標(biāo)題: PMOS管導(dǎo)通問(wèn)題 [打印本頁(yè)]
作者: 李冬    時(shí)間: 2022-8-31 15:42
標(biāo)題: PMOS管導(dǎo)通問(wèn)題
如圖，PMOS導(dǎo)通時(shí)，后面大電容充電，電流大，對(duì)PMOS和對(duì)輸入電源，不好。
如果在MOS的GS之間并聯(lián)電容，讓MOS緩慢導(dǎo)通，是在Q777還是Q10的并聯(lián)電容？并多大的電容？這樣的話，會(huì)不會(huì)增加MOS的開(kāi)通和關(guān)斷損耗。

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作者: univers    時(shí)間: 2022-8-31 16:08
2000uf不蒜太大，你前面并了電容，導(dǎo)通時(shí)一樣發(fā)熱的。還不如不加，因?yàn)閷?dǎo)通時(shí)MOS的內(nèi)阻才幾毫歐。
作者: munuc_w    時(shí)間: 2022-8-31 16:21
mos管在沒(méi)有完全導(dǎo)通的情況下，導(dǎo)通電阻值很大，在大電流下要發(fā)熱的。應(yīng)該在24V主回路想辦法，如串適當(dāng)限流電阻，在適當(dāng)時(shí)機(jī)用繼電器短掉，如果主MOS管不怕熱，就隨意了。
作者: yzwzfyz    時(shí)間: 2022-8-31 17:35
用程序在IO2上做文章。
作者: xiaohaibo81    時(shí)間: 2022-9-1 08:16
你這個(gè)C5大電容放在前面就不會(huì)有這個(gè)問(wèn)題了，濾波效果一樣的呀。
作者: 1109    時(shí)間: 2022-9-1 08:25
可以這么做，我們以前做主板都是用這種電路。
我記得這個(gè)電容當(dāng)時(shí)加的好像有10nF那么大。
作者: linlll    時(shí)間: 2022-9-1 10:20
Q10的GS電容不止會(huì)增大開(kāi)關(guān)損耗，對(duì)開(kāi)關(guān)的速度也影響很大，100k的下拉 電容大了 關(guān)不死都有可能。
作者: linlll    時(shí)間: 2022-9-1 10:43
Q10的GS電容不但會(huì)增大開(kāi)關(guān)損耗，對(duì)開(kāi)關(guān)速度也影響很大，100k下拉 電容大了關(guān)不死都有可能，串0Ω電阻不合適，可能會(huì)導(dǎo)致自激，R22與R19分壓得4.5v即可2.5v也行，R13的存在，DS之間并沒(méi)有多大電流，Q10不用去考慮導(dǎo)通內(nèi)阻。Q777的GS電容，由于R13的存在  此電容并沒(méi)有什么用，要去掉，會(huì)有副作用。當(dāng)Q777導(dǎo)通那一瞬間，R11與R12分壓得S＞G12v，它已經(jīng)是完全導(dǎo)通，內(nèi)阻很小。給C5充電的涌電流 mos是可以承受的，它不能承受的是電壓，電壓高了就是瞬間擊穿。實(shí)在不放心你可以在D極和C5之間串個(gè)電阻，計(jì)算負(fù)載功率之后決定這個(gè)電阻大小，總的一句話，場(chǎng)效應(yīng)管的GS之間 打死不要去并電容。



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