標(biāo)題: 開關(guān)管參數(shù)問題 為什么IRFP4768的尖峰電壓最大,哪個(gè)參數(shù)是主要因素? [打印本頁]

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作者: 李冬    時(shí)間: 2022-9-19 17:02
標(biāo)題: 開關(guān)管參數(shù)問題 為什么IRFP4768的尖峰電壓最大,哪個(gè)參數(shù)是主要因素?
K62N60W，STW70N60M2，IRFP4768。這三種MOS管，為什么IRFP4768的尖峰電壓最大，哪個(gè)參數(shù)是主要因素，它的VDS最低，害怕被擊穿

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作者: yzwzfyz    時(shí)間: 2022-9-20 08:09
如果A絕對比B好，B就沒有存在的道理了。
設(shè)計(jì)要圍繞目的進(jìn)行，能達(dá)成目的就是最合適的。
通常會(huì)發(fā)行兩種選擇各有利敝，不同立場的人選擇也不同。
尖峰電壓大，說明關(guān)斷相對徹底。

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作者: xiaohaibo81    時(shí)間: 2022-9-20 09:57
MOS管的參數(shù)一般和結(jié)電容有關(guān)。結(jié)電容起小，說明這個(gè)MOS起好。                                                      
Qg Total Gate Charge ––– 180                                270   nC
Qgs Gate-to-Source Charge ––– 52 –––
Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 72 –––
Qsync Total Gate Charge Sync. (Qg - Qgd) ––– 108 –––

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