標(biāo)題: 過壓檢測電路分析 [打印本頁]

作者: 李冬    時(shí)間: 2022-9-6 08:44
標(biāo)題: 過壓檢測電路分析
這兩種電路有什么優(yōu)缺點(diǎn),能不能再簡化。圖中三極管換成MOS管可以嗎,圖中是電壓超過12V就導(dǎo)通Q2,想讓電壓超過0.5V就導(dǎo)通,怎么改。

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圖1

圖1

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圖2

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作者: xiaohaibo81    時(shí)間: 2022-9-6 10:36
換NMOS沒有問題的。
作者: coody_sz    時(shí)間: 2022-9-6 13:27
用個(gè)比較器或運(yùn)放吧。三極管要0.6V以上才導(dǎo)通,MOSFET電壓更高,并且簡單應(yīng)用時(shí)電壓精度太差了。
作者: yzwzfyz    時(shí)間: 2022-9-7 10:52
1、換成MOS不行,因?yàn)镸OS的導(dǎo)通電壓不是0.7V。這里0.7V與穩(wěn)壓管共同決定了穩(wěn)壓值。
2、建議用板凳的方式做。
作者: fj51hei    時(shí)間: 2022-9-13 19:39
用MEG2808  MCU電壓檢測芯片,SOT23-3  0.2-0.3元
作者: 老愚童63    時(shí)間: 2022-9-14 07:32
MOS管導(dǎo)通電壓明顯比三極管要高的多!所以,換MOS管不能實(shí)現(xiàn)你這個(gè)電路的功能。除非采用板凳的方法,另外設(shè)計(jì)檢測電路




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