標(biāo)題:
功率MOS體二極管通流能力與發(fā)熱問題
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作者:
mayouzhen2008
時(shí)間:
2021-6-1 09:18
標(biāo)題:
功率MOS體二極管通流能力與發(fā)熱問題
器件手冊(cè)中體二極管的通流能力是和MOS本身通流能力相同，但同樣的電流，器件發(fā)熱情況是否一樣？用其體二極管作為電流通道會(huì)存在什么弊端？
作者:
dbxzjq
時(shí)間:
2021-6-1 11:46
發(fā)熱這個(gè)情況,看MOS管的內(nèi)阻,如果作為純開關(guān)使用,選用更低內(nèi)阻的MOS,二極管一般只作保護(hù)作用,也可以使用外接二極管的方式,如果作為線性調(diào)整管,發(fā)熱也是肯定的,壓降越大,發(fā)熱會(huì)更嚴(yán)重
作者:
MJZJ
時(shí)間:
2021-8-11 17:35
首先MOSFET規(guī)格書里面講的通流能力與提二極管一樣，那個(gè)在理想條件下，散熱面積很大的情況，實(shí)際要看你成品下的散熱條件，如果你說你的散熱條件很好，那提二極管確實(shí)通流能力很強(qiáng)
作者:
lfc315
時(shí)間:
2021-8-12 10:27
正常導(dǎo)通時(shí)壓降很小，發(fā)熱應(yīng)該不太明顯；
只是體二極管導(dǎo)通時(shí)，通常壓降大于0.7V，這時(shí)候發(fā)熱應(yīng)該就比較劇烈了。
作者:
wskufo
時(shí)間:
2021-8-12 13:13
MOS管導(dǎo)通壓降明顯低于二極管，低壓大電流的開關(guān)電源用mos管同步整流，降低溫度與功耗。
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