標(biāo)題: Multisim仿真驗(yàn)證之二極管的特性參數(shù) [打印本頁]
作者: yongfengxie    時(shí)間: 2020-3-31 19:02
標(biāo)題: Multisim仿真驗(yàn)證之二極管的特性參數(shù)


R1
10%
20%
30%
50%
70%
90%
Vd/mV
299
543
583
608
627
658
Id/mA
0.01
0.1
0.6
1.4
2.8
7.2
rd/Ω
29900
5430
971
434
223
91
表1 二極管正向特性參數(shù)

從仿真數(shù)據(jù)可以看出：二極管電阻值不是固定值，當(dāng)二極管兩端正向電壓小，處于“死區(qū)”，正向電阻很大、正向電流很小，當(dāng)二極管兩端正向電壓超過死區(qū)電壓，正向電流急劇增加，正向電阻也迅速減小，處于“正向?qū)▍^(qū)”。


R1
10%
20%
30%
50%
70%
90%
Vd/mV
19999
39997
59994
99989
100828
101192
Id/mA
0.002
0.004
0.007
0.01
75
281
rd/Ω
9.9E6
9.9E6
8.5E6
9.9E5
1344
360
表1 二極管反向特性參數(shù)

從仿真數(shù)據(jù)可以看出：二極管反向電阻較大，而正向電阻小，故具有單向特性。反向電壓超過一定數(shù)值（VBR），進(jìn)入“反向擊穿區(qū)”，反向電壓的微小增大會(huì)導(dǎo)致反向電流急劇增加。

參考：
http://www.torrancerestoration.com/bbs/dpj-112524-1.html
Multisim模擬電路仿真

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001二極管的特性.pdf (338.55 KB, 下載次數(shù): 9)





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