標題: SYM601-ASEMI小功率MOS管​1A 600V [打印本頁]
作者: 強元芯電子    時間: 2020-11-18 14:16
標題: SYM601-ASEMI小功率MOS管​1A 600V
編輯：LL
SYM601-ASEMI小功率MOS管​1A 600V​
ASEMI品牌 MOS管 SYM601 600V MOSFET
型號：SYM601
封裝：SOT-89
漏極電流（VDS）：1A
漏源電壓（ID）：600V
工作溫度：-55℃~150℃
封裝形式：貼片
種類：場效應(yīng)晶體管/MOSFET/MOS管
品牌：ASEMI
MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。


作者: sml008    時間: 2021-3-17 20:21
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