標題: ​Everspin MRAM MR25H40VDF替換富士通FRAM MB85RS4MT [打印本頁]
作者: 英尚微電子    時間: 2020-9-28 16:23
標題: ​Everspin MRAM MR25H40VDF替換富士通FRAM MB85RS4MT
Everspin是設計制造MRAM到市場和應用的翹楚，在這些市場和應用中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性是至關重要。MR25H40VDF是一個4194,304位MRAM設備系列，組織為524,288個8位字。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序，它們是理想的內(nèi)存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲并且讀/寫壽命不受限制。與其他串行存儲器不同，使用MR25H40VDF系列，讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機發(fā)生，而寫入之間沒有延遲。

總覽
MR25H40VDF系列是SPI接口MRAM系列，其存儲器陣列使用芯片選擇（CS\），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行串行時鐘（SCK）的四針接口邏輯上組織為512Kx8外設接口（SPI）總線。MRAM實現(xiàn)了SPI EEPROM和SPI Flash組件通用的命令子集。這樣SPI MRAM可以替換同一插槽中的這些組件，并在共享的SPI總線上進行互操作。與其他串行存儲器替代品相比SPI MRAM具有卓越的寫入速度，無限的耐用性，低待機和運行能力以及簡單，可靠的數(shù)據(jù)保留。

MR25H40VDF的優(yōu)點
與富士通FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢：
•更快的隨機訪問操作時間（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和數(shù)據(jù)保留（在125C工作溫度下超過20年）
•無限讀/寫耐久性
•無磨損問題
•掉電時的自動數(shù)據(jù)保護
•競爭定價
•穩(wěn)定的制造業(yè)供應鏈

普通引腳
MR25H40VDF是組織為512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用標稱3.3V電源供電，并且與FRAM兼容。它提供標準的8引腳Small Flag DFN（DF版）和8引腳DFN（DC版），它們具有多種封裝選項，可直接替代SPI-FRAM 8引腳塑料SOP封裝（表格1）。

特性/功能
SPI MRAM (MR2xH40)
SPI F-RAM (MB85RS4MT)
注釋
8-pin DFN裸露金屬PAD
除VSS外，請勿連接其他任何東西
無法使用
MRAM 8引腳DFN封裝的裸露金屬焊盤是NC（無連接）焊盤； 因此，它可以浮置或連接到VSS。 Everspin不建議將MRAM DFN裸露金屬焊盤焊接到PCB上
8-pin 封裝
8-pin DFN (MR2xH40xDC
8-pin DFN (Small Flag)
(MR2xH40xDF)
8-pin plastic SOP
MRAM的8引腳DFN封裝都是引腳兼容的，并且適合Fujitsu 8引腳SOIC封裝。 在大多數(shù)設計中，它們可以放置在標準SOIC尺寸上。 另請參見應用筆記“ EST01253 Everspin的新型2mm裸露焊盤DFN封裝符合SOIC-8和DFN8 PCB布局”

SPI MRAM裸露金屬焊盤未連接至芯片，因此應懸空或連接至Vss。從SPI FRAM遷移時，請確保SPI MRAM DFN和Small Flag DFN封裝的裸露金屬焊盤未焊接在PCB上。這樣做會導致SPI MRAM芯片暴露于過多的熱量中，這可能會導致位故障和裕量損失。


MR25H40VDF規(guī)格書下載
MR25H40.pdf (1.67 MB, 下載次數(shù): 4)


作者: 英尚微電子    時間: 2020-9-28 16:25
MR25H40VDF是組織為512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用標稱3.3V電源供電，并且與FRAM兼容。它提供標準的8引腳Small Flag DFN（DF版）和8引腳DFN（DC版），它們具有多種封裝選項，可直接替代SPI-FRAM 8引腳塑料SOP封裝



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