標(biāo)題: MSB30M-ASEMI快恢復(fù)軟橋 [打印本頁]
作者: 強(qiáng)元芯電子    時(shí)間: 2020-9-18 14:33
標(biāo)題: MSB30M-ASEMI快恢復(fù)軟橋
編輯-LL
MSB30M-ASEMI快恢復(fù)軟橋
型號(hào)：MSB30M
品牌：ASEMI
封裝：MSB-4
電性參數(shù)：3A 1000V
芯片材質(zhì)：快恢復(fù)芯片
特性：貼片整流橋、快恢復(fù)軟橋
快充整流橋相比傳統(tǒng)充電器，它有哪些優(yōu)勢(shì)？
1、充電。氮化的帶隙比硅高得多，這意味著它可以隨時(shí)間傳導(dǎo)更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片，從而可以更快地進(jìn)行處理，充電更快。






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