標(biāo)題: 在接晶振(11.9)時(shí)沒有30pf左右的電容，可以用0.22uf代替？ [打印本頁]
作者: 小白.啟航    時(shí)間: 2019-11-7 00:31
標(biāo)題: 在接晶振(11.9)時(shí)沒有30pf左右的電容，可以用0.22uf代替？
如題
作者: 老愚童63    時(shí)間: 2019-11-7 07:27
肯定不行！
作者: csmyldl    時(shí)間: 2019-11-7 07:46
一般情況下是可以的,33pF的也可以,電容是輔助晶振起振的,只要晶振起振了都可以
作者: gb302    時(shí)間: 2019-11-7 07:47
晶振兩端的等效電容與晶振標(biāo)稱的負(fù)載電容存在差異時(shí)，晶振輸出的諧振頻率將與標(biāo)稱工作的工作頻率產(chǎn)生一定偏差（又稱之為頻偏），所以合理匹配合適的外加電容使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容顯得十分重要。一般情況下，增大負(fù)載電容會使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會使振蕩頻率升高
作者: tyrl800    時(shí)間: 2019-11-7 08:03
不能代替喲
作者: man1234567    時(shí)間: 2019-11-7 08:06
30pf左右是指上下偏差不大，.22這個(gè)偏差是多少算過么 ?
再好理論不過實(shí)踐，你試一下就知道了，萬一真的也好用呢
作者: bemc    時(shí)間: 2019-11-7 08:07
可以 主要看mcu的要求了
作者: taotie    時(shí)間: 2019-11-7 08:29
沒有就不用
作者: pcbboy    時(shí)間: 2019-11-7 08:29
0.22 是 22000P 啊兄dai
作者: devcang    時(shí)間: 2019-11-7 09:03
15p~33p  
這個(gè)范圍
作者: ahshmj    時(shí)間: 2019-11-7 09:20
1uf(微法) =1000nF(納法) ，1nf(納法)=1000pF(皮法)，uf和pf差100萬倍。

這些基礎(chǔ)知識還是必要的。
作者: 那個(gè)誰和誰    時(shí)間: 2019-11-7 09:29
肯定不行啊，差的太多了。
作者: jianfeii    時(shí)間: 2019-11-7 09:57
太大了,mcu跑步起來的.你用pf級別的代替可能可以.
作者: 13144088433    時(shí)間: 2019-11-7 10:01
5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影響不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，單片機(jī)內(nèi)部有相應(yīng)的整形電路。
作者: xingxing123w    時(shí)間: 2019-11-7 16:30
不建議這樣使用，可能會出現(xiàn)不起振或者頻偏 等不可控現(xiàn)象
作者: yzwzfyz    時(shí)間: 2019-11-8 11:27
樓上一定不知道為什么要接30p的電容，先去網(wǎng)搜一下。
作者: CZ1    時(shí)間: 2019-11-8 12:18
不行，你這個(gè)太大了肯定用不了的，不行你換芯片啊stc15的可以直接使用內(nèi)部晶振，精準(zhǔn)度還可以的
作者: cphnkj188    時(shí)間: 2019-11-8 12:54
差距有點(diǎn)太大了吧
作者: toyboy    時(shí)間: 2019-11-8 12:56
沒有電子技術(shù)基礎(chǔ)，請不要碰硬件！
作者: wj_yuq    時(shí)間: 2019-11-11 14:10
一般是幾p到幾十p的電容，加的一側(cè)會有些延時(shí)，不加也行，實(shí)際上使用電路的分布電容，DS1302 DataSheet推薦電路中晶振兩側(cè)各加7p負(fù)載電容，但實(shí)際實(shí)收模塊上，商家為降低成本略去了，因而偏快，如果對時(shí)序要求不嚴(yán)也無所謂了。
作者: 1255230    時(shí)間: 2019-11-11 16:15
我們通常用得是20~33PF



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