標(biāo)題: 單片機(jī)內(nèi)部時(shí)鐘和RTOS系統(tǒng) [打印本頁]
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2022-9-23 13:42
標(biāo)題: 單片機(jī)內(nèi)部時(shí)鐘和RTOS系統(tǒng)
1.rtos也不是更好，只是看需求，當(dāng)你有一些復(fù)雜應(yīng)用，多任務(wù)調(diào)度，你裸機(jī)就很麻煩控制時(shí)間，最多自己寫一個(gè)時(shí)間片調(diào)度，那RTOS更好進(jìn)行任務(wù)管理。相當(dāng)于是單片機(jī)的系統(tǒng)了，所以一般物料網(wǎng)產(chǎn)品上RTOS會方便很多？

2.內(nèi)置高速時(shí)鐘，低速時(shí)鐘，有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？一般場合，能用內(nèi)部時(shí)鐘代替晶振不？

作者: munuc_w    時(shí)間: 2022-9-23 15:08
可以用，就是精度稍差點(diǎn)，其它方面沒問題。
作者: yzwzfyz    時(shí)間: 2022-9-23 17:31
高低內(nèi)外的區(qū)別：
精度、速度、耗電。主要在這三個(gè)方面。
作者: simple_tt    時(shí)間: 2022-9-23 17:45
一般場合內(nèi)部晶振也是可以直接使用的，就是精度上沒有外部時(shí)鐘精準(zhǔn)，要求不高的可以直接使用
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2022-9-23 21:16
第二個(gè)問題找個(gè)datasheet看下LSI、HSI的參數(shù)看一下比上論壇來問要靠譜太多了。
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2022-9-26 16:32
munuc_w 發(fā)表于 2022-9-23 15:08
可以用，就是精度稍差點(diǎn)，其它方面沒問題。

不需要很精準(zhǔn)   但是要滿足產(chǎn)品五年的使用壽命   現(xiàn)在ADC采集的頻率是每100ms采集一次數(shù)據(jù)  每15秒存一次數(shù)據(jù) （一次數(shù)據(jù)多少字節(jié)  不清楚 我是搞硬件的 對這些還沒搞通透）  如果用flash當(dāng)做EEPROM用  能擦寫多少次  換算成年是多少年
作者: atmstech    時(shí)間: 2022-9-26 22:12
要求不高可以，內(nèi)部的精度都不行。
作者: coody_sz    時(shí)間: 2022-9-27 11:06
看你對時(shí)鐘的要求了，只要其精度滿足你的要求，溫漂、抖動也滿足你的要求，那用內(nèi)部更好，少個(gè)晶振，更可靠。
至于RTOS，看你項(xiàng)目要求了。多任務(wù)也可以不用RTOS的，基于時(shí)間片處理任務(wù)、時(shí)間觸發(fā)任務(wù)等等都可以做到RTOS類似的功能。
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2022-9-28 02:46
QWE4562012 發(fā)表于 2022-9-26 16:32
不需要很精準(zhǔn)   但是要滿足產(chǎn)品五年的使用壽命   現(xiàn)在ADC采集的頻率是每100ms采集一 ...

你自己查datasheet，以前flash寫壽命在10萬次左右，現(xiàn)代精簡很多次的低成本工藝，已經(jīng)在1萬次左右，也有更低的比如STM8S003可以做到100次。同樣的24系列eeprom曾經(jīng)的寫壽命是1000萬次，現(xiàn)在已經(jīng)成功地降低到了100萬次，如果都不夠用，就用鐵電吧。

flash和eeprom只有寫是有次數(shù)限制的，讀沒有次數(shù)限制，讀沒有壽命的概念，只有MTBF的概念。



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