標(biāo)題: PL2302GD SOT-23-3 N通道高密度壕溝MOSFET [打印本頁]
作者: bsdz123    時間: 2022-9-20 13:42
標(biāo)題: PL2302GD SOT-23-3 N通道高密度壕溝MOSFET
特點
●超高密度細(xì)胞溝設(shè)計為低RDS（開）。
●堅固而可靠。
●表面安裝軟件包。


規(guī)格書： PL2302GD-100129-2.pdf (757.47 KB, 下載次數(shù): 4)
預(yù)覽






歡迎光臨 (http://www.torrancerestoration.com/bbs/) Powered by Discuz! X3.1