標(biāo)題: STC15F2K60S2的EEPROM使用心得 [打印本頁(yè)]
作者: Yuhun_Shen    時(shí)間: 2021-3-16 14:52
標(biāo)題: STC15F2K60S2的EEPROM使用心得
本帖最后由 Yuhun_Shen 于 2021-3-16 15:59 編輯

       最近用到了STC15F2K60S2的EEPROM，用來(lái)存儲(chǔ)一些需要掉電保存的數(shù)據(jù)�？戳艘幌鹿俜降氖謨�(cè)和例程，例程提供了寫(xiě)1個(gè)字節(jié)函數(shù)void IapProgramByte(WORD addr, BYTE dat)，讀1個(gè)字節(jié)函數(shù)BYTE IapReadByte(WORD addr)，擦除扇區(qū)函數(shù)void IapEraseSector(WORD addr)，例程中是按扇區(qū)來(lái)操作的，1個(gè)扇區(qū)=256個(gè)字節(jié)，EEPROM的存儲(chǔ)空間只有1K，若按扇區(qū)操作只能存儲(chǔ)2個(gè)數(shù)據(jù)，所以我采用按地址操作。讀完例程發(fā)現(xiàn)只需要用到兩個(gè)函數(shù)：寫(xiě)一個(gè)字節(jié)函數(shù)和讀一個(gè)字節(jié)函數(shù)，然后我就開(kāi)始寫(xiě)函數(shù)測(cè)試了。然后......發(fā)現(xiàn)讀取的值和寫(xiě)入的值不一樣，經(jīng)過(guò)多次測(cè)試發(fā)現(xiàn)每個(gè)地址第一次寫(xiě)入額值能成功讀取出來(lái)，之后寫(xiě)入的值就不行了。繼續(xù)翻手冊(cè)讀例程，發(fā)現(xiàn)在每次寫(xiě)入數(shù)據(jù)之前需要先擦除數(shù)據(jù)，那就先擦除再寫(xiě)入。然后新的問(wèn)題又來(lái)了，我是按地址操作的，官方提供的擦除函數(shù)是按扇區(qū)操作的，一擦256個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)全沒(méi)了.......
      對(duì)此我想了三個(gè)方法：
      1.在電路板上增加掉電檢測(cè)電路，電源關(guān)閉時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)保存。但我的電路板已經(jīng)做好了沒(méi)法改了；
      2.實(shí)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，這個(gè)方法消耗單片機(jī)性能，而且EEPROM擦寫(xiě)次數(shù)是有限的，不建議用；
      3.數(shù)據(jù)有變化進(jìn)行存儲(chǔ)，不變化不存儲(chǔ)。
綜合來(lái)看方法3是最合適的,于是乎我又改了一下程序，單片機(jī)上電后讀出EEPROM里的所有數(shù)據(jù)，當(dāng)有數(shù)據(jù)變化后就把所有數(shù)據(jù)寫(xiě)入EEPROM。經(jīng)過(guò)測(cè)試這個(gè)方法非常好




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作者: 人人學(xué)會(huì)單片機(jī)    時(shí)間: 2021-3-16 16:38
EEPROM  先讀出來(lái)N字節(jié)   緩存 ，然后擦除整個(gè)扇區(qū)512字節(jié)    然后再重新寫(xiě)進(jìn)去N字節(jié)
作者: wulin    時(shí)間: 2021-3-16 17:26
一個(gè)扇區(qū)512個(gè)字節(jié)不是256個(gè)字節(jié)。按地址修改某一個(gè)數(shù)據(jù)前要先把這個(gè)扇區(qū)的有效數(shù)據(jù)讀出另存，改好另存的數(shù)據(jù)再刪除整個(gè)扇區(qū)，把另存的數(shù)據(jù)存回去。
作者: Yuhun_Shen    時(shí)間: 2021-3-17 11:33
wulin 發(fā)表于 2021-3-16 17:26
一個(gè)扇區(qū)512個(gè)字節(jié)不是256個(gè)字節(jié)。按地址修改某一個(gè)數(shù)據(jù)前要先把這個(gè)扇區(qū)的有效數(shù)據(jù)讀出另存，改好另存的數(shù) ...

失誤，寫(xiě)成256了



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