標題: STM32F4驅(qū)動外部SRAM芯片XM8A51216數(shù)據(jù)手冊下載 [打印本頁]
作者: 英尚微電子    時間: 2020-7-1 15:23
標題: STM32F4驅(qū)動外部SRAM芯片XM8A51216數(shù)據(jù)手冊下載
STM32F407ZGT6自帶了192K字節(jié)的SRAM，對一般應(yīng)用來說，已經(jīng)足夠了，不過在一些對內(nèi)存要求高的場合，STM32F4自帶的這些內(nèi)存就不夠用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太夠用，所以STM32F4開發(fā)板板載了一顆1M字節(jié)容量的SRAM芯片，XM8A51216，滿足大內(nèi)存使用的需求。我們將使用STM32F4來驅(qū)動XM8A51216，實現(xiàn)對XM8A51216的訪問控制。

XM8A51216簡介
XM8A51216是星憶存儲生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節(jié)）容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片。該芯片具有如下幾個特點：
⚫高速。具有最高訪問速度10/12ns。
⚫低功耗。
⚫TTL電平兼容。
⚫全靜態(tài)操作。不需要刷新和時鐘電路。
⚫三態(tài)輸出。
⚫字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。
XM8A51216的功能框圖如圖1所示：



圖1 XM8A51216功能框圖


圖中A0~18為地址線，總共19根地址線（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15為數(shù)據(jù)線，總共16根數(shù)據(jù)線。CEn是芯片使能信號，低電平有效；OEn是輸出使能信號，低電平有效；WEn是寫使能信號，低電平有效；BLEn和BHEn分別是高字節(jié)控制和低字節(jié)控制信號；STM32F4開發(fā)板使用的是TSOP44封裝的XM8A51216芯片，該芯片直接接在STM32F4的FSMC上，XM8A51216原理圖如圖2所示：



圖2 XM8A51216原理圖


從原理圖可以看出，XM8A51216同STM32F4的連接關(guān)系：
A[0:18]接FMSC_A[0:18]（不過順序錯亂了）
D[0:15]接FSMC_D[0:15]
UB接FSMC_NBL1
LB接FSMC_NBL0
OE接FSMC_OE
WE接FSMC_WE
CS接FSMC_NE3
上面的連接關(guān)系，XM8A51216的A[0:18]并不是按順序連接STM32F4的FMSC_A[0:18]，不過這并不影響我們正常使用外部SRAM，因為地址具有唯一性。所以只要地址線不和數(shù)據(jù)線混淆，就可以正常使用外部SRAM。這樣設(shè)計的好處，就是可以方便我們的PCB布線。
規(guī)格書下載
XM8A51216V33(8M).pdf (719.73 KB, 下載次數(shù): 74)



作者: 英尚微電子    時間: 2020-7-2 14:58
XM8A51216是星憶存儲生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節(jié)）容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片。該芯片具有如下幾個特點：
⚫高速。具有最高訪問速度10/12ns。
⚫低功耗。
⚫TTL電平兼容。
⚫全靜態(tài)操作。不需要刷新和時鐘電路。
⚫三態(tài)輸出。
⚫字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。
作者: Nevergp    時間: 2020-12-17 10:44
你用這個內(nèi)存芯片讀寫數(shù)據(jù)正常嗎，我讀寫這個數(shù)據(jù)老是高低字節(jié)反序



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