標題: 全橋、半橋、推挽電路中用的MOS一般都是NMOS，特別市在高壓端，很少看到有PMOS，這... [打印本頁]
作者: QWE4562012    時間: 2022-12-3 11:08
標題: 全橋、半橋、推挽電路中用的MOS一般都是NMOS，特別市在高壓端，很少看到有PMOS，這...
全橋、半橋、推挽電路中用的MOS一般都是NMOS，特別市在高壓端，很少看到有PMOS，這是基于什么考慮？可以從哪幾個方面來分析？

1.NMOS耐壓更高，工藝更簡單？

2.

3........

歡迎接龍
作者: Hephaestus    時間: 2022-12-3 11:31
同樣性能，N溝更加便宜。同等價格，N溝性能更好。
作者: cnos    時間: 2022-12-3 14:23
P溝道的電壓高了驅(qū)動一樣要加隔離，既然都要隔離還不如一起用N的了。
作者: fj51hei    時間: 2022-12-3 16:35
好像同樣規(guī)格的NMOS PMOS  PMOS的導(dǎo)通電阻要大一些？
作者: coody_sz    時間: 2022-12-3 18:34
相同條件下，N溝的比P溝的內(nèi)阻更小、電流更大，上下管都用N溝，則輸出對稱，損耗小。
作者: 君工創(chuàng)    時間: 2022-12-3 21:24
在功放輸出級，我用PMOS,NMOS配對管。還未試過上下用NMOS的。
作者: hmsfeng    時間: 2022-12-3 22:17
上管PMOS驅(qū)動開通時要求的驅(qū)動電壓更高，上管NMOS開通可以用自舉電容解決這個問題，因此驅(qū)動級不會涉及很高電壓
作者: liesnake    時間: 2022-12-4 16:22
把自舉電容的原理學(xué)會了一切就變得簡單了，你會發(fā)現(xiàn)用自舉電容比用pmos好多了。
作者: QWE4562012    時間: 2022-12-15 11:05
hmsfeng 發(fā)表于 2022-12-3 22:17
上管PMOS驅(qū)動開通時要求的驅(qū)動電壓更高，上管NMOS開通可以用自舉電容解決這個問題，因此驅(qū)動級不會涉及很高 ...

PMOS不是低導(dǎo)通嗎！
作者: fbn20050523    時間: 2022-12-15 13:41
        NMOS管的主回路電流方向為D→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高)
也就是說用nmos作buck-boost電路上管時需要有高于供電電壓的控制電壓一般由自舉電容提供,但是一旦開關(guān)占空比過高自舉電路就會失效,這也是nmos做上管不能100占空比的原因,除非你單弄一路電源

        PMOS管的主回路電流方向為S→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高)
一般電路很少弄負電源這就很大程度上限制了pmos的應(yīng)用.在小電流5A以內(nèi)吧pmos也是能媲美nmos的.pmos做上管就能很好的解決100占空比的問題.

作者: coody_sz    時間: 2022-12-15 15:32
fbn20050523 發(fā)表于 2022-12-15 13:41
NMOS管的主回路電流方向為D→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高)
也就是說用nm ...

PMOS需要負的柵壓，是指G比S電壓低，并不是真的要一個負電源。
作者: Hephaestus    時間: 2022-12-15 16:37
coody_sz 發(fā)表于 2022-12-15 15:32
PMOS需要負的柵壓，是指G比S電壓低，并不是真的要一個負電源。

可能說的是小功率場合，數(shù)字集成電路工藝發(fā)展線路是TTL、PMOS、NMOS、CMOS，當(dāng)年的PMOS電路就是負電源的。
作者: fbn20050523    時間: 2022-12-15 20:45
coody_sz 發(fā)表于 2022-12-15 15:32
PMOS需要負的柵壓，是指G比S電壓低，并不是真的要一個負電源。

看你用在高側(cè)還是低側(cè)



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