標(biāo)題:
使用Everspin MRAM的精選案例研究
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作者:
英尚微電子
時(shí)間:
2020-8-28 14:29
標(biāo)題:
使用Everspin MRAM的精選案例研究
Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM、STT-MRAM的翹楚,其市場(chǎng)和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)以及在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。 Everspin MRAM在數(shù)據(jù)中心,云存儲(chǔ),能源,工業(yè),汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)中部署了超過1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品,為全球MRAM用戶奠定了最強(qiáng)大,增長(zhǎng)最快的基礎(chǔ)。Everspin代理英尚微電子本篇文章主要介紹關(guān)于使用Everspin MRAM的精選案例研究。
RAID芯片上日志存儲(chǔ)
戴爾電腦
之所以選擇Everspin MRAM,是因?yàn)镸RAM快速寫入和非易失性支持增強(qiáng)的數(shù)據(jù)中心故障恢復(fù),而無(wú)需耗損均衡或ECC開銷。這減少了系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間,并降低了總擁有成本。
Direct Logic 205 PLC
Koyo Electronics Industries的新Direct Logic
205 PLC利用1Mb Everspin MRAM,可在惡劣環(huán)境下實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)完整性和可靠性,并在斷電時(shí)節(jié)省即時(shí)事件-無(wú)需電池。
工業(yè)級(jí)內(nèi)存模塊
研華PCM-23內(nèi)存
模塊是可選的擴(kuò)展內(nèi)存,用于在事件日志中存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)。為了滿足非易失性存儲(chǔ)器的需求,研華選擇了Everspin 16Mb MRAM,因?yàn)樗峁┝?MB的非易失性,可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ),并具有20年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊
選擇寶馬賽車
Everspin的1000RR超級(jí)摩托車具有AEC-Q100 1級(jí)合格選件的4Mb MRAM,因?yàn)樗鼒?jiān)固耐用,可以在摩托車比賽中遇到的高溫環(huán)境下運(yùn)行,足夠快,可以在比賽中實(shí)時(shí)讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù),但始終非易失性的。
Everspin MRAM的應(yīng)用范圍
•運(yùn)輸
•網(wǎng)絡(luò)與基礎(chǔ)設(shè)施
•智能電表
•物聯(lián)網(wǎng)
•電池管理
•醫(yī)療類
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