標(biāo)題: RYBS3010_ASEMI充電器專用高效率軟橋 [打印本頁(yè)]
作者: 強(qiáng)元芯電子    時(shí)間: 2020-8-15 14:49
標(biāo)題: RYBS3010_ASEMI充電器專用高效率軟橋
RYBS3010_ASEMI充電器專用高效率軟橋-L
產(chǎn)品：RYBS3010
品牌：ASEMI
封裝：TMBF
電流：3A
電壓：1000V
特性：充電器快充橋堆
芯片材質(zhì)：GPP
引腳數(shù)量：4
應(yīng)用范圍：小功率開關(guān)電源，充電器，電源適配器，等相關(guān)電器產(chǎn)品。​
體積小。氮化鎵材料本身優(yōu)異的性能，使得做出來的氮化鎵比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET 等芯片面積更小，同時(shí)由于更耐高壓，大電流，氮化鎵芯片功率密度更大，因此功率密度/面積遠(yuǎn)超硅基。此外由于使用氮化鎵芯片還減少了周邊的其他元件的使用，電容、電感、線圈等被動(dòng)件比硅基方案少得多，也進(jìn)一步縮小了體積。​






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