標(biāo)題: 7N60-ASEMI高壓MOS管7N60 [打印本頁]
作者: 強(qiáng)元芯電子    時(shí)間: 2022-6-18 11:31
標(biāo)題: 7N60-ASEMI高壓MOS管7N60
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7N60-ASEMI高壓MOS管7N60
型號(hào)：7N60
品牌：ASEMI
封裝：TO-220AB
最大漏源電流：7A
漏源擊穿電壓：600V
RDS（ON）Max：1.2Ω
引腳數(shù)量：3
溝道類型：N溝道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏電流：
恢復(fù)時(shí)間：5ns
芯片材質(zhì)：
封裝尺寸：如圖
特性：高壓MOS管
工作結(jié)溫：-55℃~150℃
7N60場效應(yīng)管
7N60的電性參數(shù)：最大漏源電流7A；漏源擊穿電壓600V






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