標題: A0D3400 mos管燒壞,是電流過大? [打印本頁]
作者: Tobby    時間: 2022-7-26 10:02
標題: A0D3400 mos管燒壞,是電流過大?
MOS管用的是A0D3400 ,電路以及規(guī)格參數如下，負載最高電流2.6A，使用一個星期后出現2臺mos燒壞，懷疑是電流過大（優(yōu)信上買的是圖標這款），但規(guī)格書能過4a,現在準備換成252封裝的mos,但想找出原因，有沒有人遇到過這問題




作者: Tobby    時間: 2022-7-26 10:04

作者: 一夜暴富    時間: 2022-7-26 11:24
或許沒加續(xù)流二極管保護？斷電的時候燒掉了？
下拉按照貼吧大佬各位說的換成100K試試？其他確實看不出問題
作者: man1234567    時間: 2022-7-26 12:04
某一個寶上很多器件都標“國產小芯片”、“國產大芯片”、“進口原裝”而且價格不一樣，不排除有忽悠的成份，但萬一是有些道理呢 ？
作者: Tobby    時間: 2022-7-26 13:42
一夜暴富 發(fā)表于 2022-7-26 11:24
或許沒加續(xù)流二極管保護？斷電的時候燒掉了？
下拉按照貼吧大佬各位說的換成100K試試？其他確實看不出問題

正常工作時燒掉，負載是電阻絲發(fā)熱線，應該不是反向電動勢導致燒壞
作者: 一夜暴富    時間: 2022-7-26 13:51
Tobby 發(fā)表于 2022-7-26 13:42
正常工作時燒掉，負載是電阻絲發(fā)熱線，應該不是反向電動勢導致燒壞

靠PWM驅動內阻太大了？我也不是很了解
艾特大佬來看看吧
作者: ly1972001    時間: 2022-7-26 15:08

作者: dj3365191    時間: 2022-7-26 15:41
選MOS管的電流參數通常要比實際工作電流大10倍使用才安全可靠
作者: lids    時間: 2022-7-26 15:54
Tobby 發(fā)表于 2022-7-26 13:42
正常工作時燒掉，負載是電阻絲發(fā)熱線，應該不是反向電動勢導致燒壞

電阻絲冷阻值比熱阻值小很多，可能是這個問題
作者: Y_G_G    時間: 2022-7-26 16:12
就是燒壞的,熱壞的
因為你用的是PWM,MOS管的G極是有結電容的,對于PWM信號來說,就相當于一個電阻,這個電阻會把G極電壓拉低,讓MOS管不能完全導通,MOS管的電阻就加大了,發(fā)熱量也就大了
你可以在加熱的時候用紅外槍測量一下MOS的溫度
看一下你PWM信號的能力,把R19改到最小,或者把驅動電壓改到10V
AO3400我經常用,持續(xù)5A電流隨便工作,不會是電流的問題,是你驅動的問題
作者: shengzhen2007    時間: 2022-7-26 16:50

就是燒壞的,熱壞的低,
1）MOS管工作在不能完全導通,MOS管的導通內阻變大,發(fā)熱量也就大。
2）PWM驅動MOS管的能力不足，R19去掉；
3）輸出的負載接de是什么。
作者: Tobby    時間: 2022-7-26 17:17
Y_G_G 發(fā)表于 2022-7-26 16:12
就是燒壞的,熱壞的
因為你用的是PWM,MOS管的G極是有結電容的,對于PWM信號來說,就相當于一個電阻,這個電阻 ...

嗯，應該是熱壞的，附近電源DC部分加了個ss34做防反接處理，發(fā)熱嚴重涂得熱熔膠都融了，去掉后mos沒這么燙
另外，PWM程序上僅做開關處理，90%和0輸出，I0輸出電壓3.3/0，電阻R19改板的話直接去掉得了
作者: wulin    時間: 2022-7-26 17:19
電路圖沒有什么問題，如果單片機電源電壓是5V，可以用252封裝的AOD442或SUD50N06，IO口設置推挽模式，R19改10歐或不用。主要問題是PWM驅動能力不足，MOS管功耗大造成燒管。
作者: Tobby    時間: 2022-7-26 17:22
ly1972001 發(fā)表于 2022-7-26 15:08

他數據手冊上寫也是5.8a，尷尬，不應該看他這手冊的
作者: Tobby    時間: 2022-7-26 17:26
shengzhen2007 發(fā)表于 2022-7-26 16:50
就是燒壞的,熱壞的低,
1）MOS管工作在不能完全導通,MOS管的導通內阻變大,發(fā)熱量也就大。
2）PWM驅動MOS ...

嗯嗯，改板把限流電阻去掉，負載接的是硅膠發(fā)熱線，也就是電阻絲
作者: Tobby    時間: 2022-7-26 17:28
man1234567 發(fā)表于 2022-7-26 12:04
某一個寶上很多器件都標“國產小芯片”、“國產大芯片”、“進口原裝”而且價格不一樣，不排除有忽悠的成份 ...

現在信了，還是直接找供應商保障
作者: Tobby    時間: 2022-7-26 17:37
wulin 發(fā)表于 2022-7-26 17:19
電路圖沒有什么問題，如果單片機電源電壓是5V，可以用252封裝的AOD442或SUD50N06，IO口設置推挽模式，R19改 ...

嗯嗯，IO輸出3.3vde
作者: Y_G_G    時間: 2022-7-26 17:40
Tobby 發(fā)表于 2022-7-26 17:22
他數據手冊上寫也是5.8a，尷尬，不應該看他這手冊的

這個數據手冊是沒有問題的呀,人家就一開店的,你以為個個都是科班出身的呀,我?guī)啄昵熬鸵恢痹谶@家店買元件,因為都在深圳,有時候幾個小時就到了
幾年前這家店的STC單片機都是"全新原裝進口"的,可能是進口這個宣傳口號好用吧,19年開始芯片缺貨之后就沒有這個"全新原裝進口"了,可能是營銷,也可能是經營中有那么幾個科班的吧
這個型號的MOS管3.5A持續(xù)電流是不會有問題的,我一直買的就是這個店的這個型號
2.5A只是一個相對安全的工作電流而已
你是PWM控制就是另外一回事了
作者: Y_G_G    時間: 2022-7-26 17:44
Tobby 發(fā)表于 2022-7-26 17:17
嗯，應該是熱壞的，附近電源DC部分加了個ss34做防反接處理，發(fā)熱嚴重涂得熱熔膠都融了，去掉后mos沒這么 ...

要么是提高驅動電壓,不過,一般的PWM信號都是單片機的
要么是把串聯(lián)的驅動電阻減小,個人感覺是把電阻減小,位置可以留著
作者: Tobby    時間: 2022-7-26 20:52
Y_G_G 發(fā)表于 2022-7-26 17:44
要么是提高驅動電壓,不過,一般的PWM信號都是單片機的
要么是把串聯(lián)的驅動電阻減小,個人感覺是把電阻減小 ...

把電阻改為15R，mos管還是有點燙，買了 UMW 的 3400，回來全部更換，不排除樓上說的國產的電流不夠問題
，有沒有其他sot23的mos推薦
作者: Y_G_G    時間: 2022-7-26 21:23
Tobby 發(fā)表于 2022-7-26 20:52
把電阻改為15R，mos管還是有點燙，買了 UMW 的 3400，回來全部更換，不排除樓上說的國產的電流不夠問題
...

SOT23封裝MOS管電流大多都是在5A左右的,你就是換了也是好不好多少的
AO3400算是內阻比較小的了
不行的話,就得用高電壓驅動了
你不是有12V電源嘛,搞個10V驅動試一下就知道了
作者: Tobby    時間: 2022-7-27 01:18
找到問題所在，驅動電壓3.3v,Id輸出2A,負載2.6A，所以mos還是會發(fā)燙





作者: Tobby    時間: 2022-7-27 01:25
將驅動電壓轉換成5v驅動，減去三級管壓降也就是4.3v,這樣就可以讓mos輸出4A電流了

作者: wulin    時間: 2022-7-27 07:10
Tobby 發(fā)表于 2022-7-27 01:25
將驅動電壓轉換成5v驅動，減去三級管壓降也就是4.3v,這樣就可以讓mos輸出4A電流了

樓主對21樓建議的理解有失偏頗。高頻PWM驅動MOS管，MOS管功耗主要發(fā)生在ton和toff兩個時段，提高MOS管開關速度是降低功耗的主要手段。3.3V改為4.3V驅動也不會有明顯改觀。飽和導通電阻相差幾毫歐不會起什么明顯降耗作用。

作者: Y_G_G    時間: 2022-7-27 08:05
Tobby 發(fā)表于 2022-7-27 01:25
將驅動電壓轉換成5v驅動，減去三級管壓降也就是4.3v,這樣就可以讓mos輸出4A電流了

24#已經給你解釋了,我就不復制了
并不是說3.3V不能完全導通就不能用大電流,
你試著給一個3.3V的高平一直供電,你看一下MOS管溫度高不高
再對比一下用3.3V,90%占空比供電,你再看一下MOS此時的溫度,十有八九是比高電平供電的溫度高的
這個店的這個型號MOS,我買了幾百個,一直在用,但都是開和關而已,5A以下電流從不考慮溫度的,以前是8051驅動,現在是STM32驅動,一直都沒有問題的
作者: Tobby    時間: 2022-7-27 11:23
wulin 發(fā)表于 2022-7-27 07:10
樓主對21樓建議的理解有失偏頗。高頻PWM驅動MOS管，MOS管功耗主要發(fā)生在ton和toff兩個時段，提高MOS管開 ...

嗯，學到了，謝謝
作者: Tobby    時間: 2022-7-27 11:24
Y_G_G 發(fā)表于 2022-7-27 08:05
24#已經給你解釋了,我就不復制了
并不是說3.3V不能完全導通就不能用大電流,
你試著給一個3.3V的高平一 ...

好的，現在直接做開關處理了
作者: sttt300    時間: 2022-7-27 17:00
量一下MOS管G極在PWM模式下的波形，看看還是不是標準方波
如果波形明顯失真，就是驅動能力不足，引起MOS發(fā)燙
除了R19改成10歐外，還可以加圖騰柱電路增加驅動能力
作者: yueguang3048    時間: 2022-7-27 18:48
1。發(fā)熱來自兩點導通發(fā)熱和開關發(fā)熱，導通發(fā)熱的話，按照你的規(guī)格書計算與環(huán)境溫差會有19℃左右；開關發(fā)熱你得自己找公式算算。
2.這個芯片參差不齊，得看實際用的哪款芯片，或者給個10V電壓，根據發(fā)熱大概推一下內阻。

Y_G_G說的方法不錯，改變占空比，測芯片溫度。

常開常關的話，這個芯片溫度不會很高的。
作者: yzwzfyz    時間: 2022-7-28 09:35
如果猜的不錯的話。負載是感性的。
建議在1+、1-之間加一個續(xù)流二極管。
作者: zjh135    時間: 2022-7-28 16:10
換成雙MOS管
作者: Tobby    時間: 2022-8-2 13:38
更換A0D3400A目前一切正常，下面是備用方案，比較保障點，感謝樓上各位的幫忙

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1.png
作者: Tobby    時間: 2022-8-5 17:24
Tobby 發(fā)表于 2022-8-2 13:38
更換A0D3400A目前一切正常，下面是備用方案，比較保障點，感謝樓上各位的幫忙

備用方案測試，取消R22后mos基本上不發(fā)熱，算是解決了發(fā)熱問題
作者: TTQ001    時間: 2022-8-7 09:04
MOSFET的額定電流不夠大。 電阻加熱器從低溫啟動時具有浪涌作用。 因此，MOSFET 的額定電流應該比預期的大得多。
作者: Tobby    時間: 2022-8-7 12:22
本帖最后由 Tobby 于 2022-8-7 20:03 編輯

雙IO控制，防止HEAT_PWM 失效（之前項目出現過IO失效），不知道還有沒有更好的方案，可以推薦下

作者: Tobby    時間: 2022-8-7 12:23
TTQ001 發(fā)表于 2022-8-7 09:04
MOSFET的額定電流不夠大。 電阻加熱器從低溫啟動時具有浪涌作用。 因此，MOSFET 的額定電流應該比預期的大 ...

嗯嗯，是的，只是成本上會高點
作者: coody_sz    時間: 2022-8-7 15:38
一般是過流或過壓燒壞。示波器看看GS電壓是否變化緩慢，如是，則MOSFET飽和、截止不夠迅速，損耗大，發(fā)熱嚴重，熱壞了。如果負載有感性，則會有反電動勢，所以負載要并聯(lián)一個快速二極管抑制反電動勢。
作者: xiaohaibo81    時間: 2022-8-16 10:35
這個問題我剛好遇到過，用PWM控制的話，那個頻率很重要。一般的MOS管只能低頻驅動，用高頻驅動就會燒MOS管。
作者: coody_sz    時間: 2022-8-16 12:00
xiaohaibo81 發(fā)表于 2022-8-16 10:35
這個問題我剛好遇到過，用PWM控制的話，那個頻率很重要。一般的MOS管只能低頻驅動，用高頻驅動就會燒MOS管 ...

那得看你的驅動能力。比如用于驅動小四軸的空心杯電機，用超過20KHz的PWM沒有任何問題。
但是IO直接驅動TO252或更大的MOSFET，由于電流不夠，PWM頻率高時，GS電壓變化緩慢，MOSFET損耗很大，會燒的。
作者: linlll    時間: 2022-8-16 12:53
簡單的來說就是開和關的那一瞬間
作者: xiaohaibo81    時間: 2022-8-17 08:29
coody_sz 發(fā)表于 2022-8-16 12:00
那得看你的驅動能力。比如用于驅動小四軸的空心杯電機，用超過20KHz的PWM沒有任何問題。
但是IO直接驅動 ...

那就得換一個高頻BOM管了，那你那個MOS不行。



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