標(biāo)題: ISSI異步SRAM存儲芯片IS61LV25616AL功能簡介 [打印本頁]
作者: 英尚微電子    時(shí)間: 2020-8-3 15:58
標(biāo)題: ISSI異步SRAM存儲芯片IS61LV25616AL功能簡介
IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量為256Kx 16bits的且引腳功能完全兼容的4Mb的異步SRAM。也是一款大容量且存儲時(shí)間相對較短的存儲器。對其控制要求相對簡單。 由一個(gè)高速、4,194,304 位的靜態(tài)RAM,可組成262,144個(gè)字(16位)。該器件由ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造而成。將這種高可靠性的處理技術(shù)與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，就產(chǎn)生了高性能和低功耗的IS61LV25616AL器件

特性
●高速訪問時(shí)間: 10,12ns
●CMOS低功耗工作
●低等待模式功率:小于CMOS 5mA (典型值)的等待電流
●TTL兼容接口電平
●單個(gè)3.3V電源
●完全靜態(tài)操作:無需時(shí)鐘和刷新
●三態(tài)輸出.
●高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制
●可用的工業(yè)級溫度



IS61LV25616AL存儲器的結(jié)構(gòu)框圖




當(dāng)OE為高電平(不選)時(shí)，器件處于等待模式，功耗隨著CMOS輸入電平-起降低。

芯片使能輸入CE和輸出使能輸入OE可方便實(shí)現(xiàn)存儲器的擴(kuò)展。低電平有效的寫使能( WE )控制著存儲器的寫和讀操作。高字節(jié)(UB)和低字節(jié)(LB )控制信號控制著對數(shù)據(jù)字節(jié)的訪問。

IS61LV25616AL含有以下封裝形式: JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)44腳400-mil SOJ.44腳TSOPTypelI.44 腳LQFP和48腳MiniBGA(8mmX10mm)。

管腳配置



SRAM的主要特性

高速訪問時(shí)間10,12ns ;CMOS低功耗工作;低等待模式功率小于CMOS 5mA典型值的等待電流; TTL兼容接口電平;單個(gè)3.3V 電源;完全靜態(tài)操作無需時(shí)鐘和刷新;三態(tài)輸出;高低字 節(jié)數(shù)據(jù)控制;可用的工業(yè)級溫度SRAM的生產(chǎn)廠商很多，但是所生產(chǎn)的SRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)大同小異




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