標(biāo)題: 關(guān)于單片機(jī)按鍵復(fù)位電路的討論 [打印本頁(yè)]

作者: 小劉要加油    時(shí)間: 2022-9-21 17:18
標(biāo)題: 關(guān)于單片機(jī)按鍵復(fù)位電路的討論
如圖
按鍵復(fù)位電路
​其中
1K電阻為限流電阻 防止按鍵按下Vcc電流過(guò)大 燒毀單片機(jī) (不過(guò)rst內(nèi)置45k至100k下拉電阻 所以這1k電阻也可省掉)
10p電容 Vcc充電給電容 不過(guò)會(huì)一直被GND拉底 直到rstk按下 只需給rst高電平2微秒以上 單片機(jī)即可有效復(fù)位。
​以上是小白的理解 有不對(duì)的地方希望網(wǎng)友大神們指正

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作者: Hephaestus    時(shí)間: 2022-9-21 20:14
1)不同單片機(jī)需要的復(fù)位電路是不一樣的,你隱瞞單片機(jī)型號(hào),只能收獲錯(cuò)誤答復(fù)。
2)對(duì)于大多數(shù)單片機(jī),這個(gè)復(fù)位電路中,只有按鍵是必須的,其他電阻電容都是不需要的,%畫蛇添足,%%。
作者: wc86110    時(shí)間: 2022-9-21 23:12
去掉 1K 電阻,10p 改為 10u。這是經(jīng)驗(yàn)值
作者: yzwzfyz    時(shí)間: 2022-9-22 08:47
【1K電阻為限流電阻 防止……】
回:不是,也不可能燒壞單片機(jī),它只對(duì)保護(hù)按鍵的觸點(diǎn)或電容瞬時(shí)放電無(wú)線干擾有關(guān)。
由于電容容量不大,這里是可以省掉的,但不是因?yàn)橛袃?nèi)置下拉電阻。
【10p電容……】
回:電容量的選擇,取決于CPU復(fù)位的起始電平以及復(fù)位所需要的時(shí)間(需要你查芯片手冊(cè))
只需給rst高電平維持:讓CPU可靠有效復(fù)位的時(shí)間即可。
它的容量,可以參考手冊(cè)的建議值。
【特別注意】
有些單片機(jī)內(nèi)部分有復(fù)位電路,RST為復(fù)用IO口,加電容后,反而不能正常工作!
所以:一定要看手冊(cè)的復(fù)位說(shuō)明。
作者: zmc419    時(shí)間: 2022-9-22 09:32
10p?應(yīng)該是10U
作者: hhh402    時(shí)間: 2022-9-22 10:10
不要看復(fù)位電路啦,除了89C52之外單片機(jī)都已經(jīng)集成復(fù)位電路,編程用戶沒有必要去學(xué)復(fù)位。
作者: wufa1986    時(shí)間: 2022-9-22 10:30
這電路完全是亂搞,自以為如此
作者: 一事無(wú)成    時(shí)間: 2022-9-22 12:36
這個(gè)得看單片機(jī),復(fù)位電路就是給單片機(jī)發(fā)信號(hào),只不過(guò)這個(gè)信號(hào)會(huì)讓單片機(jī)復(fù)位,和正常的信號(hào)沒多大區(qū)別,看手冊(cè)上要給高電平還是低電平,給多長(zhǎng)時(shí)間,只要能產(chǎn)生滿足這個(gè)要求的信號(hào)就行了




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