標(biāo)題: 低于大氣壓的化學(xué)氣相沉積-SACVD [打印本頁(yè)]

作者: jfkj2020    時(shí)間: 2021-1-6 11:11
標(biāo)題: 低于大氣壓的化學(xué)氣相沉積-SACVD
用于制造微電子器件的薄膜都是使用某種沉積技術(shù)形成的,該術(shù)語(yǔ)是指在基板上形成沉積物。在半導(dǎo)體器件制造中,以下沉積技術(shù)(及其常用的縮寫)為:
低壓化學(xué)氣相沉積-LPCVD
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積-PECVD
低于大氣壓的化學(xué)氣相沉積-SACVD
大氣壓化學(xué)氣相沉積-APCVD
原子層沉積-ALD
物理氣相沉積-PVD
超高真空化學(xué)氣相沉積-UHV-CVD
類金剛石碳-DLC
商業(yè)電影-CF
外延沉積-Epi

薄膜沉積(1月6).docx

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用于制造微電子器件的薄膜都是使用某種沉積技術(shù)形成的,該術(shù)語(yǔ)是指在基板上形成沉積物。在半導(dǎo)體器件制造中 ...






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