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標(biāo)題: PL2301GD SOT-23-3 P通道高密度壕溝MOSFET [打印本頁(yè)]

作者: bsdz123 時(shí)間: 2022-10-19 17:56
標(biāo)題: PL2301GD SOT-23-3 P通道高密度壕溝MOSFET
特點(diǎn)
●用于低RDS的超高密電池溝槽設(shè)計(jì)（開(kāi)啟）。
●堅(jiān)固而可靠。
●表面安裝軟件包。

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PL2301GDA-100129.pdf (607.51 KB, 下載次數(shù): 3)
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