標題: ​KBP308/​KBP310_ASEMI​氮化鎵快充整流橋 [打印本頁]
作者: 強元芯電子    時間: 2020-8-18 15:54
標題: ​KBP308/​KBP310_ASEMI​氮化鎵快充整流橋
​KBP308/​KBP310_ASEMI​氮化鎵快充整流橋-L
型號：KBP308
品牌：ASEMI
封裝：KBP-4
電流：3A
電壓：800V
芯片材質(zhì)：GPP
芯片個數(shù)：4
正向電壓(VF)：1.05V
芯片尺寸：60 MIL
浪涌電流Ifsm：60A
漏電流(Ir)：500uA
工作溫度：-55~+150℃
恢復(fù)時間(Trr)：500ns
引線數(shù)量：4​
KBP308主要應(yīng)用于小電流領(lǐng)域產(chǎn)品：小功率開關(guān)電源，電源適配器，LED燈整流器，手機充電器，家用小電器等相關(guān)電器產(chǎn)品。本品原裝臺系質(zhì)量，穩(wěn)定性和可靠性好，歡迎咨詢?nèi)訙y試。​

相比傳統(tǒng)充電器，它有哪些優(yōu)勢？
充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多，這意味著它可以隨時間傳導(dǎo)更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片，從而可以更快地進行處理，充電更快。

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