標(biāo)題: MOS降低發(fā)熱功耗 除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內(nèi)阻可以... [打印本頁]
作者: QWE4562012    時間: 2020-11-23 11:56
標(biāo)題: MOS降低發(fā)熱功耗 除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內(nèi)阻可以...
MOS降低發(fā)熱功耗  除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內(nèi)阻可以減小，不過好像會影響同步的開關(guān)速度。不同步開關(guān)的話MOS可能就燒了

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MOS降低功耗.jpg
作者: hcfat51h    時間: 2020-11-23 16:42
還有零電壓關(guān)斷或零電流關(guān)斷
作者: gaoguodong93    時間: 2020-11-23 17:04
增加開關(guān)速度可以減少開關(guān)損耗
作者: gaoguodong93    時間: 2020-11-23 17:04
減少開關(guān)損耗
作者: QWE4562012    時間: 2020-11-23 18:15
hcfat51h 發(fā)表于 2020-11-23 16:42
還有零電壓關(guān)斷或零電流關(guān)斷

如何實現(xiàn)
作者: cccc888    時間: 2020-11-23 18:58
zvs，zcs 電源可以，電機(jī)驅(qū)動不了解
作者: 張?zhí)鞄?nbsp;   時間: 2020-11-23 20:14
提升驅(qū)動電壓和電流，開關(guān)頻率盡可能降到能接受的范圍
作者: wwbiu    時間: 2020-11-24 10:35
張?zhí)鞄?發(fā)表于 2020-11-23 20:14
提升驅(qū)動電壓和電流，開關(guān)頻率盡可能降到能接受的范圍

開關(guān)頻率增加才對，用16KHz , 調(diào)節(jié)占空比控制電流，占空比不能超過80%
作者: wang505200630    時間: 2020-11-24 11:18
試試可不可以搞成同步整流之類的，可以減小損耗，不過導(dǎo)通損耗不會減少
作者: HAPPY3    時間: 2021-11-24 17:18
加散熱器
作者: fishafish    時間: 2024-7-6 21:03
并聯(lián)同時要增加驅(qū)動芯片
作者: aqun    時間: 2024-7-7 19:20
實現(xiàn)ZVS 零電壓關(guān)斷，是可以減少功耗的
作者: wufa1986    時間: 2024-7-8 08:24
只能改善驅(qū)動和散熱，這個內(nèi)阻已經(jīng)很低了
作者: TTQ001    時間: 2024-7-8 09:10
選擇具有更高電流額定值和更低導(dǎo)電Rds的MOSFET。
作者: ZSJM    時間: 2024-7-8 09:40
并聯(lián)管子, 主要還是單個管子的允許功耗是有限的,  

多個管子的散熱的成本要低于單個管子(總功耗相同的情況下) 單個管子熱量如果傳導(dǎo)出去,溫升會超標(biāo).每個封裝,它的導(dǎo)熱系數(shù),導(dǎo)熱面積是有限的.

D2-PAD封裝, 熱阻大概是40~60度/W.  如果功耗是2W, 單個管子就超標(biāo)了,2個管子,每個管子功耗就是原來的一半.溫升就在使用范圍內(nèi).
有條件,選擇TO-220類的封裝,容易另加散熱片,減小熱阻.當(dāng)然要看產(chǎn)品允許空間.
降低功耗, 如改變開關(guān)頻率, 改善開關(guān)管開關(guān)速度, 實際大部分成熟的電路,改善余度有限. 這也就是實際使用中,普遍使用管子子并聯(lián).





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