標(biāo)題:
開關(guān)電源的MOS管選型問題,決定MOS管開關(guān)頻率 的有哪些 參數(shù)
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作者:
李冬
時間:
2022-9-9 08:04
標(biāo)題:
開關(guān)電源的MOS管選型問題,決定MOS管開關(guān)頻率 的有哪些 參數(shù)
MOS管的耐壓和電流怎么選,為什么IGBT的頻率沒有MOS管高，關(guān)鍵是什么參數(shù)造成的
作者:
風(fēng)之痕于夢想
時間:
2022-9-11 10:48
mos耐壓需要兩倍以上，電流按管子標(biāo)的5分之1算。
作者:
一事無成
時間:
2022-9-11 21:57
IGBT有拖尾電流,聽說是因?yàn)镮GBT導(dǎo)通時即有電子又有空穴參與導(dǎo)電，但空穴恢復(fù)比較慢，所以IGBT比較慢。
MOS可以看Qg的大小，柵極存儲的電荷越少開關(guān)速度越快。
作者:
Hephaestus
時間:
2022-9-12 07:37
IGBT有存儲效應(yīng)，從深飽和狀態(tài)恢復(fù)出來的時間很長，限制了最高開關(guān)頻率。
MOSFET的最高頻率是驅(qū)動電路無法克服Qg柵極電荷給限制住的，只要你能開發(fā)出足夠強(qiáng)大的柵極驅(qū)動，MOSFET的工作頻率是無限的，唯一能限制的物理極限只有光速。
作者:
yzwzfyz
時間:
2022-9-12 16:49
MOS管的耐壓和電流怎么選?
答：參照設(shè)計(jì)的要求，加個富裕度，查手冊，符合條件即選中。
為什么IGBT的頻率沒有MOS管高，
答：IGBT是集成的東東，MOS是單一的東東，多個東東就多個限制。
關(guān)鍵是什么參數(shù)造成的。
答：分布電容、元件電容是關(guān)鍵參數(shù)。
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