標(biāo)題: MBR60100PT-ASEMI大電流肖特基 [打印本頁]
作者: 強(qiáng)元芯電子    時間: 2021-11-5 10:46
標(biāo)題: MBR60100PT-ASEMI大電流肖特基
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MBR60100PT-ASEMI大電流肖特基MBR60100PT
型號：MBR60100PT
品牌：ASEMI
封裝：TO-247
電性參數(shù)60A 100V
正向電流：60A
反向耐壓：100V
引腳數(shù)量：3
芯片個數(shù)：2
芯片尺寸：150MIL
封裝尺寸：如圖
特性：大電流、肖特基
浪涌電流：500A
工作溫度：-65~+175℃
肖特基原理：
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運動。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴(kuò)散運動而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運動達(dá)到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
ASEMI全系列封裝圖





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