標(biāo)題: 負(fù)載開關(guān)電路的疑問(wèn) [打印本頁(yè)]
作者: 李冬    時(shí)間: 2022-9-19 11:06
標(biāo)題: 負(fù)載開關(guān)電路的疑問(wèn)
IO2高電平，負(fù)載開關(guān)打開，就過(guò)流保護(hù)了，加緩啟動(dòng)電容C3，容量很大，也會(huì)保護(hù)，后來(lái)發(fā)現(xiàn)去掉C6，就正常。是不是C6的ESR太小，造成浪涌電流。
C6電容必須要加，現(xiàn)在緩啟動(dòng)C3的容量不能再加大，有什么好辦法解決嗎，能不能再C5和C6之間加個(gè)合適的電阻。
另個(gè)問(wèn)題，有R13，可控硅的門極電阻可以省略嗎

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作者: xstong    時(shí)間: 2022-9-19 14:33
R12連接到R13下面！   C3 = 100nF、R12 = 10K、R13 = 100K！ MOS管左邊其它元件省略！
作者: 李冬    時(shí)間: 2022-9-19 14:44
xstong 發(fā)表于 2022-9-19 14:33
R12連接到R13下面！   C3 = 100nF、R12 = 10K、R13 = 100K！ MOS管左邊其它元件省略！

Q777的VGS電壓不能大于20V,R12和R13分壓用的
作者: xstong    時(shí)間: 2022-9-19 15:19
李冬 發(fā)表于 2022-9-19 14:44
Q777的VGS電壓不能大于20V,R12和R13分壓用的

耐壓?jiǎn)栴}在GS之間添加雙向TVS保護(hù)管就解決了，主要是開關(guān)打開瞬間，要使得MOS管緩慢打開才能減小負(fù)載對(duì)電源的沖擊！  打開快慢時(shí)間調(diào)節(jié)R13就可以了。
作者: paladina    時(shí)間: 2022-9-19 21:32
C6 是不是貼片，查查耐壓是否夠



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