標(biāo)題: 單片機(jī)怎么驅(qū)動(dòng)MOS？ [打印本頁(yè)]
作者: pql2438547    時(shí)間: 2020-1-21 23:34
標(biāo)題: 單片機(jī)怎么驅(qū)動(dòng)MOS？
用的51，低電平有效，光耦是用PC817，MOS驅(qū)動(dòng)電壓必須在12V。這個(gè)圖有問題嗎？
作者: xianfajushi    時(shí)間: 2020-1-22 08:38
這樣的電路多余一些元件浪費(fèi)錢又沒蝦米作用且沒提高蝦米性能用途,假設(shè)柵極電壓是10伏特的管則參數(shù)不合理
作者: cccc888    時(shí)間: 2020-1-22 09:30
當(dāng)然有問題，Q3偏置，R4
作者: csmyldl    時(shí)間: 2020-1-22 09:31
Q2  Q3用一個(gè)作開關(guān)管就可以了,開關(guān)管的基極接光耦第4腳,光耦第3腳接地
作者: wulin    時(shí)間: 2020-1-22 09:52
1.用于低頻開關(guān)電路不需要采用圖騰柱驅(qū)動(dòng)，高頻開關(guān)高于10MHz采用圖騰柱驅(qū)動(dòng)才有意義。
2.現(xiàn)在低閾值 MOS管多的很，VGS3~4V就能飽和導(dǎo)通，單片機(jī)IO口直接驅(qū)動(dòng)毫無問題。
作者: lwh999995    時(shí)間: 2020-1-22 15:40
1. R4值太小
2. Q2,Q3互換一下位置
3. Q1控制極最好加穩(wěn)壓管，R1最好并聯(lián)0.1UF以下的電容，要根據(jù)控制頻率選擇
4. R3值不合適，Q2,Q3基極不能懸空
作者: caodongchun8    時(shí)間: 2020-1-24 09:36
為何要推挽輸出？浪費(fèi)了！
場(chǎng)效應(yīng)具有很高的輸入阻抗的，光耦直接帶就可以了，
具體是：光耦發(fā)射極接地，集電級(jí)接R3可10K，直接接場(chǎng)效應(yīng)管控制級(jí)，控制級(jí)要有接地電阻R2可100K，場(chǎng)效應(yīng)后面不變！省掉兩個(gè)三極管和一個(gè)電阻！
作者: TTQ001    時(shí)間: 2020-1-24 12:30
電路有問題。 光耦合器的輸出一側(cè)沒有接地，它是浮地。 不需要推挽驅(qū)動(dòng)器，移除Q3，但使用Q2并將Q2的基極連接到光電耦合器的引腳4。 在Q2的集電極上添加一個(gè)1k歐姆的電阻，并將R1連接到Q2的集電極。 Q2發(fā)射極接地。
當(dāng)光耦合器輸出時(shí)，Q2截止，Q1導(dǎo)通，LED點(diǎn)亮。
當(dāng)光耦合器斷開時(shí)，Q2導(dǎo)通，然后Q1斷開并且LED熄滅。
作者: taotie    時(shí)間: 2020-1-24 17:04
呵呵~~圖騰柱驅(qū)動(dòng)沒問題阿！
作者: w1179benp    時(shí)間: 2020-1-26 11:10
沒看出來Q3如何導(dǎo)通的。你仿真看看，能行嗎？
作者: zouzichun    時(shí)間: 2020-1-26 12:46
推挽電路驅(qū)動(dòng)mos管讓mos管放電更快，，可以啊，挺好，不過也可以簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)
作者: hzbxwzn    時(shí)間: 2020-1-27 00:08
直接用個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)的片子不可以嗎？
作者: lyl44    時(shí)間: 2020-1-27 18:54
樓上的咋想的？這個(gè)是圖騰驅(qū)動(dòng)啊，樓主的電路沒有大問題，檢查一下元件吧。
作者: 鐘志偉    時(shí)間: 2020-1-30 02:34
之前用STM32做直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)用的，弄個(gè)局部圖給你參考參考！

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