標(biāo)題: GBL806-ASEMI​品牌氮化鎵快充整流橋​ [打印本頁(yè)]
作者: 強(qiáng)元芯電子    時(shí)間: 2020-11-30 17:50
標(biāo)題: GBL806-ASEMI​品牌氮化鎵快充整流橋​
編輯：LL
GBL806-ASEMI​品牌氮化鎵快充整流橋​
ASEMI品牌氮化鎵快充整流橋 GBL806/ GBL-4 插件封裝
型號(hào)：GBL806
品牌：ASEMI
封裝：GBL-4
正向電流：8A
反向電壓：600V
芯片個(gè)數(shù)：4
芯片材質(zhì)：GPP
工作溫度：-50℃~150℃
封裝形式：插件
GBL806-ASEMI品牌氮化鎵快充整流橋采用氮化鎵材料，相比傳統(tǒng)充電器，散熱快。氮化鎵與前兩代的半導(dǎo)體相比，禁帶寬度大、導(dǎo)熱系數(shù)更高。而且可在200以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高。散熱快。氮化鎵與前兩代的半導(dǎo)體相比，禁帶寬度大、導(dǎo)熱系數(shù)更高。






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