標(biāo)題:
請(qǐng)大神分析這個(gè)電路每個(gè)元器件導(dǎo)通情況？
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作者:
張先生de
時(shí)間:
2019-8-18 13:53
標(biāo)題:
請(qǐng)大神分析這個(gè)電路每個(gè)元器件導(dǎo)通情況？
一直分析不出來(lái)
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2019-8-18 13:52 上傳
作者:
cjm82
時(shí)間:
2019-8-18 18:09
這是個(gè)H橋,假設(shè)某時(shí)刻KZ1 KZ2電位為高則Q4導(dǎo)通,從而拉低Q6 B極,Q6導(dǎo)通.因?yàn)镽49的作用,Q2-KZ的電位被抬高.從而導(dǎo)通Q8.
因?yàn)镵Z2為高,Q9截止,繼而Q7截止,因?yàn)镼9截止,Q1_KZ電位被R52拉低,Q5截止.
這時(shí),左邊橋臂MR輸出為高,右邊橋臂MI輸出為低.
對(duì)于KZ1 KZ2電位為低的情況,與上面分析類似,就不贅述了.因?yàn)槿龢O管輸入電阻比較小,元件的計(jì)算還是比較麻煩的,實(shí)用還是用H橋IC比較好,就算一定要用分立來(lái)搭,用MOS管應(yīng)該會(huì)簡(jiǎn)單點(diǎn).
作者:
qq1457451609
時(shí)間:
2019-8-18 23:05
你可以試試用Mutisim仿真
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