標(biāo)題: EMI501HB08PM45I異步低功耗SRAM可兼容IS63WV1288DBLL-8TLI [打印本頁(yè)]
作者: 英尚微電子    時(shí)間: 2021-6-16 17:20
標(biāo)題: EMI501HB08PM45I異步低功耗SRAM可兼容IS63WV1288DBLL-8TLI
在過(guò)去的幾十年中，SRAM領(lǐng)域已劃分為兩個(gè)不同的產(chǎn)品系列,快速和低功耗，每個(gè)產(chǎn)品都有自己的功能，應(yīng)用程序和價(jià)格。使用SRAM的設(shè)備需要它的高速性或低功耗性，但不能同時(shí)兼顧兩者。但是人們?cè)絹?lái)越需要具有低功耗的高性能設(shè)備，以便在依靠便攜式電源運(yùn)行時(shí)執(zhí)行復(fù)雜的操作。這種需求由新一代設(shè)備和手持設(shè)備，消費(fèi)電子產(chǎn)品和通信系統(tǒng)及工業(yè)控制器推動(dòng)，而這些都由物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動(dòng)。

下面介紹一款可兼容IS63WV1288DBLL-8TLI的國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI501HB08PM45I。

EMI501HB08PM45I描述
EMI501HB08PM45I異步低功耗SRAM由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。位寬128k x 8bit，支持工業(yè)溫度范圍，工作輸出電壓為4.5V〜5.5V，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的靈活性設(shè)計(jì)。還支持低數(shù)據(jù)保留電流的電池備份操作的低數(shù)據(jù)保留電壓。

EMI501HB08PM45I特征
•工藝技術(shù)：90nm全CMOS
•組織：128k x 8bit
•電源電壓：4.5V〜5.5V
•三種狀態(tài)輸出和TTL兼容
•標(biāo)準(zhǔn)32SOP.
•工業(yè)運(yùn)行溫度。

低功耗SRAM存儲(chǔ)器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的一種類別，SRAM作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲(chǔ)器占據(jù)芯片的功耗比例越來(lái)越大，高速低功耗的SRAM設(shè)計(jì)變得越來(lái)越重要。




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