標(biāo)題: 7N65-ASEMI高壓MOS管7N65 [打印本頁]
作者: 強(qiáng)元芯電子    時(shí)間: 2022-6-18 14:16
標(biāo)題: 7N65-ASEMI高壓MOS管7N65
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7N65-ASEMI高壓MOS管7N65
型號(hào)：7N65
品牌：ASEMI
封裝：TO-22AB
最大漏源電流：7A
漏源擊穿電壓：650V
RDS（ON）Max：1.35Ω
引腳數(shù)量：3
芯片個(gè)數(shù)：
溝道類型：N溝道MOS管
漏電流：ua
特性：N溝道MOS管、場(chǎng)效應(yīng)管
工作溫度：-55℃~150℃
備受歡迎的7N65 MOS管
  ASEMI品牌7N65是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了7N65的最大漏源電流7A，漏源擊穿電壓650V.
•細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距
7N65,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產(chǎn)品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強(qiáng)。
7N65具體參數(shù)為：最大漏源電流：7A，漏源擊穿電壓：650V，反向恢復(fù)時(shí)間： ns，封裝：TO-220AB

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