標題: SYM601-ASEMI小功率MOS管1A 600V [打印本頁]
作者: 強元芯電子 時間: 2020-11-18 14:16
標題: SYM601-ASEMI小功率MOS管1A 600V
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SYM601-ASEMI小功率MOS管1A 600V
ASEMI品牌 MOS管 SYM601 600V MOSFET
型號:SYM601
封裝:SOT-89
漏極電流(VDS):1A
漏源電壓(ID):600V
工作溫度:-55℃~150℃
封裝形式:貼片
種類:場效應(yīng)晶體管/MOSFET/MOS管
品牌:ASEMI
MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中,這個電場使金屬極帶輕微的正電位,P型硅負電位。
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作者: sml008 時間: 2021-3-17 20:21
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