標(biāo)題: 降壓芯片損壞直接高電壓壓直通 [打印本頁]
作者: baobao125    時(shí)間: 2022-9-13 10:51
標(biāo)題: 降壓芯片損壞直接高電壓壓直通
8V用1117-5.0給后續(xù)芯片供電，1117損壞后8V電壓直通芯片，造成芯片損壞。這種情況怎么保護(hù)后續(xù)芯片/  有沒有哪種降壓芯片損壞后是斷路的
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2022-9-13 11:25
沒見過LDO后面加過壓保護(hù)的，前面加TVS、MOV（ZnO）保護(hù)的倒是有，防止LDO輸入電壓超范圍。說明買到靠譜的LDO比什么保護(hù)都靠譜。
作者: zsyzdx    時(shí)間: 2022-9-13 11:27
加個(gè)保險(xiǎn)絲或者穩(wěn)壓二極管
作者: npn    時(shí)間: 2022-9-13 11:28
你先搞明白1117是什么原因損壞的，再對癥下藥，損壞后的狀態(tài)都是未知的。
作者: 1486579515    時(shí)間: 2022-9-13 11:47
1117輸出串聯(lián)自恢復(fù)保險(xiǎn)后邊并聯(lián)一個(gè)5V TVS.排查一下為什么會燒壞1117.是尖峰太高打壞了還是負(fù)載的瞬態(tài)功率太大？
作者: xiaohaibo81    時(shí)間: 2022-9-13 13:32
一般情況很少有壞的，這個(gè)1117-5.0 都可以達(dá)1.5A的電流了。難道你后面的負(fù)載比這個(gè)電流還要大嗎？
作者: yzwzfyz    時(shí)間: 2022-9-13 15:06
加個(gè)適當(dāng)保險(xiǎn)絲，能提升90%以上的概率，在穩(wěn)壓芯片塊時(shí)，保證開路。
作者: cnos    時(shí)間: 2022-9-13 19:35
LDO輸出→自恢復(fù)保險(xiǎn)絲↓→→ ↓→→芯片
                                T      可
                                V      控
                                S      硅
                                ↓      過
                               地     壓
                                       保
                                       護(hù)
                                       ↓
                                      地
TVS負(fù)責(zé)瞬時(shí)保護(hù)
可控硅負(fù)責(zé)長期保護(hù)
作者: baobao125    時(shí)間: 2022-9-14 15:41
1486579515 發(fā)表于 2022-9-13 11:47
1117輸出串聯(lián)自恢復(fù)保險(xiǎn)后邊并聯(lián)一個(gè)5V TVS.排查一下為什么會燒壞1117.是尖峰太高打壞了還是負(fù)載的瞬態(tài)功率 ...

降壓后面跟著個(gè)升壓電路，是升壓的電感的原因，應(yīng)該是電容用小了導(dǎo)致的。
作者: rundstedt    時(shí)間: 2022-9-14 23:42
baobao125 發(fā)表于 2022-9-14 15:41
降壓后面跟著個(gè)升壓電路，是升壓的電感的原因，應(yīng)該是電容用小了導(dǎo)致的。

太有才了，先降壓再升壓，沒有困難也要?jiǎng)?chuàng)造困難。
作者: powbir    時(shí)間: 2022-9-15 08:46
很少見LDO加后級保護(hù)的，找出損壞原因才是正道。
作者: 地球    時(shí)間: 2022-9-16 12:38
可以用5v穩(wěn)壓二極管鉗位，擊穿以后，高于5v的電壓都會被管子吸收，進(jìn)而保護(hù)芯片



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