標(biāo)題: GBP408/​GBP410_ASEMI快充充電器橋堆 [打印本頁]
作者: 強(qiáng)元芯電子    時間: 2020-8-18 16:10
標(biāo)題: GBP408/​GBP410_ASEMI快充充電器橋堆
GBP408/​GBP410_ASEMI快充充電器橋堆​-L
型號：GBP408
品牌：ASEMI
封裝：GBP-4
芯片材質(zhì)：GPP
應(yīng)用領(lǐng)域：小功率開關(guān)電源，電源適配器，LED燈整流器，手機(jī)充電器，家用小電器等相關(guān)電器產(chǎn)品。​

相比傳統(tǒng)充電器，它有哪些優(yōu)勢？
1、充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多，這意味著它可以隨時間傳導(dǎo)更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片，從而可以更快地進(jìn)行處理，充電更快。
2、散熱快。氮化鎵與前兩代的半導(dǎo)體相比，禁帶寬度大、導(dǎo)熱系數(shù)更高。而且可在200以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高，能夠?qū)⑦^度充電的可能性最小化。
3、體積小。氮化鎵材料本身優(yōu)異的性能，使得做出來的氮化鎵比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET 等芯片面積更小，同時由于更耐高壓，大電流，氮化鎵芯片功率密度更大，因此功率密度/面積遠(yuǎn)超硅基。此外由于使用氮化鎵芯片還減少了周邊的其他元件的使用，電容、電感、線圈等被動件比硅基方案少得多，也進(jìn)一步縮小了體積。​







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