除完全是電氣實(shí)現(xiàn),且速度快。
當(dāng)片內(nèi)8K的Flash的存儲(chǔ)器不夠用時(shí),用戶可在片外擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器,最多64KB,但STC89C52RC單片機(jī)芯片只有片內(nèi)的8K Flash并沒(méi)有片外擴(kuò)展。
2.      數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也分為片內(nèi)和片外,. 片上(片內(nèi))集成512 字節(jié)RAM
51單片機(jī)的C語(yǔ)言中有個(gè)需要關(guān)注的概念就是變量或數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)模式(PC機(jī)是否有類似的情況我不了解)。在C51中的存儲(chǔ)模式是data、bdata、idata、pdata、xdata、code共6種:
data、bdata、idata:就是說(shuō)變量或數(shù)據(jù)位于單片機(jī)的內(nèi)部RAM中(ST89C52有256字節(jié)),訪問(wèn)速度最快。
pdata、xdata:就是說(shuō)變量或數(shù)據(jù)位于擴(kuò)展的外部RAM(其實(shí)是相對(duì)來(lái)說(shuō)的,還是片內(nèi)RAM中)中(ST89C52內(nèi)集成了256字節(jié)),相對(duì)內(nèi)部RAM訪問(wèn)速度要慢。
3.   當(dāng)片內(nèi)RAM中不夠用時(shí),又給用戶提供了在片外可擴(kuò)展至64KB RAM功能。
4.   E2PROM :2KB

2. 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容,故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。 按照存儲(chǔ)信息的不同,隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
DRAM(Dynamic RAM)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。
因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一部分面積。
SRAM的速率高、性能好,它主要有如下應(yīng)用:
1)CPU與主存之間的高速緩存。
2)CPU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ),而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。
對(duì)于SSRAM的所有訪問(wèn)都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。這一點(diǎn)與異步SRAM不同,異步SRAM的訪問(wèn)獨(dú)立于時(shí)鐘,數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。
SDRAM(Synchronous DRAM)即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。同步是指 Memory工作需要同步時(shí)鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ),而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。
                                                                                                                                                                               2017.3.13





作者: 崇慶陽(yáng)光    時(shí)間: 2021-6-30 09:03
這是很基礎(chǔ)的資識(shí),謝謝!




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