標(biāo)題: 關(guān)于電流檢測(cè)兩種方式 [打印本頁(yè)]
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-3-6 18:41
標(biāo)題: 關(guān)于電流檢測(cè)兩種方式

    高端檢測(cè)既然會(huì)使得放大器承受較高的共模電壓，那“都采取高側(cè)檢測(cè)”這句話豈不是自相矛盾
    怎么理解負(fù)載腳底不穩(wěn)？低端檢測(cè)會(huì)影響到GND電平的穩(wěn)定性嗎？

幫忙講下這四個(gè)電路、高端檢測(cè)*2，低端檢測(cè)*2具體的工作原理，或輸出公式的推導(dǎo)過(guò)程

1.png (83.9 KB, 下載次數(shù): 39)

1.png

低端檢測(cè)1.png (45.47 KB, 下載次數(shù): 36)

低端檢測(cè)1.png

低端檢測(cè)2.png (52.04 KB, 下載次數(shù): 35)

低端檢測(cè)2.png

高端檢測(cè)1.png (156.69 KB, 下載次數(shù): 42)

高端檢測(cè)1.png

高端檢測(cè)2.png (54.69 KB, 下載次數(shù): 40)

高端檢測(cè)2.png
作者: Hephaestus    時(shí)間: 2023-3-6 23:31
你引用的文章作者本身就什么都不懂亂寫。

運(yùn)放誕生之初就是默認(rèn)雙電源供電，地在兩個(gè)電源中間。如果是單電源供電，那么地線就是正負(fù)供電的負(fù)電源，電源就是正負(fù)供電的正電源。如果高端檢測(cè)需要運(yùn)放“承受較高的共模電壓”，那么低端檢測(cè)就需要運(yùn)放“承受較低的共模電壓”。
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-3-7 10:52
Hephaestus 發(fā)表于 2023-3-6 23:31
你引用的文章作者本身就什么都不懂亂寫。

運(yùn)放誕生之初就是默認(rèn)雙電源供電，地在兩個(gè)電源中間。如果是單 ...

把四個(gè)電路輸出電壓推導(dǎo)寫下哈
作者: wufa1986    時(shí)間: 2023-3-7 10:59
寫這篇文章的作者亂講，以前高端檢測(cè)還沒(méi)怎么發(fā)展專用芯片，絕大部分都是低端檢測(cè)，即使是現(xiàn)在，高端檢測(cè)芯片的承受電壓依然有很大限制
作者: renstone    時(shí)間: 2023-3-7 11:42
高端檢測(cè)是指取樣電阻位與電源高電位側(cè)和負(fù)載之間；
低端檢測(cè)是指取樣電阻位與負(fù)載和電源地之間。

低端檢測(cè)1這張圖是高端檢測(cè)。Rshunt是取樣電阻，流過(guò)電流時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電壓差，這個(gè)電壓在經(jīng)過(guò)差分放大器放大或衰減到后級(jí)。這里的關(guān)鍵是運(yùn)放的+、-端所承受的電壓應(yīng)該在運(yùn)放允許承受的共模電壓范圍內(nèi)，同時(shí)也在運(yùn)放的正負(fù)電源軌范圍內(nèi)，否則無(wú)法正常工作。由于電源電壓POWER可能遠(yuǎn)大于運(yùn)放的電源軌，采用高側(cè)采樣時(shí)，那么就需要先進(jìn)行分壓把這個(gè)電壓值限制在運(yùn)放共模輸入電壓范圍內(nèi)。第一張圖里面，Rshunt的高電位側(cè)電位V1*R1/(R1+R2)就是運(yùn)放+端的輸入電壓，同時(shí)由于運(yùn)放負(fù)反饋，虛短，運(yùn)放-端的電壓非常接近運(yùn)放+端的電壓。從而+ -輸入端的電壓都被限制在運(yùn)放允許共模輸入電壓范圍內(nèi)。

高端檢測(cè)2這張圖，應(yīng)該是VCC比較低時(shí)用的這個(gè)和低端檢測(cè)1實(shí)際上是一張圖。

至于推導(dǎo)，無(wú)非是負(fù)反饋、虛短、虛斷，你找本模電書，看一下差分放大器部分。
也可以到Ti的網(wǎng)站上找一下高側(cè)電流檢測(cè)的芯片手冊(cè)看一下


作者: coody_sz    時(shí)間: 2023-3-7 13:45
樓主引用的文章其作者確實(shí)有局限性。
高端檢測(cè)不是用普通的運(yùn)放做（當(dāng)然做好電源也可以），而是有專門的IC，放大部分電路不一樣的。
以前專用IC比較貴時(shí)，我常用普通運(yùn)放，隔離正負(fù)電源供電（電感做反擊變換得到），運(yùn)放的地與高端電源軌連接，用一個(gè)高壓P溝MOSFET將電流傳到低端，高端可以檢測(cè)高達(dá)400V。電壓120V以下，電流精度允許2%，則可以用2N5401.
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-3-7 15:22
coody_sz 發(fā)表于 2023-3-7 13:45
樓主引用的文章其作者確實(shí)有局限性。
高端檢測(cè)不是用普通的運(yùn)放做（當(dāng)然做好電源也可以），而是有專門的IC ...

沒(méi)明白你說(shuō)的是怎么接  你把圖貼出來(lái)
作者: QWE4562012    時(shí)間: 2023-3-7 15:23
renstone 發(fā)表于 2023-3-7 11:42
高端檢測(cè)是指取樣電阻位與電源高電位側(cè)和負(fù)載之間；
低端檢測(cè)是指取樣電阻位與負(fù)載和電源地之間。

高端檢測(cè)  運(yùn)放承受的電壓不也是采樣電阻兩端的電壓?jiǎn)�？這是一個(gè)差值  應(yīng)該很小才對(duì)
作者: renstone    時(shí)間: 2023-3-7 15:53
QWE4562012 發(fā)表于 2023-3-7 15:23
高端檢測(cè)  運(yùn)放承受的電壓不也是采樣電阻兩端的電壓?jiǎn)�？這是一個(gè)差值  應(yīng)該很小才對(duì)

電壓和電位是兩個(gè)概念.電壓是兩點(diǎn)之間的電位差,電位是相對(duì)于0電位點(diǎn)的電壓.假定.你說(shuō)的采樣電阻兩端的電壓是差模電壓,運(yùn)放還有一個(gè)參數(shù)叫共模輸入電壓.你隨便找一本運(yùn)放數(shù)據(jù)手冊(cè)看一下運(yùn)放有沒(méi)有共模輸入電壓范圍這個(gè)參數(shù),就是說(shuō)取樣電阻兩端電位差可以很小(由于阻值小或者電流小),但取樣電阻兩端的電位并不低,有可能超過(guò)運(yùn)放的共模電壓輸入范圍,假定你的POWER點(diǎn)這里是個(gè)DC 48V.那么此時(shí)Rshunt兩端的電位就在48V附近,兩端的電位差就是流過(guò)的電流乘Rshunt阻值.

就是說(shuō),此時(shí)運(yùn)放承受的差分電壓是shunt電阻兩端的壓差.但此時(shí)的共模輸入電壓較高.

低端檢測(cè)時(shí),運(yùn)放一端接地,一端接采樣電阻上側(cè),就不存在這個(gè)問(wèn)題





歡迎光臨 (http://www.torrancerestoration.com/bbs/) Powered by Discuz! X3.1